本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

在第二相强化的多元高温合金稳态蠕交速率方程的基础上,考虑了堆垛层错能与反应力蠕变理论,进而提出了一个新的稳态蠕变速率普遍式:$\\mathop {\\rm{\\varepsilon }}\\limits^{\\rm{\\cdot}} {\\rm{s}}={\\rm{A}}''{(rs)^{{\\rm{no}}}}{[\\frac{{\\sigma -{\\sigma _{\\rm{p}}}}}{{{\\rm{E}}({\\rm{T}})}}]^{{\\rm{no}}}}\\exp (-\\frac{{\\rm{Q}}}{{{\\rm{RT}}}})$根据对Ni-Co二元合金,γ'相强化和氧化物弥散强化的镍基高温合金、以及γ'相含量不高不同含Co量的镍基高温合金(Waspaloy)和高γ'相含量的不同含Co量的镍基高温合金(Udimet 700)的蠕变进行验证,说明作者提出的稳态蠕变速率方程是可行的

本文研究了三种碳-锰、碳-锰-铌钢控制轧制中铁素体晶粒细化的规律。大量试验证明,热轧后钢中铁体晶素粒尺寸(dF)主要受形变量(ε)、形变温度(TD)、原始奥氏体晶粒尺寸(dA)及冷却速度、钢中成分的影响。在单道次轧制中这三种钢的铁素体晶粒尺寸与各参数的综合定量关系皆可用下式表达:${{\\rm{d}}_{\\rm{F}}}=\\frac{{55{\\rm{th}}\\frac{{{{\\rm{d}}_{\\rm{A}}}-90}}{{25}} + {\\rm{a}}}}{{\\rm{\\varepsilon }}} + {\\rm{b}}{T_{\\rm{D}}}-750{^{\\frac{1}{2}}} + {\\rm{c}}{{\\rm{d}}_{\\rm{A}}}$将式中的dA改为\等效奥氏体晶粒尺寸\,此式就可应用于多道次轧制,予测多道次轧制后的铁素体晶粒尺寸

用NH4Cl水溶液和塑料粒子模拟了钢中大型夹杂物在钢锭底部锥聚积过程,提出了聚积机理,并导出了夹杂聚积量的数学方程:$Q = \\frac{{A{\\rm{\\cdot}}b}}{{1 - \\alpha }}(\\int_{{t_1}}^{{t_0}} {(\\overline V - {U_S})} {C_0}dt + \\int_{{t_0}}^{t + {t_s}} {(\\overline V - {U_S})} k{C_0}dt)$实验结果在生产中得到了验证。减少钢锭底部夹杂物的有效措施是向钢锭帽部加发热剂和适当的注温。加发热剂时,要注意加入时间和加入方法

本文报导了<钛(Ⅳ)——5-Br-PADAP—羟胺—氯乙酸>体系混配络合物的显色反应,此体系有不同于多数金属离子同型络合物的萃取性质,利于在其他金属离子共存时测定钛。服从比尔定律的范围为0—25μg/25ml。摩尔吸光系数为7.24×104。介绍了合金钢中低含量钛的测定方法

本工作用自行设计、安装的电子工作线路,用抽氧法（又称极化电动势法）测定了国产氧化锆固体电解质（含CaO重量为4%）的电子导电特征氧分压。测定结果为:\\[{\\mathop{\\rm l}\\nolimits} {\\rm{gPe' = 21}}{\\rm{.49 - }}\\frac{{{\\rm{69336}}}}{{\\rm{T}}}\\]在1600℃时,Pe'=10-15·53大压。实验证明,所用的方法和装置能夠方便、准确地测量固体电解质的特征氧分压Pe'文章最后讨论了固体电解质电子导电对浓差电池定氧的影响和减少误差的途径

采用划破电极技术,研究了不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中的钝化过程。不锈钢在氯化镁溶液(14%,80℃)中钝化时的真实电流衰减规律为:i(t)=C1exp(-a1t)+C2exp(-a2t)式中第一项反映吸附膜生长速度,第二项反映氧化膜生长速度。不锈钢去膜表面在氯化镁溶液中钝化时膜成长的规律符合高电场离子传导的膜生长机理

在一种含钨、钼的40Ni-14Cr-Fe基高温合金中,正常热处理后就出现μ相,开始析出于晶界。微量（～0.1%）μ相就对合金塑性,尤其会使冲击韧性值成倍下降,是合金长时期使用中脆化的主要因素。晶界微量μ相引起的脆化倾向与晶界上的μ相密集程度成正比关系,可通过控制成分及细化晶粒来降低μ相的密集程度,从而减弱晶界μ相引起的脆化作用。沿晶μ相所造成的室温冲击沿晶断裂形式,其断裂特征不是沿整个μ相介面形成孔洞,而只是沿部分μ相介面形成裂纹

本文研究非线性自治大系统$\\frac{{{\\rm{d}}{{\\rm{x}}_{\\rm{i}}}}}{{{\\rm{dt}}}}=\\sum\\limits_{{\\rm{i}}=1}^{\\rm{r}} {{{\\rm{f}}_{{\\rm{ij}}}}({\\rm{xj}})({\\rm{i}}=1, \\ldots,{\\rm{r}})} $这里,xi∈Rni,fij∈C(Rnj,Rni,fij(o)=0,得到保证其零解为全局一致渐近稳定的充分条件(见定理1)

在实验室条件下,自制了MgS与TiS2两种硫化物,组成MgS—2%TiS2'wt)并经过高温烧结处理。用MgS—2%TiS2固体电解质组成硫浓差电池:Mo[[S]Fe][MgS-2%TiS2（wt）]Mo,MoS2]Mo于1375℃无保护气氛条件下进行了铁液定硫的试验。所测电势E与化学分析的[%S]关系为log[%S]=-0.3694-0.0077E（mV）（[%S]:0.013～0.134）。于1375℃下还测试了Cu-Cu2S系的硫位。推算出表征固体电解质电子电导率大小的特征硫分压Pc’对MgS—2%TiS2来讲为6×10-4pa。引入pe’和硫活度系数fs对E—[%S]关系进行了修正