第二章双极型晶体管及其放大电路 2-1双极型晶体管的工作原理 2-1-1放大状态下晶体管中载流子的传输过程 发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 2-1-2电流分配关系 一、直流电流放大系数 二、IC、lE、l3、三者关系 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 1 第二章 双极型晶体管及其放大电路 2-1 双极型晶体管的工作原理 2-1-1 放大状态下晶体管中载流子的传输过程 一、发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 2-1-2 电流分配关系 一、直流电流放大系数 二、IC、 IE、 IB、三者关系
2-2晶体管伏安特性曲线及参数 2-2—1晶体管共发射极特性曲线 共发射极输出特性曲线 1.放大区 2.饱和区 3.截止区 二、共发射极输入特性曲线 温度对晶体管特性曲线的影响 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 2 2―2 晶体管伏安特性曲线及参数 2―2―1 晶体管共发射极特性曲线 一、共发射极输出特性曲线 1. 放大区 2. 饱和区 3. 截止区 二、共发射极输入特性曲线 三、温度对晶体管特性曲线的影响
2-2-2晶体管的主要参数 、电流放大系数 二、极间反向电流 、结电容 四、晶体管的极限参数 2-3晶体管直流工作状态分析及偏置电路 2—3—1晶体管的直流模型 23-—2晶体管直流工作状态分析 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 3 2-2-2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 二、极间反向电流 三、 结电容 四、晶体管的极限参数 2―3 晶体管直流工作状态分析及偏置电路 2―3―1晶体管的直流模型 2―3―2晶体管直流工作状态分析
2-3-3放大状态下的偏置电路 、固定偏流电路 电流负反馈型偏置电路 三、分压式偏置电路 2-4放大器的组成及其性能指标 2-4-1基本放大器的组成原则 2-4-_2直流通路和交流通路 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 4 2―3―3 放大状态下的偏置电路 一、固定偏流电路 二、电流负反馈型偏置电路 三、分压式偏置电路 2―4放大器的组成及其性能指标 2―4―1 基本放大器的组成原则 2―4―2 直流通路和交流通路
2-4-3放大器的主要性能指标 放大倍数A 输入电阻R 、输出电阻R。 四、非线性失真系数THD五、线性失真 2-5放大器图解分析法 2-5—1直流图解分析 2-5-2交流图解分析 2-5—3直流工作点与放大器非线性失真的关系 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 5 2―4―3放大器的主要性能指标 一、放大倍数A 二、输入电阻 Ri 三、输出电阻Ro 四、非线性失真系数THD 五、线性失真 2―5 放大器图解分析法 2―5―1 直流图解分析 2―5―2 交流图解分析 2―5―3 直流工作点与放大器非线性失真的关系
2-6放大器的交流等效电路分析法 2-6—1晶体管交流小信号电路模型 、混合π型电路模型 二、低频H参数电路模型 2-6—2共射极放大器的交流等效电路分析法 2-7共集电极放大器和共基极放大器 2-7—1共集电极放大器 2-72共基极放大器 2—7-3三种基本放大器性能比较 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 6 2―6 放大器的交流等效电路分析法 2―6―1 晶体管交流小信号电路模型 一、混合π 二、低频H参数电路模型 2―6―2 共射极放大器的交流等效电路分析法 2―7 共集电极放大器和共基极放大器 2―7―1共集电极放大器 2―7―2共基极放大器 2―7―3 三种基本放大器性能比较
28放大器的级联 2-8-1级间耦合方式 2-8-2级联放大器的性能指标计算 2-8-3组合放大器 一、CCCE和CECC组合放大器 二、CE—CB组合放大器 作业 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7 2―8 放大器的级联 2―8―1级间耦合方式 2―8―2级联放大器的性能指标计算 2―8―3 组合放大器 一、CC―CE和CE―CC组合放大器 二、CE―CB组合放大器 作业
第二章双极型晶体管及其放大电路 (1)掌握双极型晶体管的工作原理、特性和参数。 (2)掌握双极型晶体管的大信号和小信号模型。了 解模型参数的含义。 (3)掌握晶体管基本放大器的组成、工作原理及性 能特点。 (4)掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。 (5)掌握图解分析方法和小信号等效电路分析方法, 掌握动态参数(A、R、R(的分析方法 (6)掌握多级放大电路动态参数的分析方法。 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8 （1）掌握双极型晶体管的工作原理、特性和参数。 （2）掌握双极型晶体管的大信号和小信号模型。了 解模型参数的含义。 （3）掌握晶体管基本放大器的组成、工作原理及性 能特点。 （4）掌握静态工作点的基本概念和偏置电路的估算。 （5）掌握图解分析方法和小信号等效电路分析方法， 掌握动态参数（ ）的分析方法。 （6）掌握多级放大电路动态参数的分析方法。 Au、Ri、Ro、Uom 第二章 双极型晶体管及其放大电路
2-1双极型晶体管的工作原理 BJT( Bipolar junction Transistor),简称晶体管或三极管。 C 发射结 集电结 NPN P N C 发射极发射区基区集电区「集电极 合 C b 基极 PNP (a)NPN管的原理结构示意图 e Base collector emitter (b)电路符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9 e c b 发射极 基极 集电极 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 N P N c b e NPN PNP c b e (a) NPN管的原理结构示意图 (b) 电路符号 2-1 双极型晶体管的工作原理 Base collector emitter BJT(Bipolar Junction Transistor)，简称晶体管或三极管
发射区 SiO 绝缘层 N 集电结 发射结 N型外延 集电区 基区 N+衬底 (c)平面管结构剖面图 图2-1晶体管的结构与符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 10 P 集电极 基 极 发射极 发射结 集电结 发射区 集电区 (a) NPN c e b PNP c e b b 基 区 e c (b) N ＋ 衬 底 N型外延 P N＋ c e b SiO2 绝缘层 集电结 基 区 发射区 发射结 集电区 (c) N N (c)平面管结构剖面图 图2-1 晶体管的结构与符号
