第三章场效应管及其基本电路 3-1结型场效应管 3-1—1结型场效应管的结构及工作原理 3-1—2结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 二、输出特性曲线 1.可变电阻区 2恒流区 3.截止区 4击穿区 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 1 第三章 场效应管及其基本电路 3―1 结型场效应管 3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理 3―1―2 结型场效应管的特性曲线 一、转移特性曲线 二、输出特性曲线 1. 可变电阻区 2.恒流区 3. 截止区 4.击穿区
3-2绝缘栅场效应管(GFET) 3-2-1绝缘栅场效应管的结构 3-2-2N沟道增强型 MOSFET 导电沟道的形成及工作原理 转移特性 输出特性 (1)截止区 (2)恒流区 (3)可变电阻区 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 2 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 3―2―1 绝缘栅场效应管的结构 3―2―2 N沟道增强型MOSFET 一、导电沟道的形成及工作原理 二、转移特性 三、输出特性 (1)截止区 (2)恒流区 (3)可变电阻区
3-2-3N沟道耗尽型 MOSFET 3-2-4各种类型MOS管的符号及特性对比 3-3场效应管的参数和小信号模型 3-3-1场效应管的主要参数 直流参数 极限参数 三、交流参数 3一3—2场效应管的低频小信号模型 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 3 3―2―3 N沟道耗尽型 MOSFET 3―2―4各种类型MOS管的符号及特性对比 3―3 场效应管的参数和小信号模型 3―3―1场效应管的主要参数 一、直流参数 二、极限参数 三、交流参数 3―3―2 场效应管的低频小信号模型
3-4场效应管放大器 3-4-—1场效应管偏置电路 图解法 二、解析法 3-4—2场效应管放大器分析 、共源放大器 二、共漏放大器 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 4 3―4 场效应管放大器 3―4―1 场效应管偏置电路 一、图解法 二、解析法 3―4―2 场效应管放大器分析 一、共源放大器 二、共漏放大器
第三章场效应管及其基本电路 (1)了解场效应管内部工作原理及性能特点。 (2)掌握场效应管的外部特性、主要参数。 (3)了解场效应管基本放大电路的组成、工作原 理及性能特点。 (4)掌握放大电路静态工作点和动态参数( A、R、R、Ucm)的分析方法。 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 5 第三章 场效应管及其基本电路 （1）了解场效应管内部工作原理及性能特点。 （2）掌握场效应管的外部特性、主要参数。 （3）了解场效应管基本放大电路的组成、工作原 理及性能特点。 （4）掌握放大电路静态工作点和动态参数（ A u、Ri、Ro、Uom ）的分析方法
双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子 的扩散运动形成电流。 场效应晶体管(场效应管)利用多数载流子的 漂移运动形成电流。 结型场效应管JFET (Junction FET 场效应管FET Field Effect Transistor)绝缘栅场效应管 IGFET (Insulated Gate FET 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 6 场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的 漂移运动形成电流。 场效应管FET (Field Effect Transistor) 结型场效应管JFET (Junction FET) 绝缘栅场效应管IGFET (Insulated Gate FET) 双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子 的扩散运动形成电流
3-1结型场效应管 3-1—1结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管的结构 Drain漏极 D Gate栅极 D箭头方向表示栅 G 源间PN结若加 型沟道 正向偏置电压时 实际 S栅极电流的实际 流向 s源极bs 流动方向 (a)N沟道JFET 结型场效应三极管的结构avi 图3—1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7 3―1 结型场效应管 3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理 N 型 沟 道 P P D G S D S G (a)N沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 Gate栅极 Source源极 Drain 漏极 箭头方向表示栅 源间PN结若加 正向偏置电压时 栅极电流的实际 流动方向 ID 实际 流向 结型场效应三极管的结构.avi 一、结型场效应管的结构
D D G 型沟道 N 实际 G 流向 S S (b)P沟道JFET 图3-1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8 P 型 沟 道 N N D G S D S G (b)P沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 ID 实际 流向
二、结型场效应管的工作原理 ip=f(u GSDS D N G (a)UGs=0,沟道最宽 图3-2栅源电压Us对沟道的控制作用示意图 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9 N D G S P P (a) UGS =0，沟道最宽 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 二、结型场效应管的工作原理 ( , ) D uGS uDS i = f
D 横向电场作用: 圈婴 lUas|↑→PN结耗尽层宽度↑ P →沟道宽度! GS (b)UGs负压增大,沟道变窄 图3-2栅源电压Us对沟道的控制作用示意图 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 10 (b) UGS负压增大，沟道变窄 D S P P UGS 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 横向电场作用： ︱UGS︱↑ ↑ →沟道宽度 → PN结耗尽层宽度 ↓
