第3章集成逻辑门电路 、逻辑门电路 二、数字集成电路的分类 本章内容 31分立元件门电路 极管“与门”电路 二、二极管“或门”电路 三、“非”门电路(反相器)
1 第3章 集成逻辑门电路 一、逻辑门电路 二、数字集成电路的分类 三、本章内容 3.1 分立元件门电路 一、二极管“与门”电路 二、二极管“或门”电路 三、“非”门电路（反相器）
3.2TTL门电路 、典型TTL与非门 二、改进型TTL与非门 、其它类型的TTL门电路 34CM0s门电路 一、CMS反相器 其它类型的cM0S电路
2 3.2 TTL门电路 一、 典型TTL与非门 二、 改进型TTL与非门 三、 其它类型的TTL门电路 3.4 CMOS门电路 一、CMOS反相器 二、其它类型的CMOS电路
第3章集成逻辑门电路 (1)掌握双极性晶体管和MOS管的开关特性和有 关参数。 (2)了解TTL、CMOS基本逻辑门的功能和主要 外部电气特性
3 第3章 集成逻辑门电路 （1）掌握双极性晶体管和MOS管的开关特性和有 关参数。 （2）了解TTL、CMOS基本逻辑门的功能和主要 外部电气特性
一、逻辑门电路 概念 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路 合 发展 数据信号Ⅰ O 3地位控制信号C
4 3.地位 一、逻辑门电路 1.概念 2.发展 I & C O 数据信号 控制信号 实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路
二、数字集成电路的分类 SSI MSI 1按集成度 LSI VLSI
5 二、数字集成电路的分类 1.按集成度 SSI MSI LSI VLSI
54/74 54/74H 54/74S TTL 54/74LS 双极型{ECL54/74ALS 54/74AS 54/74FAST 2按制造工艺 PMOS MOS型{NMOS(4000 CMOS 54/74HC/HCT Bi-CMOS型 74/54AC/ACT
6 74/54AC/ACT 2.按制造工艺 双极型 TTL ECL I 2L MOS型 PMOS NMOS CMOS 4000 54/74AS 54/74 54/74H 54/74S 54/74LS 54/74ALS 54/74HC/HCT 54/74FAST Bi-CMOS型
3.1分立元件门电路 、二极管“与门”电路 12V 3V 二极管为理想的 AB F 0ⅴ——逻辑0 二极管“与门”电路3V—逻辑1 结论:F=AB 7
7 3.1 分立元件门电路 结论：F=AB 一、二极管“与门”电路 二极管为理想的 0V 逻辑0 3V 逻辑1 3V 0 A B F 12V 二极管“与门”电路
二、二极管“或门”电路 3VA。 二极管为理想的 B F 0V——逻辑0 3V 逻辑1 极管“或门”电路 结论:F=A+B
8 结论：F=A+B 二、二极管“或门”电路 二极管“或门”电路 3V 0 A B F 二极管为理想的 0V 逻辑0 3V 逻辑1
三、“非”门电路(反相器) 1.三极管开关特性 (1)截止条件:e结反偏,c结反偏 (2)饱和条件:e结正偏,c结正偏; g≥lB=C=cc CES B BR 合 在数字电路中,只利用截止区(关态)和饱和区(开态) 3)三极管瞬时开关特性 ton(开启时间)、tm(关闭时间) ton、t限制了电路的最高工作速度
9 三、“非”门电路（反相器） 1.三极管开关特性 (1)截止条件：e结反偏，c结反偏 (2)饱和条件：e结正偏，c结正偏； 在数字电路中，只利用截止区（关态）和饱和区（开态） C CS CC CES B BS R I V U i I − = = ton、toff限制了电路的最高工作速度。 (3)三极管瞬时开关特性 ton（开启时间）、toff（关闭时间）
2.三极管反相器 (1)工作原理V(+2V)V(+3V 3.4V D 0.2v F(uo) R A(u1) 结论:P=A R 2 A F BB(-12V) (a)电路 (b)逻辑符号 图3.1.4三极管反相器电路 (2)负载能力 灌电流负载拉电流负载
10 2.三极管反相器 (1)工作原理 结论：P=A A 1 F （b）逻辑符号 R1 Vcc F (uO) (+12V) VD (+3V) -VBB (-12V) A (u1 ) iB iC RC D R2 3.4V 0.2V （a）电路 图3.1.4三极管反相器电路 (2)负载能力 灌电流负载 拉电流负载
