电子技术 di 第20章晶闸管及其应用 20.1晶闸管 20.2可控整流电路 20.3晶闸管的保护 20.4单结晶体管触发电路 205应用举例 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 第20章 晶闸管及其应用 20.1 晶闸管 20.2 可控整流电路 20.3 晶闸管的保护 20.4 单结晶体管触发电路 20.5 应用举例
电子技术 第20章晶闸管及其应用x ◆令令令令令争令令令令令争争令令令令令令令令令令争令令 本章要求 1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特 性和主要参数。 2.理解可控整流电路的工作原理、掌握电 压平均值与控制角的关系 3.了解单结晶体管及其触发电路的工作原 理 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 本章要求 1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特 性和主要参数。 2. 理解可控整流电路的工作原理、掌握电 压平均值与控制角的关系。 3. 了解单结晶体管及其触发电路的工作原 理。 第20章 晶闸管及其应用
电子技术 晶闸管 dianzI ( Silicon Controlled Rectifier 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性, 但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 优点: 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简 单、操作方便、寿命长、容量大(正向平均电流 达千安、正向耐压达数千伏) 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性， 但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简 单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流 达千安、正向耐压达数千伏）。 优点：
20.1晶闸管 电子技术 di 20.11基本结构 A阳极 晶闸管是具有三个PN 结的四层结构,其外形、 结构及符号如图 7P1 四 层 NI 半 结 导 …>P2 OG 控制极 ustin 体 N2 (a)外形(b)符号 ()结构占K阴极 晶闸管的外形、结构及符号 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 G 控制极 20.1 晶闸管 20.1.1 基本结构 K 阴极 G A 阳极 P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 晶闸管是具有三个PN 结的四层结构, 其外形、 结构及符号如图。 (c) 结构 K G A (a) 外形 (b) 符号 晶闸管的外形、结构及符号 三 个 PN 结
电子技术 di A P1 G G 2 N2 K K 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 P1 P2 N1 N2 K G A 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 + K A T2 T1 _ P2 N1 N2 IG IA P1 N1 P2 IK G P P N N N P A G K
电子技术 20.12工作原理 dianzI 形成正反馈过程 A B2 G BRic R C2 B,ig 三LB1 c1= C2 B2 G E A B1B2GG=IB2 EG 在极短时间内使两 个三极管均饱和导通, 此过程称触发导通。 EA>0、Ec>0 三日目剥返回上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 T1 T2 20.1.2 工作原理 A B2 G i = i C2 2 G B1 i = i = i 在极短时间内使两 个三极管均饱和导通， 此过程称触发导通。 C1 1 C2 i =β i 1 2 G B2 = i = i 形成正反馈过程 K G EA > 0、EG > 0 EG EA + _ R G i B2 i 1 2 G β β i 2 G β i
电子技术 2022工作原理 dianzI 形成正反馈过程 A B2 G BBiG R C2 B,ig 三LB1 c1= C2 B2 T E 2I B1B2GG=IB2 晶闸管导通后,去 掉EG,依靠正反馈, 仍可维持导通状态。 E> A 0、E G-0 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管导通后，去 掉EG ， 依靠正反馈， 仍可维持导通状态。 20.2.2 工作原理 G EA > 0、EG > 0 K EA + _ R T1 T2 G i B2 i G ββ i 1 2 G β i 2 E G A B2 G i = i C2 2 G B1 i = i = i C1 1 C2 i =β i 1 2 G B2 = i = i 形成正反馈过程
晶闸管导通的条件 电子技术 dianzI 1.晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向 电压。 2.晶闸管控制电路(控制极与阴极之间加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压) 晶闸管导通后,控制极便失去作用。依靠正反 馈,晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件: 1.必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应 不能维持。 2.将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压。 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向 电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向 电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反 馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应 不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极 间加反相电压
电子技术 2013伏安特性(I=∫(U)线) di F 正向平均电流 维持电流 G2G1 GO BR URRM FRMUBO U 反向转折电压 正向转折电压 反向特性 正向特性 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 反向特性 正向特性 URRM UFRM IG2 > IG1 > IG0 UBR IF UBO 正向转折电压 IH o U I IG0 IG1 IG2 + _ + 反向转折电压 _ 正向平均电流 维持电流 U 20.1.3 伏安特性 (I = f (U)曲线)
2014主要参数 电子技术 dianzI UPR:正向重复峰值电压(晶闸管耐压值) 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允 许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 般取U FRM 80%UB0 普通晶闸管UFRM为100V—3000V URRM:反向重复峰值电压 控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 一般取URRM=80%UB 普通晶闸管URw为100V-300V 临目章目剥返回止上一页下一页
总目录 章目录 返回 上一页 下一页 20.1.4 主要参数 UFRM: 正向重复峰值电压（晶闸管耐压值） 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允 许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V 反向重复峰值电压 控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 一般取 URRM = 80% UBR 普通晶闸管 URRM为100V—3000V URRM：
