腐泰山医学院 医学影像电子学 模拟题四 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型 半导体。() (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。() (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。() (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 () (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其RGs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGs大于零，则其输入电阻会明显变小。 () 解：(1)√ (2)X (3)√(4)X(5)/(6)X 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时，空间电荷区将 A变窄 B.基本不变C.变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 。 A.Iseu B.Iseul, C.s(e%- (3)稳压管的稳压区是其工作在 A.正向导通B.反向截止 C反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_一。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (5)UGs=OV时，能够工作在恒流区的场效应管有」 A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管 解：(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC
泰山医学院 医学影像电子学 - 1 - 模拟题四 一、判断 下列 说 法是 否 正确 ，用“√ ”和“×”表 示判 断 结果 填 入空 内。 （1）在 N 型 半导 体 中 如果 掺 入足 够 量的 三 价元 素 ，可 将 其改 型 为 P 型 半导体。（ ） （2）因为 N 型半 导体 的 多子 是 自由 电 子， 所 以它 带 负电 。（ ） （3）PN 结在无光照 、 无 外加 电 压时 ， 结电 流 为零 。（ ） （4）处于放大状 态的 晶 体管 ， 集电 极 电流 是 多 子漂 移 运动 形 成的 。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅- 源 电压应使栅 - 源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其 R G S 大 的特 点。（ ） （6）若 耗 尽型 N 沟 道 MOS 管 的 UG S 大 于 零 ，则 其 输入 电 阻会 明 显变 小。 （ ） 解 ：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5） √ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电 压 时 ，空 间 电荷 区 将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端 电 压 为 U，则 二 极管 的 电流 方 程是 。 A. I Se U B. U UT I eS C. (e 1) IS U UT－ （3）稳压管的稳压 区 是其 工 作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当 晶体 管 工作 在 放大 区 时， 发 射结 电 压 和集 电 结电 压 应为 。 A. 前者反偏、后者 也反 偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UG S＝0V 时， 能 够工 作 在恒 流 区的 场 效应 管 有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 解 ：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
然泰山医学院 医学影像电子学 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U=0.7V。 ♀ R UoI 2V- 本l 2v 2v2v 2V- 图T13 解：Uo1≈1.3V,Uo2=0,Uo3≈-1.3V,U04≈2V,Uo5≈1.3V, U06≈-2V. 四、己知稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值Izmn=5mA。求 图T1.4所示电路中Uo1和Uo2各为多少伏。 9+ D本 2,10v D本2km (a) 0 图T1.4 解：Uo1=6V,Uo2=5V。 2
泰山医学院 医学影像电子学 - 2 - 三、写出 图 T1. 3 所 示 各电 路 的输 出 电压 值，设 二极 管 导通 电 压 UD ＝0. 7V。 图 T1.3 解 ： UO 1≈1.3V，UO 2＝0，UO 3 ≈－ 1.3V，UO 4 ≈2 V，UO 5 ≈1.3 V， UO 6≈－2V。 四、 已 知稳 压 管的 稳 压值 UZ＝ 6V，稳 定 电流 的 最小 值 I Zmi n ＝5mA。求 图 T1.4 所示电路 中 UO 1 和 UO 2 各为 多 少伏 。 图 T1.4 解 ： UO 1＝6V，UO 2＝5V
霜泰山医学院 医学影像电子学 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率 PcM=200mW,试画出它的过损耗区。 ic/mA mA 10203040/N 0203040八 图T1.5 解图T1.5 解：根据PcM=200mW可得：UcE=40V时1c=5mA,UcE=30V时c ≈6.67mA,Uce=20V时Ic=10mA,Uce=10V时1c=20mA,将各点连接成 曲线，即为临界过损耗线，如解图T15所示。临界过损耗线的左边为过损耗 。 六、电路如图T1.6所示，Vcc=15V,B=100,UE=0.7V。试问： (1)R6=50kQ时，o=? (2)若T临界饱和，则R≈？ 解：(1)R=50kQ时，基极电流、集 电极电流和管压降分别为 1=e,=26uA I。=BI。=2.6mA Uc =Vcc-IcRc =2V 所以输出电压Uo=Uce=2V。 图T1.6 (2)设临界饱和时Uces=UBE=0.7V,所以 le-VoUas=2.86mA R R-V鱼-U454n .3
泰山医学院 医学影像电子学 - 3 - 五、 某 晶体 管 的 输出 特 性曲 线 如 图 T1.5 所 示 ，其 集 电极 最 大耗 散 功率 PCM＝200mW，试 画出 它 的过 损 耗区 。 图 T1.5 解 图 T1.5 解 ： 根据 PCM＝2 00m W 可得 ：UCE ＝40 V 时 I C＝5m A， UCE ＝3 0V 时 IC ≈6.6 7mA，UCE ＝20 V 时 I C＝10m A，UCE＝ 10 V 时 I C＝ 20m A， 将 各点 连 接成 曲线 ，即 为临 界 过损 耗 线 ，如 解 图 T1.5 所 示 。临 界 过损 耗 线的 左 边为 过 损耗 区。 六、电路如图 T1.6 所 示，V C C＝ 15V， β＝ 100，UBE ＝0.7 V。 试 问： （1）Rb＝50kΩ时，uO ＝ ？ （2）若 T 临界饱 和 ，则 Rb ≈ ？ 解 ：（1）Rb ＝50 kΩ 时， 基 极 电流 、 集 电极电流和管压降分别为 26 b BB BE B = − = R V U I μA 2V 2.6mA CE CC C C C B = − = = = U V I R I I 所以输出电压 UO＝ UCE ＝2 V。 图 T1.6 （2）设临界饱和 时 UCE S＝ UBE ＝0.7 V，所 以 − = = = = − = 45.4k 28.6 A 2.86mA B BB BE b C B c CC CES C I V U R I I R V U I
然泰山医学院 医学影像电子学 七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1,7所示， 它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电 阻区)，并填入表内。 表T1.7 管号csc,Ns/V UG/v Up/W工作状态 T 4 -5 1 3 T2 -4 3 3 10 T3 -4 6 0 解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型M0S管。根据 表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T17所示。 解表T1.7 管号UGs,NUs/N Uc/NUn/N工作状态 T 4 -5 1 3 恒流区 -4 3 3 10截止区 T -4 6 0 5可变电阻区 4
泰山医学院 医学影像电子学 - 4 - 七．测得 某 放大 电 路中 三 个 MOS 管 的三 个 电 极的 电 位如 表 T1. 7 所 示， 它们 的 开启 电 压也 在 表中 。试 分 析各 管 的工 作 状态(截 止区 、恒 流区 、可 变电 阻区），并填入表 内。 表 T1.7 管 号 UG S（ th）/V US/V UG/V UD /V 工作状态 T1 4 －5 1 3 T2 －4 3 3 10 T3 －4 6 0 5 解 ： 因为三 只 管子 均 有开 启 电压 ， 所以 它 们均 为 增 强型 MO S 管 。 根据 表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表 T1. 7 所示。 解 表 T1.7 管 号 UG S（ th）/V US/V UG/V UD /V 工作状态 T1 4 －5 1 3 恒流区 T2 －4 3 3 10 截止区 T3 －4 6 0 5 可变电阻区
