第四章电子显微分析1、透射电子显微分析（TEM）第一节电子与固体作用产生的信号p43-46第二节工作原理及构造*p136~p142第三节样品制备p145~148第四节基本成像操作及相衬度*p149~151第五节典型应用*及其他功能简介p155~161
1 第四章 电子显微分析 1、透射电子显微分析（TEM） 第一节 电子与固体作用产生的信号p43-46 第二节 工作原理及构造*p136~p142 第三节 样品制备p145~148 第四节 基本成像操作及相衬度*p149~151 第五节 典型应用*及其他功能简介p155~161
主要内容1*第一节电子束与材料的相互作用散射、电子与固体作用产生的信号#电子激发产生的其他现象(自学)、离子束与材料的相互作用(散射、溅射与二次离子)
2 主要内容 l *第一节 电子束与材料的相互作用 散射、电子与固体作用产生的信号# 、 电子激发产生的其他现象(自学)、离 子束与材料的相互作用（散射、溅 射与二次离子）
1.1、电子与固体作用产生的信号①1.电子与固体作用产生的信号①2.电子非弹性散射平均自由程和信息深度03.电子能谱3
3 1.1、电子与固体作用产生的信号 Ø1.电子与固体作用产生的信号 Ø2.电子非弹性散射平均自由程和信 息深度 Ø3.电子能谱
1．电子与固体作用产生的信号表面元素发射的总强度Ie背散射电子流X射线二次电子流IIk样品吸收电流透射电子流图3-3入射电子束与固体作用产生的发射现象
4 1. 电子与固体作用产生的信号 图3-3 入射电子束与固体作用产生的发射现象 背散射电子流 二次电子流 X射线 表面元素发射的总强度 透射电子流 样品吸收电流
I表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射电子流的比值（IJI）称为二次电子产额，用口表示。a&r8Ec:Ec2Eo二次申子产额与电子能量和入射角的普遍关系5
5 I S表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值（I S /I 0）称为二次电子产额，用 表示。 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
入射电子束AB(a)形貌衬度原理(b)CB(c)
6 形貌衬度原理
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粉体形貌观察(a) 300 X(b) 6000 X团聚体内部的一次粒子结构形态(b)一Al203团聚体(a)和1
8 粉体形貌观察 α—Al2O3团聚体(a)和 团聚体内部的一次粒子结构形态(b) (a) 300× (b) 6000×
I,表示电子激发诱导的X射线辐射强度①连续的X射线②特征X射线③X射线荧光（二次特征X射线）
9 IX表示电子激发诱导的X射线辐射强度 l ①连续的X射线 l ②特征X射线 l ③X射线荧光（二次特征X射线）
2. 电子非弹性散射平均自由程和信息深度」入射电子、二次电子和背散射电子在固体中传播时不断经受非弹性散射，相继两次非弹性散射之间电子所经过的平均路程称为电子非弹性散射平均自由程，用。表示。」与材料的组成、结构以及入射电子的能量有关。10
10 2. 电子非弹性散射平均自由程和信 息深度 l 入射电子、二次电子和背散射电子在 固体中传播时不断经受非弹性散射， 相继两次非弹性散射之间电子所经过 的平均路程称为电子非弹性散射平均 自由程，用 e表示。 l 与材料的组成、结构以及入射电子的 能量有关．