7.存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列7.1只读存储器7.2随机存取存储器7.3复杂可编程逻辑器件*7.4现场可编程门阵列*7.5用EDA技术和可编程器件的设计例题公
7. 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题
教学基本要求：·掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。了解存储器的存储单元的组成及工作原理了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程原理
教学基本要求： • 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基 本概念。 • 掌握RAM、ROM的工作原理及典型应用。 • 了解存储器的存储单元的组成及工作原理。 • 了解CPLD、FPGA的结构及实现逻辑功能的编程 原理
概述半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件存储器的主要性能指标存储数据量大存储容量大取快速度存储时间短可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户结构灵通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、活、处理速度快、可靠性高等优点
概 述 半导体存贮器能存放大量二值信息的半导体器件。 可编程逻辑器件是一种通用器件，其逻辑功能是由用户 通过对器件的编程来设定的。它具有集成度高、结构灵 活、处理速度快、可靠性高等优点。 存储器的主要性能指标 取快速度——存储时间短 存储数据量大——存储容量大
7.1只读存储器SRAM(StaticRAM):静态RAMRAM(Random-AccessMemory)DRAM(DnamicRAM)：动态RAM存储器固定ROMROMPROM(Read-OnlyMemory)EPROM可编程ROME2PROMRAM（随机存取存储器）：在运行状态可以随时进行读或写操作存储的数据必须有电源供应才能保存，一旦掉电，数据全部丢失ROM（只读存储器）：在正常工作状态只能读出信息。常数等）。断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、A公
存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 7.1 只读存储器
几个基本概念：字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字字的位数称为字长，字数：字的总量。字数-2"（n为存储器外部地址线的线数）地址：每个字的编号。存储容量（M）：存储二值信息的总量。存储容量（M）=字数×位数A6AsA7列地址译码器X行地址译码器A4中中中中中中中中中中中Xi中电电电电电中中中-A3A2A1X31Ao中中中中中中中中中中中中
几个基本概念： 存储容量（M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息多位二进制码称为一个字， 字的位数称为字长。 存储容量（M)＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） Y0 Y1 Y7 A4 X1 X31 X0 · · · · · · · · · · · · · · · 列 地 址 译 码 器 行 地 址 译 码 器 A5 A3 A2 A1 A0 A6 A7
7.1.1ROM的定义与基本结构只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。（Read-OnlyMemory）ROM的分类二极管ROM按存贮单元中三极管ROM器件划分MOS管ROM固定ROMPROM按写入情况划分可编程ROM-EPROME2PROMA人
只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以 称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM 按存贮单元中 器件划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构
7.1.1ROM的定义与基本结构存储矩阵地址译码器器介地址译码地址输入存储矩阵-输出控制电路输出控制电路控制信号输入具数据输出
存储矩阵 地 址 译 码 器 地 址 输 入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输 入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路
M=4x41）ROM（二极管PROM）结构示意图+5V位线--R-KERR存储矩阵K4又地址译码器4Y22线-4线字线译码器Y3输出控制电路2OED3D2DiDo
1）ROM（二极管PROM）结构示意图 D3 D2 D1 D0 +5V R R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 线-4 线 译码器 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=44 地址译码器
当OE-0时地址内容D2D大1X0AlAIY1001AoAo101Y2b2线-4线·字线与位线的交点都是一个Y3译码器存储单元。交点处有二极管YVYOE相当存1，无二极管相当存0D1D3D2Do当OE-1时输出为高阻状态
D3 D2 D1 D0 +5V R R R R OE A0 A1 A1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3 2 线-4 线 •字线与位线的交点都是一个 译码器 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时
两维译码7.1.2存储字线矩阵RYo4·字线与位线的A7A3线交点都是一个A6一A2E1616存储单元。AsA1位线线译A4码Y14器S·交点处有Y15MOS管相当存5550，无MOS管A3BsssIoIiI14115相当存1。A216线-1线数据选择器A1YAo该存储器的容量一？DoA
A 6 A 7 A 4 A 5 D 0 +V D D R R R R Y0 Y1 Y14 Y15 4线| 16线译码器 16 线-1线数据选择器 A 2 A 3 A 0 A1 A 2 A 3 A 0 A1 S 2 S 3 S 0 S1 I0 I1 I14 I15 Y ••• • • • • • • 字线 存储 矩阵 位线 •字线与位线的 交点都是一个 存储单元。 •交点处有 MOS管相当存 0，无MOS管 相当存 1 。 7.1.2 两维译码 该存储器的容量=?