世纪中科ZZKY-JCZ巨磁电阻效应及应用实验仪实验指导及操作说明书成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006网址；WWW.ZKY.CnE-mail:ZKY@ZKY.Cn2010-08-27
ZKY-JCZ 巨磁电阻效应及应用实验仪 实验指导及操作说明书 成 都 世 纪 中 科 仪 器 有 限 公 司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 网址；WWW.ZKY.Cn E-mail: ZKY@ZKY.Cn 2010-08-27
ZIy世纪中第2页巨磁电阻效应及其应用2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻（Giantmagnetoresistance，简称GMR)效应的发现者，法国物理学家阿尔贝·费尔（AlbertFert）和德国物理学家彼得·格伦贝格尔（PeterGrunberg）。诺贝尔奖委员会说明“这是一次好奇心导致的发现，但其随后的应用却是革命性的，因为它使计算机硬盘的容量从几百兆，几千兆，一跃而提高几百倍，达到几百G乃至上千G。”凝聚态物理研究原子，分子在构成物质时的微观结构，它们之间的相互作用力，及其与宏观物理性质之间的联系。人们早就知道过渡金属铁、钻、镍能够出现铁磁性有序状态。量子力学出现后，德国科学家海森伯（w.Heisenberg，1932年诺贝尔奖得主）明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程的，称为直接交换作用。后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态，即在有序排列的磁材料中，相邻原子因受负的交换作用，自旋为反平行排列，如图1所示。则磁矩虽处于有序状态，但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。这种磁有序状态称为反铁磁性。法国科十个个学家奈尔(L.E.F.Neel)因为系统地研究反铁磁性而获1970年诺贝尔奖。在解释反铁磁性时认图1反铁磁有序为，化合物中的氧离子（或其他非金属离子)作为中介，将最近的磁性原子的磁矩耦合起来，这是间接交换作用。另外，在稀土金属中也出现了磁有序，其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层。相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径，所以稀土金属中的传导电子担当了中介，将相邻的稀土原子磁矩耦合起来，这就是RKKY型间接交换作用。直接交换作用的特征长度为0.1一0.3nm，间接交换作用可以长达1nm以上。1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度。1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念，所谓的超晶格就是指由两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。由于这种复合材料的周期长度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长，因此取得“超晶格”的名称。上世纪八十年代，由于摆脱了以往难以制作高质量的纳米尺度样品的限制，金属超晶格成为研究前沿，凝聚态物理工作者对这类人工材料的磁有序，层间耦合，电子输运等进行了广泛的基础方面的研究。德国尤利希科研中心的物理学家彼得·格伦贝格尔一直致力于研究铁磁性金属薄膜表面和界面上的磁有序状态。研究对象是一个三明治结构的薄膜，两层厚度约10nm的铁层之间夹有厚度为1nm的铬层。选择这个材料系统并不是偶然的，首先金属铁和铬是周期表上相近的元素，具有类似的电子壳层，容易实现两者的电子状态匹配，其次，金属铁和铬的晶格对称性和晶格常数相同，它们之间晶格结构也是匹配的，这两类匹配非常有利于基本物理过程的探索。但是，很长时间以来制成的三明治薄膜都是多晶体，格伦贝格尔和很多研究者一样，并没有特别的发现。直到1986年，他采用了分子束外延（MBE)方法制备薄膜，样品成分还是铁-铬-铁三层膜，不过已经是结构完整的单晶。在此金属三层膜上利用光散射以获得铁磁矩的信息，实验中遂步减小薄膜上的外磁场，直到取消外磁场。他们发现，在铬层厚度为0.8nm的铁-铬-铁三明治中，两边的两个铁磁层磁矩从彼此平行（较强磁场下）转变为反平行（弱磁场下）。换言之，对于非铁磁层铬的某个特定厚度，没有外磁场时，两边铁磁层磁矩是反平行的，这个新现象成为巨磁电阻效应出现的前提。既然磁场可以将三明治两个铁磁层磁矩在彼此平行与反平行之间转换，相应的物理性质会有什么变化？格伦贝格尔接下来发现，两个磁矩反平行时对应高电阻状态，平行时对应低电阻状态，两个电阻的差别高达10%。格伦贝格尔将结果写成论文，与此同时，他申请了将这种效应和材料应用于硬盘磁头的专利。当时的申请需要一定的胆识，因为铁一铬一铁三明治上出现巨磁电阻效应所需磁场高达上千高斯，远高于硬盘上磁比特单元能够提供的磁场，但日后不断改进的结构和材料，使这个设想成为现实。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第2页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 巨磁电阻效应及其应用 2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻( Giant magneto resistance,简称GMR)效应的发现 者，法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )。诺贝尔奖委员会说明:“这是一次好奇心导致的发现，但其随后的应用却是革命性的， 因为它使计算机硬盘的容量从几百兆，几千兆，一跃而提高几百倍，达到几百G乃至上千G。” 凝聚态物理研究原子，分子在构成物质时的微观结构，它们之间的相互作用力，及其与宏观 物理性质之间的联系。 人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。量子力学出现后，德国科学家 海森伯(W. Heisenberg，1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之 间的量子力学交换作用，这个交换作用是短程的，称为直接交换作用。 后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化 合物具有反铁磁有序状态，即在有序排列的磁 材料中，相邻原子因受负的交换作用，自旋 为反平行排列，如图1所示。则磁矩虽处于有 序状态，但总的净磁矩在不受外场作用时仍 为零。这种磁有序状态称为反铁磁性。法国科 学家奈尔(L. E. F. Neel)因为系统地研究反铁 磁性而获1970年诺贝尔奖。在解释反铁磁性时认 为，化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为 中介，将最近的磁性原子的磁矩耦合起来，这是间接交换作用。另外，在稀土金属中也出现了磁 有序，其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层。相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径，所以 稀土金属中的传导电子担当了中介，将相邻的稀土原子磁矩耦合起来，这就是RKKY型间接交换作 用。 直接交换作用的特征长度为 0.1—0.3nm，间接交换作用可以长达 1nm 以上。1nm 已经是实验 室中人工微结构材料可以实现的尺度。1970 年美国 IBM 实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概 念．所谓的超晶格就是指由两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度 d 极小的薄层材 料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。由于这种复合材料的周期长度比各薄膜单晶的 晶格常数大几倍或更长，因此取得“超晶格”的名称。上世纪八十年代，由于摆脱了以往难以制 作高质量的纳米尺度样品的限制，金属超晶格成为研究前沿，凝聚态物理工作者对这类人工材料 的磁有序，层间耦合，电子输运等进行了广泛的基础方面的研究。 德国尤利希科研中心的物理学家彼得·格伦贝格尔一直致力于研究铁磁性金属薄膜表面和界 面上的磁有序状态。研究对象是一个三明治结构的薄膜，两层厚度约10nm的铁层之间夹有厚度为 1nm的铬层。选择这个材料系统并不是偶然的，首先金属铁和铬是周期表上相近的元素，具有类似 的电子壳层，容易实现两者的电子状态匹配，其次，金属铁和铬的晶格对称性和晶格常数相同， 它们之间晶格结构也是匹配的，这两类匹配非常有利于基本物理过程的探索。但是，很长时间以 来制成的三明治薄膜都是多晶体，格伦贝格尔和很多研究者一样，并没有特别的发现。直到1986 年，他采用了分子束外延(MBE)方法制备薄膜，样品成分还是铁-铬-铁三层膜,不过已经是结构完 整的单晶。在此金属三层膜上利用光散射以获得铁磁矩的信息，实验中逐步减小薄膜上的外磁场， 直到取消外磁场。他们发现，在铬层厚度为0.8nm的铁-铬-铁三明治中，两边的两个铁磁层磁矩从 彼此平行(较强磁场下)转变为反平行(弱磁场下)。换言之，对于非铁磁层铬的某个特定厚度，没 有外磁场时，两边铁磁层磁矩是反平行的，这个新现象成为巨磁电阻效应出现的前提。既然磁场 可以将三明治两个铁磁层磁矩在彼此平行与反平行之间转换，相应的物理性质会有什么变化？格 伦贝格尔接下来发现，两个磁矩反平行时对应高电阻状态，平行时对应低电阻状态，两个电阻的 差别高达10%。格伦贝格尔将结果写成论文，与此同时，他申请了将这种效应和材料应用于硬盘磁 头的专利。当时的申请需要一定的胆识，因为铁-铬-铁三明治上出现巨磁电阻效应所需磁场高达 上千高斯，远高于硬盘上磁比特单元能够提供的磁场，但日后不断改进的结构和材料，使这个设 想成为现实
世纪中彩科ZC第3页另一方面，1988年巴黎十一大学固体物理实验室物理学家阿尔贝·费尔的小组将铁、铬薄膜交替制成几十个周期的铁-铬超晶格，也称为月他们发现，当改变磁场强度时，超晶格薄膜的电阻下降近一半，即磁电阻比个前所未有的电阻巨大变化现象为巨磁电阻，并用两电流模型以被看成是若于个格伦贝格尔三明治的重叠，所以物理现象。人们自然要问，在其？IBM公司的斯图尔特·帕金S.P.Parki-铬超晶格，还有钴-钉和钴一铬超晶格也具有格的磁电阻值振荡下降。在随后的儿年，阳金和层膜中，找到了20种左右具有巨磁电阻振荡现象的不首先，他的结果为寻找更多的GMR材料开辟了广阔空间盘的GMR材料，1997年制成了GMR磁头。其次，帕金采用较普通的磁控制备薄膜，自前这已经成为工业生产多层膜的标准，磁控溅射技术克服间的障碍。使巨磁电阻成为基础研究快速转换为商业应用的国际典范。同时，应也被认为是纳米技术的首次真正应用。诺贝尔奖委员会还指出：“发现打开了一扇通向新技术世界的大门一自旋电电阳效应的子学，这里，将同时利用电子的电荷以及自旋这两个特性。GMR作为自旋电子学的开端具有深远的科学意义。传统的电子学是以电子的电荷移动为基础的，电子自旋往往被忽略了。巨磁电阻效应表明，电子自旋对于电流的影响非常强烈，电子的电荷与自旋两者都可能载运信息。自旋电子学的研究和发展，引发了电子技术与信息技术的一场新的革命。目前电脑，音乐播放器等各类数码电子产品中所装备的硬盘磁头，基本上都应用了巨磁电阻效应。利用巨磁电阻效应制成的多种传感器，已广泛应用于各种测量和控制领域。除利用铁磁膜-金属膜-铁磁膜的GMR效应外，由两层铁磁膜夹一极薄的绝缘膜或半导体膜构成的隧穿磁阻（TMR）效应，已显示出比GMR效应更高的灵敏度。除在多层膜结构中发现GMR效应，并已实现产业化外，在单晶，多晶等多种形态的钙钛矿结构的稀土锰酸盐中，以及一些磁性半导体中，都发现了巨磁电阻效应。本实验介绍多层膜GMG效应的原理，并通过实验让学生了解几种GMR传感器的结构，特性，及应用领域。实验目的1、了解GMR效应的原理2、测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线3、测量GMR的磁阻特性曲线4、：测量GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线5、用GMR传感器测量电流6、用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理7、通过实验了解磁记录与读出的原理实验原理根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生碰撞（义称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小，则平均自由程长，电阻率低。电阻定律R=pl/S中，把电阻率p视为常数，与材料的几何尺度无关，这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程约34nm）可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的现象。电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早在1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两类自旋电流之和；总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。在图2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第3页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 另一方面，1988年巴黎十一大学固体物理实验室物理学家阿尔贝·费尔的小组将铁、铬薄膜 交替制成几十个周期的铁-铬超晶格，也称为周期性多层膜。他们发现，当改变磁场强度时，超晶 格薄膜的电阻下降近一半，即磁电阻比率达到50%。他们称这个前所未有的电阻巨大变化现象为巨 磁电阻，并用两电流模型解释这种物理现象。 显然,周期性多层膜可以被看成是若干个格伦贝格 尔三明治的重叠，所以德国和法国的两个独立发现实际上是同一个物理现象。 人们自然要问，在其它过渡金属中，这个奇特的现象是否也存在？IBM公司的斯图尔特·帕金 ( S. P. Parkin ) 给出了肯定的回答。1990年他首次报道，除了铁-铬超晶格，还有钴-钌和钴- 铬超晶格也具有巨磁电阻效应。并且随着非磁层厚度增加，上述超晶格的磁电阻值振荡下降。在 随后的几年，帕金和世界范围的科学家在过渡金属超晶格和金属多层膜中，找到了20种左右具有 巨磁电阻振荡现象的不同体系。帕金的发现在技术层面上特别重要。首先，他的结果为寻找更多 的GMR材料开辟了广阔空间，最后人们的确找到了适合硬盘的GMR材料，1997年制成了GMR磁头。其 次，帕金采用较普通的磁控溅射技术，代替精密的MBE方法制备薄膜，目前这已经成为工业生产多 层膜的标准，磁控溅射技术克服了物理发现与产业化之间的障碍。使巨磁电阻成为基础研究快速 转换为商业应用的国际典范。同时，巨磁电阻效应也被认为是纳米技术的首次真正应用。 诺贝尔奖委员会还指出:“巨磁电阻效应的发现打开了一扇通向新技术世界的大门—自旋电 子学，这里，将同时利用电子的电荷以及自旋这两个特性。” GMR作为自旋电子学的开端具有深远的科学意义。传统的电子学是以电子的电荷移动为基础 的，电子自旋往往被忽略了。巨磁电阻效应表明，电子自旋对于电流的影响非常强烈，电子的电 荷与自旋两者都可能载运信息。自旋电子学的研究和发展，引发了电子技术与信息技术的一场新 的革命。目前电脑，音乐播放器等各类数码电子产品中所装备的硬盘磁头，基本上都应用了巨磁 电阻效应。利用巨磁电阻效应制成的多种传感器，已广泛应用于各种测量和控制领域。除利用铁 磁膜-金属膜-铁磁膜的GMR效应外，由两层铁磁膜夹一极薄的绝缘膜或半导体膜构成的隧穿磁阻 (TMR)效应，已显示出比GMR效应更高的灵敏度。除在多层膜结构中发现GMR效应，并已实现产业化 外，在单晶，多晶等多种形态的钙钛矿结构的稀土锰酸盐中，以及一些磁性半导体中，都发现了 巨磁电阻效应。 本实验介绍多层膜 GMG效应的原理，并通过实验让学生了解几种GMR传感器的结构，特性，及 应用领域。 实验目的 1、 了解GMR效应的原理 2、 测量GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线 3、 测量GMR的磁阻特性曲线 4、 测量GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线 5、 用GMR传感器测量电流 6、 用GMR梯度传感器测量齿轮的角位移，了解GMR转速（速度）传感器的原理 7、 通过实验了解磁记录与读出的原理 实验原理 根据导电的微观机理，电子在导电时并不是沿电场直线前进，而是不断和晶格中的原子产生 碰撞（又称散射），每次散射后电子都会改变运动方向，总的运动是电场对电子的定向加速与这 种无规散射运动的叠加。称电子在两次散射之间走过的平均路程为平均自由程，电子散射几率小， 则平均自由程长，电阻率低。电阻定律 R=l/S中，把电阻率视为常数，与材料的几何尺度无关， 这是因为通常材料的几何尺度远大于电子的平均自由程（例如铜中电子的平均自由程约34nm）， 可以忽略边界效应。当材料的几何尺度小到纳米量级，只有几个原子的厚度时（例如，铜原子的 直径约为0.3nm），电子在边界上的散射几率大大增加，可以明显观察到厚度减小，电阻率增加的 现象。 电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。早 在1936年，英国物理学家，诺贝尔奖获得者N.F.Mott指出，在过渡金属中，自旋磁矩与材料的磁 场方向平行的电子，所受散射几率远小于自旋磁矩与材料的磁场方向反平行的电子。总电流是两 类自旋电流之和;总电阻是两类自旋电流的并联电阻，这就是所谓的两电流模型。 在图2所示的多层膜结构中，无外磁场时，上下两层磁性材料是反平行（反铁磁）耦合的
世纪中科Z第4页施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。5100电5000阻4900欧4600姆470046004500440043004200-500-250250SOCO磁场强度/高斯图3某种GMR材料的磁阻特性无外磁场时顶层磁场方向顶层铁磁膜中间导电层底层铁磁膜无外磁场时底层磁场方向图2多层膜GMR结构图图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进入磁饱和区域。磁阻变化率AR/R达百分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特性。有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行一反平行，或反平行一平行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几率在上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。多层膜GMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感器方面得到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构的GMR。如图4所示。地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院成都世纪中科仪器有限公司邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第4页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 施加足够强的外磁场后，两层铁磁膜的方向都与外磁场方向一致，外磁场使两层铁磁膜从反平行 耦合变成了平行耦合。电流的方向在多数应用中是平行于膜面的。 无外磁场时顶层磁场方向 顶层铁磁膜 中间导电层 底层铁磁膜 无外磁场时底层磁场方向 图 2 多层膜 GMR 结构图 图3是图2结构的某种GMR材料的磁阻特性。由图可见，随着外磁场增大，电阻逐渐减小，其 间有一段线性区域。当外磁场已使两铁磁膜完全平行耦合后，继续加大磁场，电阻不再减小，进 入磁饱和区域。磁阻变化率 ΔR/R 达百分之十几，加反向磁场时磁阻特性是对称的。注意到图2 中的曲线有两条，分别对应增大磁场和减小磁场时的磁阻特性，这是因为铁磁材料都具有磁滞特 性。 有两类与自旋相关的散射对巨磁电阻效应有贡献。 其一，界面上的散射。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋 状态如何，从一层铁磁膜进入另一层铁磁膜时都面临状态改变（平行－反平行，或反平行－平 行），电子在界面上的散射几率很大，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场 方向一致，电子在界面上的散射几率很小，对应于低电阻状态。 其二，铁磁膜内的散射。即使电流方向平行于膜面，由于无规散射，电子也有一定的几率在 上下两层铁磁膜之间穿行。无外磁场时，上下两层铁磁膜的磁场方向相反，无论电子的初始自旋 状态如何，在穿行过程中都会经历散射几率小（平行）和散射几率大（反平行）两种过程，两类 自旋电流的并联电阻相似两个中等阻值的电阻的并联，对应于高电阻状态。有外磁场时，上下两 层铁磁膜的磁场方向一致，自旋平行的电子散射几率小，自旋反平行的电子散射几率大，两类自 旋电流的并联电阻相似一个小电阻与一个大电阻的并联，对应于低电阻状态。 多层膜GMR结构简单，工作可靠，磁阻随外磁场线性变化的范围大，在制作模拟传感器方面得 到广泛应用。在数字记录与读出领域，为进一步提高灵敏度，发展了自旋阀结构的GMR。如图4所 示。 图 3 某种 GMR 材料的磁阻特性 磁场强度 / 高斯 电 阻\ 欧 姆
世纪中科第5页自旋阀结构的SV-GMR(SpinvalveGMR)由钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成。其中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形成一个偏转场，此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变。自由层使用软铁磁材料，它的磁化方向易于随外磁场转动。这样，很弱的外磁场就会改变自由层与被钉扎层磁场的相对取向，对应于很高的灵敏度。制造时，使自由层的初始磁化方向与被钉自由层扎层垂直，磁记录材料的磁化方向与被钉扎层的方向相中间导电层同或相反（对应于0或1），当感应到磁记录材料的磁场被钉扎层时，自由层的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同（低钉扎层电阻）或相反（高电阻）的方向偏转，检测出电阻的变化，就可确定记录材料所记录的信息，硬盘所用的GMR磁头就采用这种结构。图4自旋阀SV-GMR结构图实验仪器实验仪ZICYHZIY-JCL 巨磁电阻效应及应用实验仪费区域1电流表电压输入区域2电压表监测量程L2A区域3200mA恒流调节恒流监测型流输出巨磁电配供电电络供电成都世纪中科仪器有限公司图5巨磁阻实验仪操作面板图5所示为巨磁阻实验仪系统的实验仪前面板图。区域1-一电流表部分：做为一个独立的电流表使用。两个档位：2mA档和200mA档，可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。区域2-一电压表部分：做为一个独立的电压表使用。两个档位：2V档和200mV档，可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 5 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 自旋阀结构的SV-GMR(Spin valve GMR)由钉扎层，被钉扎层，中间导电层和自由层构成。其 中，钉扎层使用反铁磁材料，被钉扎层使用硬铁磁材料，铁磁和反铁磁材料在交换耦合作用下形 成一个偏转场，此偏转场将被钉扎层的磁化方向固定，不随外磁场改变。自由层使用软铁磁材料， 它的磁化方向易于随外磁场转动。这样，很弱的外磁场 就会改变自由层与被钉扎层磁场的相对取向，对应于很 高的灵敏度。制造时，使自由层的初始磁化方向与被钉 扎层垂直，磁记录材料的磁化方向与被钉扎层的方向相 同或相反（对应于0或1），当感应到磁记录材料的磁场 时，自由层的磁化方向就向与被钉扎层磁化方向相同（低 电阻）或相反（高电阻）的方向偏转，检测出电阻的变 化，就可确定记录材料所记录的信息，硬盘所用的GMR磁 头就采用这种结构。 实验仪器 实验仪 图5 巨磁阻实验仪操作面板 图 5 所示为巨磁阻实验仪系统的实验仪前面板图。 区域 1——电流表部分：做为一个独立的电流表使用。 两个档位：2mA 档和 200mA 档，可通过电流量程切换开关选择合适的电流档位测量电流。 区域 2——电压表部分：做为一个独立的电压表使用。 两个档位：2V 档和 200mV 档，可通过电压量程切换开关选择合适的电压档位。 图 4 自旋阀 SV-GMR 结构图 自由层 中间导电层 被钉扎层 钉扎层 区域 1 区域 2 区域 3
世纪中科ZIC第6页区域3一一恒流源部分：可变恒流源。实验仪还提供GMR传感器工作所需的4V电源和运算放大器工作所需的+8V电源。基本特性组件O低联电阳件联线管电注购巨租电瓶线圈密度：24000距/米二州生时部ZIRY-JPZ-S1基本特性组件图6基本特性组件基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成。用以对GMR的磁电转换特性，磁阻特性进行测量。GMR传感器置于螺线管的中央。螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场，由理论分析可知，无限长直螺线管内部轴线上任一点的磁感应强度为：(1)B=μonl式中n为线圈密度，I为流经线圈的电流强度，μ。=4元×10-7H/m为真空中的磁导率。采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉=10000高斯）。电流测量组件Cr特测电流线巨道电用供ZIV-JCZ-S3电流测量组件图7电流测量组件电流测量组件将导线置于GMR模拟传感器近旁，用GMR传感器测量导线通过不同大小电流时导线周围的磁场变化，就可确定电流大小。与一般测量电流需将电流表接入电路相比，这种非接触测量不干扰原电路的工作，具有特殊的优点。角位移测量组件成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 6 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 区域3——恒流源部分：可变恒流源。 实验仪还提供GMR传感器工作所需的4V电源和运算放大器工作所需的±8V电源。 基本特性组件 图6 基本特性组件 基本特性组件由GMR模拟传感器，螺线管线圈及比较电路，输入输出插孔组成。用以对GMR的 磁电转换特性，磁阻特性进行测量。 GMR传感器置于螺线管的中央。 螺线管用于在实验过程中产生大小可计算的磁场，由理论分析可知，无限长直螺线管内部轴 线上任一点的磁感应强度为： B = μ0nI （1） 式中 n 为线圈密度，I 为流经线圈的电流强度， 4 10 H / m 7 0 − = 为真空中的磁导率。 采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1 特斯拉＝10000 高斯）。 电流测量组件 图 7 电流测量组件 电流测量组件将导线置于GMR模拟传感器近旁，用GMR传感器测量导线通过不同大小电流时导 线周围的磁场变化，就可确定电流大小。与一般测量电流需将电流表接入电路相比，这种非接触 测量不干扰原电路的工作，具有特殊的优点。 角位移测量组件
世纪中科ZQ第7页18010:0150140招号编处ZIY-JCZ-S4角位移测量组件图8角位移测量组件角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件，铁磁性齿轮转动时，齿牙干扰了梯度传感器上偏置磁场的分布，使梯度传感器输出发生变化，每转过一齿，就输出类似正弦波一个周期的波形。利用该原理可以测量角位移（转速，速度）。汽车上的转速与速度测量仪就是利用该原理制成的。磁读写组件.读组件写组件ZKY-JCZ-S2磁读写组件图9磁读写组件磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理。磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据，通过读磁头时将写入的数据读出来。实验内容与步骤一、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量在将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构，图10是某型号传感器的结构。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 7 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 图8 角位移测量组件 角位移测量组件用巨磁阻梯度传感器作传感元件，铁磁性齿轮转动时，齿牙干扰了梯度传感 器上偏置磁场的分布，使梯度传感器输出发生变化，每转过一齿，就输出类似正弦波一个周期的 波形。利用该原理可以测量角位移（转速，速度）。汽车上的转速与速度测量仪 就是利用该原理 制成的。 磁读写组件 图9 磁读写组件 磁读写组件用于演示磁记录与读出的原理。磁卡做记录介质，磁卡通过写磁头时可写入数据， 通过读磁头时将写入的数据读出来。 实验内容与步骤 一、GMR模拟传感器的磁电转换特性测量 在将GMR构成传感器时，为了消除温度变化等环境因素对输出的影响，一般采用桥式结构，图 10是某型号传感器的结构
世纪中科ZIC第8页输入十R2RR4输出输出十2ER2R输入磁通聚集器a几何结构b电路连接图10GMR模拟传感器结构图对于电桥结构，如果4个GMR电阻对磁场的响应完全同步，就不会有信号输出。图10中，将处在电桥对角位置的两个电阻Rs、R，覆盖一层高导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它输出V们的影响，而Ri、R2阻值随外磁场改变。设无外磁场时4个GMR电阻的阻值均为R，R、R，在外磁0.25场作用下电阻减小△R，简单分析表明，输出电n压：(2)Uour=UIn△R/(2R-△R)0.15屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空间，进0一步提高了Ri、R2的磁灵敏度。从图10的几何结构还可见，巨磁电阻被光0.05刻成微米宽度迁回状的电阻条，以增大其电阻磁感应强度/高斯至kQ数量级，使其在较小工作电流下得到合适-101o2030-200的电压输出。图11GMR模拟传感器的磁电转换特性图11是某GMR模拟传感器的磁电转换特性曲线。图12是磁电转换特性的测量原理图。螺线管qqqq8qqq8qqqqqqqo可调电流源R4三4VR1R2R3000000008000000图12模拟传感器磁电转换特性实验原理图实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的4伏电压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模拟信号输出”接至实验仪电压表。按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。电流至一100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。理论上讲，外磁场为零时，GMR传感器的输出应为零，但由于半导体工艺的限制，4个桥臂电阻值不一定完全相同，导致外磁场为零时输出不一定为零，在有的传感器中可以观察到这一现象。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 8 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 图 10 GMR 模拟传感器结构图 R2 R1 R3 R4 输出－ 输出＋ 输入＋ 输入－ a 几何结构 b 电路连接 磁通聚集器 对于电桥结构，如果4个GMR电阻对磁场的响应完全同步，就不会有信号输出。图10中，将处 在电桥对角位置的两个电阻R3、R4 覆盖一层高 导磁率的材料如坡莫合金，以屏蔽外磁场对它 们的影响，而R1、R2 阻值随外磁场改变。设无外 磁场时4个GMR电阻的阻值均为R，R1、R2 在外磁 场作用下电阻减小ΔR，简单分析表明，输出电 压： UOUT = UINΔR/（2R-ΔR） （2） 屏蔽层同时设计为磁通聚集器，它的高导 磁率将磁力线聚集在R1、R2电阻所在的空间,进 一步提高了R1、R2 的磁灵敏度。 从图10的几何结构还可见，巨磁电阻被光 刻成微米宽度迂回状的电阻条，以增大其电阻 至kΩ数量级，使其在较小工作电流下得到合适 的电压输出。 图11是某GMR模拟传感器的磁电转换特性 曲线。图12是磁电转换特性的测量原理图。 图12 模拟传感器磁电转换特性实验原理图 实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。 将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“传感器测量”。实验仪的4伏电 压源接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”，基本特性组件“模 拟信号输出”接至实验仪电压表。 按表1数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的输出电压于表格“减小磁场”列 中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。 再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。 电流至－100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下 到上记录数据于“增大磁场”列中。 理论上讲，外磁场为零时，GMR传感器的输出应为零，但由于半导体工艺的限制，4个桥臂电 阻值不一定完全相同，导致外磁场为零时输出不一定为零，在有的传感器中可以观察到这一现象。 图 11 GMR 模拟传感器的磁电转换特性 输出/V 磁感应强度/高斯 －30 －20 －10 0 10 20 30
世纪中科Z第9页表1GMR模拟传感器磁电转换特性的测量电桥电压4V磁感应强度/高斯输出电压/mV励磁电流/mA磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场10090807060504030201050-5-10-2030-40-50-60-7080-90-100根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。以磁感应强度B作横座标，电压表的读数为纵座标作出磁电转换特性曲线。不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性，同一外磁场强度下输出电压的差值反映了材料的磁滞特性。GMR磁阻特性测量二、螺线营1Q0000008可调电流源A2R4R1 R2R3至4V1图13磁阻特性测量原理图为加深对巨磁电阻效应的理解，我们对构成GMR模拟传感器的磁阻进行测量。将基本特性组件的功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”，此时被磁屏蔽的两个电桥电阻R.R被短路，而RR并联。将电流表串连进电路中，测量不同磁场时回路中电流的大小，就可计算磁阻。测量原理如图13所示。实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”实验仪的4伏电压源串连电流表后接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”按表2数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 9 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 表1 GMR模拟传感器磁电转换特性的测量 电桥电压4V 磁感应强度/高斯 输出电压/mV 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 减小磁场 增大磁场 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 5 0 －5 －10 －20 －30 －40 －50 －60 －70 －80 －90 －100 根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。 以磁感应强度B作横座标，电压表的读数为纵座标作出磁电转换特性曲线。 不同外磁场强度时输出电压的变化反映了GMR传感器的磁电转换特性，同一外磁场强度下输 出电压的差值反映了材料的磁滞特性。 二、GMR磁阻特性测量 为加深对巨磁电 阻效应的理解，我们对构成 GMR模拟传感器的磁阻进行测量。将基本特性组件的功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”，此时被 磁屏蔽的两个电桥电阻R3,R4被短路，而R1,R2并联。将电流表串连进电路中，测量不同磁场时回路 中电流的大小，就可计算磁阻。测量原理如图13所示。 实验装置：巨磁阻实验仪，基本特性组件。 将GMR模拟传感器置于螺线管磁场中，功能切换按钮切换为“巨磁阻测量”实验仪的4伏电压 源串连电流表后接至基本特性组件“巨磁电阻供电”，恒流源接至“螺线管电流输入”。 按表2数据，调节励磁电流，逐渐减小磁场强度，记录相应的磁阻电流于表格“减小磁场”列 中。由于恒流源本身不能提供负向电流，当电流减至0后，交换恒流输出接线的极性，使电流反向。 再次增大电流，此时流经螺线管的电流与磁感应强度的方向为负，从上到下记录相应的输出电压。 图 13 磁阻特性测量原理图
世纪中科ZC第10页电流至一100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下到上记录数据于“增大磁场”列中。GMR磁阻特性的测量表2磁阻两端电压4V磁阻/Q磁感应强度/高斯减小磁场增大磁场励磁电流/mA磁感应强度/高斯磁阻电流/mA磁阻/Q2磁阻电流/mA磁阻/Q10090807060504030201050-5-10-20-30-40-50-60-70-80-90-100根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。由欧姆定律R=U/I计算磁阻。以磁感应强度B作横座标，磁阻为纵座标作出磁阻特性曲线。应该注意，由于模拟传感器的两个磁阻是位于磁通聚集器中，与图3相比，我们作出的磁阻曲线斜率大了约10倍，磁通聚集器结构使磁阻灵敏度大大提高。不同外磁场强度时磁阻的变化反映了GMR的磁阻特性，同一外磁场强度下磁阻的差值反映了材料的磁滞特性。三、GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量将GMR模拟传感器与比较电路，晶体管放大电路集成在一起，就构成GMR开关（数字）传感器，结构如图14所示。比较电路的功能是，当电桥电压低于比较电压时，输出低电平。当电桥电压高于比较电压时，输出高电平。选择适当的GMR电桥并结合调节比较电压，可调节开关传感器开关点对应的磁场强度。成都世纪中科仪器有限公司地址：成都市人民南路四段9号中科院成都分院邮编：610041电话：（028）8524700685243932传真：（028）85247006
第 10 页 成都世纪中科仪器有限公司 地址：成都市人民南路四段 9 号中科院成都分院 邮编：610041 电话：（028）85247006 85243932 传真：（028）85247006 电流至－100mA后，逐渐减小负向电流，电流到0时同样需要交换恒流输出接线的极性。从下 到上记录数据于“增大磁场”列中。 表2 GMR磁阻特性的测量 磁阻两端电压4V 磁感应强度/高斯 磁阻/Ω 减小磁场 增大磁场 励磁电流/mA 磁感应强度/高斯 磁阻电流/mA 磁阻/Ω 磁阻电流/mA 磁阻/Ω 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 5 0 －5 －10 －20 －30 －40 －50 －60 －70 －80 －90 －100 根据螺线管上标明的线圈密度，由公式（1）计算出螺线管内的磁感应强度B。 由欧姆定律 R=U/I 计算磁阻。 以磁感应强度B作横座标，磁阻为纵座标作出磁阻特性曲线。应该注意，由于模拟传感器的两 个磁阻是位于磁通聚集器中，与图3相比，我们作出的磁阻曲线斜率大了约10倍，磁通聚集器结构 使磁阻灵敏度大大提高。 不同外磁场强度时磁阻的变化反映了GMR的磁阻特性，同一外磁场强度下磁阻的差值反映了 材料的磁滞特性。 三、 GMR开关（数字）传感器的磁电转换特性曲线测量 将GMR模拟传感器与比较电路，晶体管放大电路集成在一起，就构成GMR开关（数字）传感器， 结构如图14所示。 比较电路的功能是，当电桥电压低于比较电压时，输出低电平。当电桥电压高于比较电压时， 输出高电平。选 择适当的GMR电桥并结合调节比较电压，可调节开关传感器开关点对应的磁场强 度