1．电位器控制 这是分压式信号衰减器。音量电位器控制的优点是电路简单，成本低廉，采 用优质电位器，完全可以保证其使用寿命。但是，因音频信号通过音量电位器， 所以会带来插入损耗和信号干扰，在使用日久后，电位器内的碳膜电阻会出现过 度磨损，表面积有碳粉或灰尘，轻者会使调音量时扬声器发出”喀喀”噪声，重 者会造成在电位器某个音量位置时，音量失控

分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善

采用共沉淀法制备了Ni(OH)2前驱体材料，通过高温固相法制备了LiNiO2和B掺杂LiNiO2（B的摩尔分数为1%），利用X射线衍射（XRD）、里特维尔德（Rietveld）精修、扫描电子显微镜（SEM）、恒流充放电测试、循环伏安（CV）和电化学阻抗谱（EIS）对材料的晶体结构、表面形貌和电化学性能进行了系统性表征.XRD和Rietveld精修结果表明，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均具有良好的层状结构，B因为占据在过渡金属层和锂层的四面体间隙位而导致掺杂后略微增大材料的晶格参数和晶胞体积，同时增大了LiO6八面体的间距，进而促进锂离子运输.由于掺杂的B的摩尔分数仅为1%，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均表现为直径10 μm左右的多晶二次颗粒，且一次颗粒晶粒尺寸没有明显区别.长循环数据表明B掺杂可以有效提高材料的循环容量保持率，经100次循环后，B掺杂样品在40 mA·g−1电流下的容量保持率为77.5%，优于未掺杂样品（相同条件下容量保持率为66.6%）.微分容量曲线和EIS分析表明B掺杂可以有效抑制循环过程中的阻抗增长

第四章VBA编程 序言 4.1宏 4.2控件与用户窗体 4.3对象、属性、方法和事件 4.4VBA语法基础 4.5过程 4.6流程控制语句 4.7VBA应用程序的优化 4.8信息及代码的保护 4.9应用举例

第六章自然资源的可持续利用 第一节自然资源分类 可耗竭资源假定在任何对人类有意义的时间范围内,资源质量保持不变,资源蕴藏量不再增加的资源称为可耗竭资源。耗竭既可看作是一个过程,也可以看作是一种状态

脉冲化学镀是指在化学镀上叠加脉冲电流。本文研究了脉冲电参数(脉冲电流密度与工作比)对镀层的成分、性能和沉积速度的影响。研究结果表明,采用脉冲化学镀可在保持化学镀镍磷合金性能的同时,使沉积速度加快数倍,并发现脉冲电流对自催化的化学沉积镍过程起促进作用

针对标准无迹卡尔曼滤波(Unscented Kalman filter, UKF) 算法本身存在着因状态误差协方差矩阵无法实现Cholesky分解而导致滤波发散的隐患，以及在电池状态估计过程中由离线标定的电池等效模型参数而造成的累积误差的问题，本文发展了一种平方根无迹卡尔曼滤波(Square-root unscented Kalman filter, SR-UKF)算法，并设计了一种电池状态联合估计策略。首先快速SR-UKF算法通过对观测方程进行准线性化处理，降低了每次无迹变换时的计算开销；然后在迭代过程中，用状态误差协方差矩阵的平方根代替状态误差协方差矩阵，该平方根是由QR分解与 Cholesky因子的一阶更新得到，解决了UKF 算法迭代过程中可能由计算累积误差引起状态误差协方差矩阵负定而导致滤波结果发散的问题，保证了电池荷电状态(State of charge，SOC)在线滚动估计的数值稳定性；最后采用联合估计策略，对电池等效模型参数进行实时辨识，保证了电池等效模型的准确性与有效性，从而提高了电池SOC的估计精度。仿真对比结果验证了快速SR-UKF算法以及电池状态联合估计策略的可行性与鲁棒性

通过Jominy试验模拟含B低合金超厚钢板的淬火过程,测得不同淬火工艺下实验钢的硬度分布曲线,并借助光学显微镜、俄歇电子能谱等技术手段对低冷速条件下实验钢的显微组织及B晶界偏聚进行了观察和分析.发现在温度不高于920℃条件下,提高淬火温度或适当延长保温时间可显著改善超厚板的淬透性,且在此条件下合适的两次循环淬火可以获得更为理想的淬透性.温度高于920℃后,单次淬火或两次循环淬火均不利于实验钢的淬透性能的改善

一、厂房和环境 一方面利用空气高效过滤器的高效除尘杀菌作用， 把0.3以上的微粒除去99.97%以上，使进入生产 区的空气净化，同时驱除或带走生产过程中产生 的微粒。 另一方面，利用送、回风量的调节，保持室内外 压差：正压，切断外界微粒渗入；负压，防止工 艺粉尘扩散

微处理器—集成计算机中央处理器（ C P U）的所有组件在一个硅芯片上—诞生于1 9 7 1 年。它的产生有一个很好的开端：第一个微处理器是 Intel 4004，其中有2 3 0 0个晶体管。今天， 差不多3 0年过去了，为家用计算机所制造的微处理器中将近有 10 000 000个晶体管。 微处理器实际的作用基本上保持不变