作业指导书 搬运、贮存作业指导书 适用范围: 玻璃、各类罩面板、石材、油漆、墙纸、龙骨等材料的场内二次搬运和贮存 施工准备: 1.现场勘察,根据楼层承重情况确定材料堆放的数量,同时兼顾存贮地的选择与各工种在此 处的作业不会产生相互影响 2.编制材料计划,依照施工进度合理、适量进料,避免造成材料的积压。 3.搬运通道清理畅通,保证整个工作面的照明要求:各类材料相对集中,分类贮存,标注材 质,材料库封闭保管

现代电子封装迫切需要开发新型高导热陶瓷（玻璃）基复合材料.本文在对镀钛金刚石进行镀铜和控制氧化的基础上，利用放电等离子烧结方法制备了金刚石增强玻璃基复合材料，并观察了其微观形貌和界面结合情况，测定了复合材料的热导率和热膨胀系数.实验结果表明：复合材料微观组织均匀，Ti/金刚石界面是复合材料中结合最弱的界面，复合材料的热导率随着金刚石粒径和含量的增大而增加，而热膨胀系数随着金刚石含量的增加而降低.当金刚石粒径为100 μm、体积分数为70%时，复合材料热导率最高达到了40.2 W·m-1·K-1，热膨胀系数为3.3×10-6K-1，满足电子封装材料的要求

同步充填留矿法因柔性隔离层的存在,其散体矿岩流动规律突破传统放矿理论的描述范围,因此开展柔性隔离层下单漏斗散体矿岩流动规律研究对于丰富放矿学理论具有重要意义.基于相似原理建立物理试验模型,以标记颗粒刻画出放出体和松动体形态,采用高清摄像机记录试验基础数据.基于试验数据,对柔性隔离层下单漏斗放矿放出体、松动体、空腔等演化规律进行分析.最高层位矿石未放出前,放出体呈完整封闭的近似椭球体形态;放出后,放出体呈现为陀螺体.最高层位矿石产生沉降前,松动体为完整封闭的近似椭球体形态;产生沉降后,松动体形态整体上呈喇叭状,喇叭状松动体上部为指数曲线,下部为近似部分椭球体.空腔在最高层位矿石产生沉降瞬间开始形成;隔离层边界与矿石层边界相切于空腔边界,切角随着隔离层下降深度的增大而增大,至散体自然安息角后保持不变,切点位置随着隔离层下沉由中间逐渐向两侧发展至放矿终止

关于数的加、减、乘、除等运算的性质通常称为数的代数性质代数所研究的问题主要涉及数的代数性质,这方面的大部分性质是有理数、实数、复数的 全体所共有的。 定义1设P是由一些复数组成的集合,其中包括0与1.如果P中任意两个数的和、差、积、商(除数不为零)仍然是中的数,那么P就称为一个数域显然全体有理数组成的集合、全体实数组成的集合、全体复数组成的集合都是数域这三个数域分别用字母Q、R、C来代表全体整数组成的集合就不是数域如果数的集合P中任意两个数作某一种运算的结果都仍在P中,就说数集 P对这个运算是封闭的因此数域的定义也可以说成,如果一个包含0,1在内的数集P对于加法、减法、乘法与除法(除数不为零)是封闭的,那么P就称为一个数域

采用粉末注射成形-无压熔渗相结合技术制备出了电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料.重点研究了SiC粒径、体积分数以及粒径大小等颗粒特性对所制备复合材料热物理性能的影响规律.研究结果表明,SiCp/Al复合材料的热导率随SiC粒径的增大和体积分数的增加而增加;SiC粒径的大小对复合材料的热膨胀系数(CTE)没有显著的影响,而其体积分数对CTE的影响较大.CTE随着SiC颗粒体积分数的增加而减小,CTE实验值与基于Turner模型的预测值比较接近.通过对不同粒径的SiC粉末进行级配,可以实现体积分数在53%~68%、CTE(20~100℃)在7.8×10-6~5.4×10-6K-1、热导率在140~190W·m·K-1范围内变化

在给定了一个测度空间以后,由定义在这个空间上的一个函数可以自然地产生出各 种各样的集.为用测度论的方法研究这个函数我们自然要求这些集是可测的.由此产生 了可测函数的概念在定义积分时候,对被积函数的一个基本要求就是这个函数必须是可 测的我们将看到可测函数是一类很广泛的函数.特别地,欧氏空间R上的 Lebesgue可 测函数是比连续函数更广泛的一类函数.而且可测函数类对极限运算是封闭的,这将使我 们在讨论积分的时候更加便利

采用Thermo-Calc热力学计算软件,对T122铁素体耐热钢钒含量变化对平衡析出相及A3、A4点的影响进行了研究.结果表明,T122钢的主要平衡析出相为M23C6、MX和Laves相.当钒质量分数在0.15%以下时,将析出极少量的Z相,且其随着钒含量的增加析出量呈直线下降;当钒质量分数在0.28%以上时,将析出两种不同的MX相,随着钒含量的增加MN相的比例下降,而M(C,N)相的比例增加.钒含量的变化对M23C6和Laves相的影响甚小.钒作为封闭奥氏体元素,增加钒含量,铁素体与奥氏体的转变区域将变小

第一节 概述 第二节 配合物的稳定常数 第三节 副反应系数和条件稳定常数 一、副反应及副反应系数 二、条件稳定常数 （一）配位剂Y的副反应和副反应系数 （二）金属离子M的副反应和副反应系数 （三）配合物MY的副反应系数 第四节 金属离子指示剂 一、金属离子指示剂及特点 二、指示剂配位原理 三、指示剂应具备的条件 四、指示剂的封闭、僵化现象及消除方法 五、常用金属离子指示剂 第五节 配位滴定的基本原理 一、配位滴定曲线 二、化学计量点时金属离子浓度的计算 三、配位滴定曲线与酸碱滴定曲线比较 四、影响配位滴定突跃大小的两个因素 五、指示剂变色点金属离子浓度的计算 六、滴定终点误差计算（林邦误差公式） 第六节 滴定条件的选择 一、单一离子测定的滴定条件 1. 准确滴定的判定式 2. 滴定的适宜酸度范围 3. 滴定的最佳酸度 4. 缓冲溶液的作用 二、提高混合离子配位滴定的选择性 1. 控制酸度分步滴定 2. 使用掩蔽剂选择性滴定 第七节 标准溶液及配位滴定的主要方式 一、标准溶液的配制和标定 二、配位滴定的主要方式

第一节 概述 第二节 配合物的稳定常数 第三节 副反应系数和条件稳定常数 一、副反应及副反应系数 二、条件稳定常数 （一）配位剂Y的副反应和副反应系数 （二）金属离子M的副反应和副反应系数 （三）配合物MY的副反应系数 第四节 金属离子指示剂 一、金属离子指示剂及特点 二、指示剂配位原理 三、指示剂应具备的条件 四、指示剂的封闭、僵化现象及消除方法 五、常用金属离子指示剂 第五节 配位滴定的基本原理 一、配位滴定曲线 二、化学计量点时金属离子浓度的计算 三、配位滴定曲线与酸碱滴定曲线比较 四、影响配位滴定突跃大小的两个因素 五、指示剂变色点金属离子浓度的计算 六、滴定终点误差计算（林邦误差公式） 第六节 滴定条件的选择 一、单一离子测定的滴定条件 1. 准确滴定的判定式 2. 滴定的适宜酸度范围 3. 滴定的最佳酸度 4. 缓冲溶液的作用 二、提高混合离子配位滴定的选择性 1. 控制酸度分步滴定 2. 使用掩蔽剂选择性滴定 第七节 标准溶液及配位滴定的主要方式 一、标准溶液的配制和标定 二、配位滴定的主要方式

学科基础课程 《大学物理 I》课程教学大纲. 1 《大学物理实验Ⅰ》课程教学大纲. 17 《大学物理 II》课程教学大纲. 29 《大学物理实验Ⅱ》课程教学大纲. 45 专业核心课程 《电路分析》课程教学大纲. 56 《电路分析实验》课程教学大纲. 69 《模拟电子技术》课程教学大纲. 80 《模拟电子技术实验》课程教学大纲. 97 《数字电子技术》课程教学大纲. 109 《数字电子技术实验》课程教学大纲. 121 《固体物理基础》课程教学大纲. 132 《半导体物理与器件》课程教学大纲. 144 《单片机原理及应用》课程教学大纲. 157 《单片机原理及应用实验》课程教学大纲. 175 《光电子技术》课程教学大纲. 188 《电磁场与电磁波》课程教学大纲. 202 《印制电路原理与工艺》课程教学大纲. 216 《印制电路原理与工艺实验》课程教学大纲. 236 《微电子封装技术》课程教学大纲. 243 《电子装联实验》课程教学大纲. 254 《集成电路原理与设计》课程教学大纲. 263 专业选修课程 《Altium Designer 原理图与 PCB 设计》课程教学大纲 . 277 《MATLAB 语言》课程教学大纲. 284 《CAM 工程设计》课程教学大纲 . 297 《传感器与检测技术》课程教学大纲. 305 《应用电化学》课程教学大纲. 323 《试验设计方法》课程教学大纲. 338 《电子工艺化学原理》课程教学大纲. 351 《电子电镀技术》课程教学大纲. 364 《电子测量原理》课程教学大纲. 378 《专业英语》课程教学大纲. 389 《材料分析方法》课程教学大纲. 402 《印制电路先进技术》课程教学大纲. 418 《印制电路检测技术》课程教学大纲. 436 《失效分析》课程教学大纲. 446 《文献检索与科技论文写作》课程教学大纲. 458 《企业管理》课程教学大纲. 470 集中实践教学课程 《认知实习》课程教学大纲. 483 《金工实习》课程教学大纲. 490 《电子工艺实习》课程教学大纲. 501 《基础电路综合设计》课程教学大纲. 509 《单片机课程设计》课程教学大纲. 517 《印制电路综合实践》课程教学大纲. 527 《毕业实习》课程教学大纲. 535 《毕业论文（设计）》课程教学大纲. 544