从Lorents固态电子理论出发,导出一能隙的近似计算公式,表明固体的电子态和晶体结构决定了固体的能隙。对碱土金属复卤化物的能隙进行了计算,结果合理。同时考虑电负性差和原子间距,对传统化学键离子性进行了修正。计算结果和理论分析都表明,修正后的离子性能更合理地表征化合物的化学键性质

采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡层为α-SiC,在较低沉积温度范围(580-290)℃过渡层则由α-SiC和SiO2所构成。对界面层中α-SiC和SiO2的晶体结构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论

高水速凝固化胶结充填材料在养护至60d左右时,开始出现风化现象,到90d时较严重。风化原因是空气中的二氧化碳侵蚀充填材料中的钙矾石晶体以及材料中含有的自由重力水的逸出等造成的。保持恒温恒湿的环境条件是防止这种充填材料风化的可行途径之一

在氮化镓中添加其他元素,有可能使其宽禁带变窄,从而提高其作为光催化剂的光利用效率.在1123K的氮化温度下,用氧化镓(Ga2O3)和氧化锌(ZnO)粉末与流动的NH3反应900min制备出黄色的氮化镓与氧化锌的固溶体Ga1-xZnxNO.探讨了制备工艺对所得粉体的影响,通过X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)以及紫外可见吸收光谱(UV-Vis)研究Ga1-xZnxNO的晶体结构和光学性能.所得Ga1-xZnxNO的粉末呈六角纤锌矿结构,紫外可见吸收光谱表明该物质的吸收峰位于可见光范围内

用X射线衍射及氧含量分析法测定了Sm1+xBa2-xCu3Oy固溶区域为0 ≤ x ≤ 0.4。当x<0.25时,Sm1+xBa2-xCu3Oy属正交晶系;x=0.25时,发生从正交到四方的相变;在整个固溶区域内,Tc随x的增加而下降,直至淬灭。同时探讨了Sm1+xBa2-xCu3Oy化合物在不同的淬火温度、氧含量与晶体结构、超导电性的关系

采用水热法系统研究了基底预处理(基底铺膜、不铺膜吹氮气处理和盐酸浸泡处理等)方式对于制备ZnO微/纳米管阵列的影响;结合ZnO晶体的微观结构,探讨了基底特征与ZnO微/纳米管阵列生长的内在联系.结果表明,采用高纯氮气和盐酸浸泡预处理基底均能制备得到ZnO微/纳米管阵列,并且这两种预处理方法制备出的纳米管在尺寸、形貌和分布上有所不同.ZnO微/纳米管成管机理研究表明,ZnO顶部锌终端对于生长微/纳米管起着决定性作用

探讨以镍渣为主要原料采用熔融法制备建筑用微晶玻璃.研究引入Cr2O3作为晶核剂的镍渣微晶玻璃的成核及晶化过程.利用DSC测试来确定基础玻璃的晶化温度,并利用修正的Johnson-Mehl-Avrami(J/VIA)方法初步计算以镍渣为主要原料所制备的基础玻璃在加入质量分数2%的Cr2O3作为晶核剂后的结晶活化能E及结晶动力学参数k(Tp),计算结果分别为E=371.1kJ·mol-1,结晶动力学参数k(Tp)=0.29.采用XRD、SEM和光学显微镜测试、分析及观察方法来鉴定、分析微晶玻璃试样的主晶相及微观结构.结果显示,加入晶核剂的基础玻璃从930℃开始均匀地析出透辉石相晶体;随着温度的升高,晶体尺寸也逐渐增大,在温度达到950℃后,对样品进行30min保温热处理,样品中晶体尺寸达到10~15μm

分别用硼砂和氯化铵、硼砂和尿素为原料,在950℃下合成出2种结晶度相近、平均颗粒度分别为5.6×10-6和1.42×10-6m的hBN.在高温高压条件下,使用锂系催化剂,由前1种hBN合成的cBN为黄色透明体,由后一种hBN合成的cBN大部分为黑色半透明体,并且在cBN晶体表面上观察到生长台阶.以硼氢化钾和氯化铵为原料合成出的hBN为无定形态,平均颗粒度为12.43×10-6m,使用锂系催化剂,该hBN未能合成出cBN.探讨了cBN的形成机制

在类合金(NH4Cl-H2O溶液)定向凝固晶体生长实验装置上,利用?30μm煤粉作示踪粒子,再现糊状区内微通道流以及通道出口处的流体流动,并测算了各处流体的瞬时速率.分析认为:凝固初期,糊状区内固相体积分数较大,内部流体流动受阻;随着固相体积分数减少,糊状区孔隙率增大,流体充分发展;当平均固相体积分数降至0.42,接近最小值0.38时,当量雷诺数达到临界值(247),糊状区内形成微通道;随着通道宽度逐渐扩大,液相区内热流体进入微通道.微通道内稀冷液体向上流,浓热液体向下流,促使通道内溶液再结晶

利用多元晶体中原子择优占位MBW模型和原子间相互作用势,从原子层次对合金元素Fe,Ti在CaCu5结构的Y-Co合金中的择优占位进行了计算研究.计算结果表明,Fe和Ti择优占据3g位置,与实验结果符合