第1章 绪论 1-1 本课程的研究对象和目的 1-2 投影的方法 第2章 点和直线 2-1 两投影面体系中点的投影 2-2 三投影面体系中点的投影 2-3 两点的相对位置 2-4 直线的投影 2-6 两直线的相对位置 2-5 属于直线上的点 2-7 直角投影定理 第3章 平面 §3-1 平面的表示法 §3-2 各种位置平面的投影特性 §3-3 属于平面的点和直线

2．1 引言 2．2 早期发展 2．3 傅里叶处理器 2．4 线性系统与卷积 2．5 空间滤波 2．6 照相图像的恢复 2．7 全息术 2．8 傅里叶变换全息图 2．9 相关和卷积 2．10 结论

在实验室中使用高温管式炉对以工业纯铁为原料配制的帘线钢进行脱氧和顶渣熔炼,研究了顶渣成分对MnO-Al2O3-SiO2类夹杂物的成分的影响。结果表明,在顶渣碱度为0.7~1.36时,随着顶渣中Al2O3含量的增加,夹杂物中的Al2O3含量也随之增加。当顶渣中Al2O3含量低于8%时,MnO-Al2O3-SiO2类夹杂物的成分在塑性区范围。通过控制脱氧条件和顶渣的成分可以把MnO-Al2O3-SiO2类夹杂物的成分控制在塑性区内的

探索了一种采用转炉由高碳铬铁\一步法\冶炼中低碳铬铁的新工艺.该工艺与氩氧混吹脱碳法(Argon Oxygen Decarburization,AOD)类似,不同之处在于用CO2代替氩气作为搅拌气体吹入熔池.实验结果表明:采用CO2对高、中碳铬铁脱碳是可行的;在高碳铬铁冶炼中碳铬铁初始阶段大量喷吹CO2能取得更好的脱碳效果,而在冶炼后期,高比例的O2适量添加CO2则更有利于脱碳,在当前实验条件下,较佳的脱碳气氛为25% CO2+75% O2(体积分数);CO2的引入对提高铬的回收率有积极作用,同时CO2含量越高,保铬效果越好.实验同时发现,CO2对高碳铬铁脱硫有积极作用

利用下列组装的固体电解质定氧电池:Mo|Mo,MoO2‖ZrO2(MgO)‖[Nb],NbO2|Mo+ZrO2金属陶瓷,Mo对Fe-Nb熔体中Nb的活度在三个温度下(1823、1853及1873K)进行研究。在净化的氩气气氛下,将固态NbO2细粉撒布在含铌铁液之上,以取得[Nb]与[O]的反应迅速达到平衡。有时不加任何固体料,使熔体中形成的脱氧产物自己上浮,此脱氧产物热力学证明是NbO2。对测定的a0实验数据进行加工处理,求出下列结果:1.脱氧反应的自由能[Nb]+[O]=NbO2(s); △G°=-89710+28.27T2.Nb在铁液中的溶解自由能Nb(s)=[Nb]%; △G=-32090+7.9T; γ$\\mathop 1\\limits^{\\rm{^\\circ }} $873=1.60Nb(l)=[Nb]%; △G°=-38520+10.24T;γ$\\mathop 1\\limits^{\\rm{^\\circ }} $873=0.923.Nb本身的活度相互作用系数${\\rm{e}}_{{\\rm{Nb}}}^{{\\rm{Nb}}} = \\frac{{2274}}{{\\rm{T}}} - 1.44$1873K的${\\rm{e}}_{{\\rm{Nb}}}^{{\\rm{Nb}}} = - 0.22$当（Nb）含量大约低于0.2时，脱氧产物和其他合金元素如Al、Cr、V等相似，形成了复合氧化物如FeO·NbO2。后者的生成自由能估计为：Fe(1)+$\\frac{3}{2}$O2+Nb(s)=FeO·NbO2(s);△G°=-383800+121.95T随着熔体中(Nb)含量的继续下降，对生成其他脱氧产物的可能性，本文也进行了讨论

第一章 概述 1．1 SOPC 的概念 1．2 SOPC 系统设计流程 1．3 SOPC 系统开发环境 1．4 本书中的系统配置 第二章 SOPC 系统构架 2． 1 系统模块框图 2． 2 Nios CPU 2． 3 Avalon 总线 2． 4 外设 IP 模块 第三章 系统硬件开发 3．1 硬件开发流程 3．2 创建 Quartus II 工程 3．3 创建 Nios 系统模块 3．4 编译设计（Compilation） 3．5 编程（Programming） 3．6 下载设计到 Flash 存储器 第四章 系统软件开发 4．1 软件开发流程 4．2 软件开发环境 4．3 文件系统 4．4 软件开发工具 4．5 可配置的处理器硬件属性 4．6 Nios SDK 4．7 软件开发应用 4．8 使用.hexout 4．9 其它的开发板通信和调试方法 4．10 Nios SDK Shell 提示信息 4．11 在 Nios 系统中实现中断服务程序（ISR） 4．12 用户自定义指令 第五章 系统模拟与调试 5．1 软件配置 5．2 模拟设置 5．3 ModelSim 模拟 5．4 模拟结果分析 5．5 增加/删除波形图信号 5．6 片外存储器模拟 5．7 调试 第六章 系统设计实例 6．1 建立硬件需求 6．2 创建一个基本的 Nios 设计 6．3 GDB 调试 6．4 添加用户外设 6．5 RTL 仿真 6．6 Flash 编程 6．7 用户指令和 DMA 6．8 MP3 播放器 附录 1：Nios 嵌入式处理器 32 位指令集 附录 2：Nios 嵌入式处理器开发板－APEX 20K200E 附录 3：Nios 嵌入式处理器开发板－Cyclone_1C20 附录 4：Nios 嵌入式处理器开发板－Stratix_1S10 附录 5：Nios 嵌入式处理器开发板－Stratix_1S40

2-1概述 2-2轴力和轴力图 2-3截面上的应力 2-4材料拉伸时的力学性质 2-5材料压缩时的力学性质 2-6拉压杆的强度条件 2-7拉压杆的变形胡克定律 2-8拉、压超静定问题 2-9装配应力和温度应力 2-10拉伸、压缩时的应变能

在实验室条件下,自制了MgS与TiS2两种硫化物,组成MgS—2%TiS2'wt)并经过高温烧结处理。用MgS—2%TiS2固体电解质组成硫浓差电池:Mo[[S]Fe][MgS-2%TiS2（wt）]Mo,MoS2]Mo于1375℃无保护气氛条件下进行了铁液定硫的试验。所测电势E与化学分析的[%S]关系为log[%S]=-0.3694-0.0077E（mV）（[%S]:0.013～0.134）。于1375℃下还测试了Cu-Cu2S系的硫位。推算出表征固体电解质电子电导率大小的特征硫分压Pc’对MgS—2%TiS2来讲为6×10-4pa。引入pe’和硫活度系数fs对E—[%S]关系进行了修正

1.计算(x2+ax-b)(x2-1)+(x2-ax+b)(x2+1) 解:2x4-2ax+ 2.计算多项式x3+2x2+3x-1与3x2+2x+4的乘积 解:3x5+8x4+17x3+11x2+10x-4

§2-1 轴向拉伸与压缩的概念和实例 §2-2 轴向拉伸或压缩时横截面上的内力和应力 §2—3 直杆轴向拉伸或压缩时斜截面上的应力 §2-4 材料在拉伸时的力学性能 §2—5 材料在压缩时的力学性能 §2-6 失效、安全因数和强度条件 §2-8 轴向拉伸或压缩时的变形 §2—9轴向拉伸和压缩的应变能 §2.10 拉伸、压缩超静定问题 §2—11 温度应力和装配应力 §2-13 剪切和挤压的实用计算