一、光电效应实验的规律 (1)实验装置 光照射至金属表面,电子从金属表面逸出,称其为光电子。 (2)实验规律

1.半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密一一狄拉克统计。在金属中,电子填充空带的部分形 成导带,相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体,在热平衡下,导带中有从施主能级激发到导带中的电子,价带中还有少量的空穴

一、磁场对晶体中的电子的作用(自由电子模型)

理想的半导体材料是没有缺陷或没有杂质,半导体中的载流子只能是激发到导带中的电子和价带中的空穴

1.恒定磁场中的准经典运动

从理想表面模型出发,研究考察晶体表面对电子能量本征态的影响

1. 周期结构中波的传播 电子波 声波 光波 2. 一维光子晶体总有禁带 3. 电子晶体和光子晶体比较

1. 绝热近似Æ多电子Schoedinger方程 2. Hartree-Fock方程(Hartree, 1958, Fock, 1960) 3. 密度泛函理论(1964，W. Kohn)

1. 定量计算比热 2. Sommerfeld积分 3. 费米能级 4. 电子气总能量 5. 金属电导率 6. Pauli顺磁性

二、原子能级的量子数 主量子数n:表示电子离核的远近程度或电子层数,是决 定电子能量的主要参数。n=1,2,.,用K,L,M.表示; 角量子数l:表示电子的亚层能级,描述电子轨道。l=0,1,2, n-1,用s,p,d,f表示; 磁量子数m:决定电子轨道在空间的方向,m=±1,2,…,± ,共(2+1)个,表示口并度; 自旋量子数m:取+1/2和-1/2,分别表示二种自旋方向