北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程教学课件（英文版）第一章 线性电路分析基础 第一节 线性电路分析导论 第二节 常见电路元件及约束方程（1/2）

以KOH为改性剂,利用渣碱共熔反应对攀钢含钛电炉熔分渣进行改性处理,成功地将炉渣中Ti元素从原来的重钛酸镁选择性地富集到偏钛酸钾中,同时渣中镁铝尖晶石和镁橄榄石转化为易溶于水的铝酸盐和硅酸盐.采用X射线衍射技术研究了共熔反应中煅烧温度、渣碱比(含钛电炉熔分渣的质量与KOH质量之比)、保温时间等对Ti元素迁移富集和镁铝尖晶石转化的影响.当渣碱比为1∶2.1、煅烧温度700℃及保温时间1 h时,生成的偏钛酸钾衍射峰达到最强,镁铝尖晶石的衍射峰最弱,有效地实现了Ti元素的选择性富集及镁铝尖晶石的物相转化.实验证实了较高K/Ti比(K2O与TiO2的摩尔比)是生成偏钛酸钾的主要原因.以最佳碱熔条件下得到的共熔渣为原料,经过后续处理,在850℃的条件下合成了六钛酸钾纳米晶须

研究了一种通过水热碱法-酸液回流-煅烧，从含钛电炉熔分渣中分离提取、制备纳米结构六钛酸钾晶须材料的新方法.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射、X射线荧光光谱等表征手段，详细探讨了煅烧过程中钛钾摩尔比、煅烧温度、保温时间和水浸对最终产物物相和微观形貌的影响.含钛电炉熔分渣在水热温度为200℃，水热反应时间为24 h，碱液浓度达12 mol·L-1时，经酸液回流后所得偏钛酸呈一维单晶纳米棒状结构.随着钛钾摩尔比从1.50增加至1.75，煅烧温度从800℃升高到1100℃，保温时间从0.5h延长至7h，制备得到的六钛酸钾晶须的纯度、结晶性及长径比逐渐提高.当钛钾摩尔比为1.75，煅烧温度为1100℃，保温5 h，水浸2 h后可制备得到尺寸均一的六钛酸钾纳米晶须

7-6正弦稳态电路的功率 7-7三相电路 7-8非正弦周期电路的稳态分析

北京大学：《电路分析原理 Circuit Analysis》课程教学资源（课件讲稿）第一章 线性电路的复数解法 §1-1 电路分析导论 §1-2 电路常用元件（1/2）

11.1 单相整流电路 11.2 滤波电路 11.3 倍压整流(简介) 11.4 稳压电路 11.5 集成稳压电路 11.6 开关稳压电路(简介)

5.1 运算放大器的电路模型 5.2 比例电路的分析 5.3

第一章电路基本概念 1-1实际电路和电路模型 1-2电路分析的变量 1-3电路元件 1-4基尔霍夫定律

8.1 换路定律 8.2 一阶电路的暂态分析 8.3 一阶电路的阶跃响应 8.4 二阶电路的零输入响应

一、求下列电路中的未知电压向量或电流向量 R=10