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1.确定下列函数的自然定义域: (1)u=ln(y-x)+1-x2-y2 (2)u=++ (3)u=R2-x2-y2-z2+x2+y2+z2-r2(>r);
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在实验室条件下,自制了MgS与TiS2两种硫化物,组成MgS—2%TiS2'wt)并经过高温烧结处理。用MgS—2%TiS2固体电解质组成硫浓差电池:Mo[[S]Fe][MgS-2%TiS2(wt)]Mo,MoS2]Mo于1375℃无保护气氛条件下进行了铁液定硫的试验。所测电势E与化学分析的[%S]关系为log[%S]=-0.3694-0.0077E(mV)([%S]:0.013~0.134)。于1375℃下还测试了Cu-Cu2S系的硫位。推算出表征固体电解质电子电导率大小的特征硫分压Pc’对MgS—2%TiS2来讲为6×10-4pa。引入pe’和硫活度系数fs对E—[%S]关系进行了修正
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以La2O3,MnO2和SrCO3为原料,通过固相反应合成SOFC的阴极粉料LSM,利用XRD,TGA/DTA热分析仪等现代分析仪器研究了该材料的反应历程.结果发现,实验过程首先出现了La2SrOx相,并在350~1000℃的较大范围内一直存在,到800℃时才出现LaMnO3.通过分析研究,反应过程先是La2O3+SrCO3→La2SrOx+CO2,然后为La2O3+MnO2→LaMnO3,,最后发生La2SrOx和LaMnO3向La1-xSrxMnO3转化.这一结果与人们一致公认的反应历程,即先发生La2O3+MnO2→LaMnO3,然后是LaMnO3+SrCO3→La1-xSrxMnO3有较大差异
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利用Factsage热力学软件,探讨Al2O3含量对CaO-SiO2-Al2O3-MgO系及CaO-SiO2-Al2O3-MnO系相图低熔点区域的影响,可知在Al2O3含量(质量分数)为15%时,对应的各相图中低熔点区域面积所占百分数最大;通过研究Al2O3含量对弹簧钢中夹杂物的影响,表明随着精炼渣中Al2O3含量增加,钢中带有棱角的Al2O3夹杂物增多,钢中夹杂物分布变得相对集中.在碱度为1.2,Al2O3含量为8%时,可将夹杂物控制在相图的低熔点区域内,此时对应夹杂物形貌多为球形,且尺寸约为5μm
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第一章 概述 1.1 SOPC 的概念 1.2 SOPC 系统设计流程 1.3 SOPC 系统开发环境 1.4 本书中的系统配置 第二章 SOPC 系统构架 2. 1 系统模块框图 2. 2 Nios CPU 2. 3 Avalon 总线 2. 4 外设 IP 模块 第三章 系统硬件开发 3.1 硬件开发流程 3.2 创建 Quartus II 工程 3.3 创建 Nios 系统模块 3.4 编译设计(Compilation) 3.5 编程(Programming) 3.6 下载设计到 Flash 存储器 第四章 系统软件开发 4.1 软件开发流程 4.2 软件开发环境 4.3 文件系统 4.4 软件开发工具 4.5 可配置的处理器硬件属性 4.6 Nios SDK 4.7 软件开发应用 4.8 使用.hexout 4.9 其它的开发板通信和调试方法 4.10 Nios SDK Shell 提示信息 4.11 在 Nios 系统中实现中断服务程序(ISR) 4.12 用户自定义指令 第五章 系统模拟与调试 5.1 软件配置 5.2 模拟设置 5.3 ModelSim 模拟 5.4 模拟结果分析 5.5 增加/删除波形图信号 5.6 片外存储器模拟 5.7 调试 第六章 系统设计实例 6.1 建立硬件需求 6.2 创建一个基本的 Nios 设计 6.3 GDB 调试 6.4 添加用户外设 6.5 RTL 仿真 6.6 Flash 编程 6.7 用户指令和 DMA 6.8 MP3 播放器 附录 1:Nios 嵌入式处理器 32 位指令集 附录 2:Nios 嵌入式处理器开发板-APEX 20K200E 附录 3:Nios 嵌入式处理器开发板-Cyclone_1C20 附录 4:Nios 嵌入式处理器开发板-Stratix_1S10 附录 5:Nios 嵌入式处理器开发板-Stratix_1S40
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通过热力学计算软件FactSage计算分析了CaO-SiO2-Al2O3-MnO四元系夹杂物低熔点区域的控制范围.从控制夹杂物成分的角度,指出随着Al2O3含量和CaO含量的增加,夹杂物低熔点区域大小都是先增大后减小;随着SiO2含量和MnO含量的增加,夹杂物低熔点区域增大.为了得到低熔点夹杂物,应控制SiO2-Al2O3-CaO-MnO系中Al2O3质量分数为20%左右,CaO质量分数在25%~30%之间;同时控制CaO/SiO2比值为0.8~1,SiO2质量分数应为30%左右
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命题在同构意义下张量积满足交换律、结合律以及与直和的分配律,即 VOV= V1(2V3)=(V1V2)V3 V1(2V3)=(V1V2)⊕(VV3) 证明利用张量积的定义性质。 12.2.2线性变换的张量积的定义 定义12.5线性变换的张量积 设V1,V2为K线性空间,A为V1上的线性变换,B为V2上的线性变换。定义A和 B的张量积(记为AB)为V1V2上的线性变换: AB:V1V2→V1V2
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利用热力学计算软件FactSage计算出CaO-SiO2-Al2O3-MnO四元系各成分的活度数据,并通过热力学计算分析了帘线钢获得良好变形能力的CaO-SiO2-Al2O3-MnO四元系夹杂物生成所需的条件,验证了本文所介绍方法的可行性.指出为得到塑性区的CaO-SiO2-Al2O3-MnO系夹杂物,要控制CaO-SiO2-Al2O3-MnO四元系夹杂物中Al2O3为20%,LF精炼炉中钢液的酸溶铝[Al]s含量应小于3×10-6,溶解氧含量应在2.0×10-5~6.0×10-5之间
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电解 0.1 mol/L CuSO4 溶液 阴极反应(-):Cu2+ + 2e = Cu 阳极反应(+):2H2O = O2  + 4H+ +4e 电池反应:2Cu2+ + 2H2O = 2Cu + O2 + 4H+
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利用光学碱度的概念,对CaO-Al2O3-SiO2体系的电导率进行了模拟,模型可以体现Al2O3的两性行为对熔体电导率的影响,以及在一定成分范围内Al2O3替代SiO2使得电导率下降的现象.通过对比分析不同离子的扩散系数,得出CaO-Al2O3-SiO2熔体中起电荷传导作用的离子主要为Ca2+;并根据模型计算的电导率以及Nernst-Einstein方程计算了Ca2+的自扩散系数.最后讨论了计算的扩散系数与通过示踪原子法测量的扩散系数之间存在差别的原因,并对\随温度的增加,偏差减少\的现象进行了理论解释
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