通过对铸造共晶Al-Si合金断口及析出相的分析研究了拉伸过程中基体内析出相的断裂特点.结果发现:拉伸过程中基体内初、共晶硅以穿晶断裂为主,这与颗粒内部存在的结构缺陷有关;直径小于2.0μm的初晶硅能够抑制二次裂纹的扩展.块状富铁相表现出穿晶断裂特点,鱼骨状富铁相中的微裂纹沿一次枝晶轴向生长.富铜相对裂纹扩展具有强烈地偏折作用;以富铁相为核心析出的富铜相能抑制富铁相中微裂纹的形成.提高合金中Cu含量可以降低富铁相的有害作用,改善合金的力学性能

通过扫描电镜和X射线能谱分析仪(X-EDS)分析,对低合金钢种连铸板坯和热轧板中Cu、As和Sn的富集行为进行了研究.实验结果表明:连铸坯中氧化层和氧化层/基体层界面存在Cu、As和Sn元素同时富集现象;热轧板氧化层/基体层界面存在Cu、As和Sn元素富集相,基体层中Cu、As和Sn含量高于氧化层;热轧板晶界处Cu、As和Sn含量明显高于热轧板晶内;Cu、As和Sn在γ晶界偏聚和Fe的优先氧化造成连铸坯中Cu、As和Sn富集,加热炉的二次加热加剧Cu、As和Sn的富集程度,引起Cu、As和Sn向钢材基体渗透扩散,使钢的塑性恶化,导致中板大量表面微裂纹缺陷.分析了Cu、As和Sn富集相对表面微裂纹的影响机理

第十二章 数项级数 1 级数的收敛性 2 正项级数 一 正项级数收敛性的一般判别原则 二 比式判别法和根式判别法 三 积分判别法 四 拉贝判别法 3 一般项级数 一 交错级数 二 绝对收敛级数及其性质 三 阿贝耳判别法和狄利克雷判别法 第十三章 函数列与函数项级数 1 一致收敛性 一 函数列及其一致收敛性 二 函数项级数及其一致收敛性 三 函数项级数的一致收敛性判别法 2 一致收敛函数列与函数项级数的性质 第十四章 幂级数 1 幂级数 2 函数的幂级数展开 一 泰勒级数 二 初等函数的幂级数展开式 3 复变量的指数函数·欧拉公式 第十五章 傅里叶级数 1 傅里叶级数 一 三角级数·正交函数系 二 以2π为周期的函数的傅里叶级数 三 收敛定理 2 以2l为周期的函数的展开式 3 收敛定理的证明 第十六章 多元函数的极限与连续 1 平面点集与多元函数 一 平面点集 二 R2上的完备性定理 三 二元函数 四 n元函数 2 二元函数的极限 3 二元函数的连续性 第十七章 多元函数微分学 1 可微性 2 复合函数微分法 3 方向导数与梯度 4 泰勒公式与极值问题 一 高阶偏导数 二 中值定理和泰勒公式 三 极值问题 第十八章 隐函数定理及其应用 1 隐函数 2 隐函数组 3 几何应用 一 平面曲线的切线与法线 二 空间曲线的切线与法平面 三 曲面的切平面与法线 4 条件极值 第十九章 含参量积分 1 含参量正常积分 2 含参量反常积分 3 欧拉积分 一 Γ函数 二 B函数 三 Γ函数与B函数之间的关系 第二十章 曲线积分 1 第一型曲线积分 2 第二型曲线积分 第二十一章 重积分 1 二重积分概念 2 直角坐标系下二重积分的计算 3 格林公式·曲线积分与路线的无关性 4 二重积分的变量变换 5 三重积分 6 重积分的应用 7 n重积分 8 反常二重积分 9 在一般条件下重积分变量变换公式的证明 第二十二章 曲面积分 1 第一型曲面积分 2 第二型曲面积分 3 高斯公式与斯托克斯公式 4 场论初步 第二十三章 流形上微积分学初阶 1 n维欧氏空间与向量函数 2 向量函数的微分 3 反函数定理和隐函数定理 4 外积、微分形式与一般斯托克斯公式

13.1 单片机与外围集成数字驱动电路的接口 13.2 单片机与光电耦合器的接口 13.2.1. 晶体管输出型光电耦合器驱动接口 13.2.2. 晶闸管输出型光电耦合器驱动接口 13.3 单片机与继电器的接口 13.3.1 单片机与直流电磁式继电器功率接口 13.3.2 单片机与交流电磁式接触器的接口 13.4 单片机与晶闸管的接口 13.4.1 单向晶闸管 13.4.2 双向晶闸管 13.4.3 光耦合双向可控硅驱动器 13.5 单片机与集成功率电子开关输出接口 13.5.1 集成功率电子开关TWH8751简介 13.5.2 集成功率电子开关TWH8751的典型应用 13.6 单片机与固态继电器的接口 13.6.1 固态继电器的特性与分类 13.6.2 固态继电器的应用 13.7 低压开关量信号输出技术

第一节 微分方程的基本概念 一、问题的提出 二、微分方程的定义 三、主要问题-----求方程的解 第二节 可分离变量的微分方程 第三节 齐次方程 一、齐次方程 二、可化为齐次的方程 第四节 一阶线性微分方程 一、线性方程 二、伯努利方程 第五节 全微分方程 一、全微分方程及其求法 二、积分因子法 三、一阶微分方程小结 第六节 欧拉－柯西近似法 一、方向场 积分曲线 二、欧拉-柯西近似法 第七节 可降阶的高阶微分方程 一、 型 二、 型 三、恰当导数方程 四、齐次方程 第八节 高阶线性微分方程 一、概念的引入 二、线性微分方程的解的结构 三、降阶法与常数变易法 第九节 二阶常系数齐次线性微分方程 一、定义 二、二阶常系数齐次线性方程解法 三、n阶常系数齐次线性方程解法 第十节 二阶常系数非齐次线性微分方程 第十一节 欧拉方程 第十二节 微分方程的幂级数解法 一、问题的提出 二、 特解求法 三、二阶齐次线性方程幂级数求法 第十三节 常系数线性微分方程组解法举例 一、微分方程组 二、常系数线性微分方程组的解法 三、小结

第一章 Visual Basic程序设计概述（1） 1.1 引例 1.2 VB主要功能和特点 1.3 VB集成开发环境 第二章 VB简单的程序设计（3） 2.1 程序设计方法的发展 2.2 VB中的有关概念 2.3 建立简单的应用程序 2.4 基本控件和属性 2.5 工程的管理及环境的设置 2.6 生成可执行文件和制作安装盘 2.7 程序调试 2.8 常见错误 第三章 VB语言基础（2） 3.1 编码规则 3.2 数据类型 3.3 变量与常量 3.4 运算符和表达式 3.5 常用函数 3.6 常见错误 第四章 基本的控制结构（6） 4.1 顺序结构 4.2 选择结构 4.3 循环结构 4.4 其他辅助控制语句 4.5 常用算法（一） 4.6 常见错误 （顺序、条件、循环） 第五章 数组（4） 5.1 数组的概念 5.2 静态数组及声明 5.3 动态数组及声明 5.4 数组的基本操作 5.5 控件数组 5.6 自定义数据类型 5.7 常用算法（二） 5.8 常见错误 第六章 过程（5） 6.1 函数过程的定义与调用 6.2 子过程的定义与调用 6.3 参数传递 6.4 变量、过程的作用域 6.5 递归 6.6 常用算法（三） 6.7 重点和难点 第七章 常用控件（4） 7.1 单选按钮和复选框 7.2 框架 7.3 列表框和组合框 7.4 滚动条和Slide控件 7.5 时钟 7.6 ProgressBar控件 7.7 UpDown控件 7.8 Animation控件 7.9 SSTab控件 7.10 鼠标器和键盘 第八章 界面设计（3） 8.1 通用对话框 8.2 菜单设计 8.3 多重窗体和多文档界面 8.4 工具栏和状态栏 8.5 RichTextBox控件 8.6 应用程序向导 第九章 文件（2） 9.1 文件系统控件 9.2 文件的读写 9.3 常用的文件操作语句和函数 第十章 图形操作（3） 10.1 图形操作基础 10.2 绘图属性 10.3 图形控件 10.4 图形方法 第十一章 数据库技术（1） 11.1 数据库概念 11.2 数据库管理器 11.3 数据控件 *11.4 ADO数据控件 *11.5 结构化查询语言(SQL) *11.6 报表制作 11.7 错误处理

通过气体雾化技术研究了Cu100-XFeX(X=15,20,30和40)合金的凝固行为.考虑少量相液滴形核、扩散长大、空间迁移、凝固界面与液滴间的相互作用以及体积分数等共同影响因素,建立了能描述该类合金凝固组织演变动力学模型.将数学模型与雾化液滴飞行过程中运动、传热和传质的控制方程相耦合,给出了数值求解方法,模拟计算了Cu基亚稳难混溶合金液-液相分离过程.结果表明:富Fe粒子的平均尺寸随着Fe含量的增加而增大;少量相液滴形核发生在基体熔体过饱和度峰值附近;随着冷却速度的增大,雾化液滴中少量相液滴的形核率增大,但平均半径减小;少量相液滴在Marangoni迁移和与固/液界面相互排斥共同作用下,向雾化液滴中心迁移,使雾化粉末最终形成壳型组织结构

调查了使用不同氟含量保护渣时连铸二冷水中F-质量浓度的变化，并在实验室研究了保护渣组分及保护渣在水中的浸泡时间对水浸液中F-质量浓度的影响．研究结果表明，A厂使用低氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为1．2～24．3mg·L-1水样呈中性；B厂使用高氟保护渣，二冷水中F-质量浓度增幅为57．9mg·L-1，水样呈酸性．保护渣中氟含量越高，保护渣在水中的浸泡时间越长，渣中氟向水中的转移量就越多．控制保护渣中氟不超过2％，有利于减弱保护渣氟的浸出对二冷水的危害．在研究的组成范围内，碱度CaO／SiO2和Li2O对渣中氟的浸出无明显影响．增加保护渣中B2O3含量，有利于降低保护渣中氟在二冷水中的浸出．

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近

评估了氧和铝在Al2O3中的自扩散参数,分析了其扩散机理.得出:(1)在1770~2100K 温度范围内,氧分压不超过1.0×105Pa时,杂质总含量为30×10-6~500×10-6,Mg,Ti含量低于30× 10-6的未掺杂Al2O3单晶中,氧的自扩散系数与温度的关系式,氧分压和扩散方向对该扩散系数 值影响不明显.(2)在1943~2178K范围,多晶Al2O3中铝的自扩散系数在10-15到10-14m2/s之间, 扩散活化能为 477 kJ/mol.(3)单晶Al2O3中主要杂质为TiO2和 MgO,掺Ti将降低氧的自扩散系 数,增加铝的自扩散系数;掺Mg使氧的自扩散系数略有增加;其他杂质对氧和铝在Al2O3中的 扩散系数影响不大.(4)氧和铝均通过空位扩散