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1.了解条件电势的概念及影响因素。 2. 氧化还原滴定指示剂的类型及应用。 3.熟悉各种副反应对条件电势的影响。 4.掌握氧化还原滴定法中的高锰酸钾法、重铬酸钾法、碘量法的条件及应用。 11.1 氧化还原反应的条件电势 Conditional electric potential of oxidation-reduction reaction 11.2 滴定曲线和指示剂 Titration curve and indicator 11.3 重要的氧化还原滴定法 Important oxidation￾reduction titration
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通过单因素实验考察了还原温度、还原时间及碳氧摩尔比(nC/nO)对钒钛磁铁矿含碳球团还原的影响,结合扫描电镜照片解释了钒钛磁铁矿的还原机理.实验结果表明,适当升高还原温度、延长还原时间及增加碳氧摩尔比均可以促进钒钛磁铁矿的还原,并且金属化率随还原温度的升高先急剧升高而后趋于平缓,随着还原时间的延长及碳氧摩尔比的增加而先升高后降低,而残碳量随着反应的进行不断降低.当还原温度为1350℃,还原时间为30 min,碳氧摩尔比为1.2时,球团的金属化率达到最大值.通过扫描电镜照片可以看出,球团在还原过程中形成了铁连晶,并且在不同的还原条件下铁连晶的大小及形态不同
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厦门大学化学化工学院:《有机化学》课程教学资源(课件讲稿,双语版)第十七章 酚Phenols 17.2.3 氧化与还原氧化反应 17.3 酚的制法
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为了揭示硼铁精矿的碳热还原机理,以高纯石墨为还原剂,进行硼铁精矿含碳球团等温还原实验,并采用积分法进行动力学分析.还原温度分别设定为1000、1050、1100、1150、1200、1250和1300℃,配碳量即C/O摩尔比=1.0.当还原度为0.1<α<0.8时,温度对活化能和速率控制环节有重要影响:还原温度≤1100℃时,平均活化能为202.6 k J·mol-1,还原反应的速率控制环节为碳的气化反应;还原温度>1100℃时,平均活化能为116.7 k J·mol-1,为碳气化反应和Fe O还原反应共同控制.当还原度α≥0.8时(还原温度>1100℃),可能的速率控制环节为碳原子在金属铁中的扩散.碳气化反应是含碳球团还原过程中主要速率控制环节,原因在于硼铁精矿中硼元素对碳气化反应具有较强烈的化学抑制作用
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为了探究含碳球团还原熔分机理,将分析纯的Fe2O3、氧化物和不同还原剂固结成球并进行等温还原实验,研究了温度、还原时间、配碳量、还原剂种类等条件对球团还原熔分行为的影响.进一步采用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段表征了含碳球团在不同还原时间的微观结构及物相变化.实验结果表明:焙烧温度过低或过高含碳球团都不能良好熔分,配碳量增加可以提高球团还原和熔分速率,适宜的温度、碳氧摩尔比、还原剂分别是1400℃、1.2和煤粉.含碳球团还原熔分包括直接还原反应、间接还原反应、碳的气化反应、渗碳反应和铁的熔化反应,最后实现渣铁分离
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氧化还原滴定:是以氧化还原反应为基础的滴定方法(redox titration)。氧化还原反应的实质与特点: (1) 是电子转移反应 (2) 反应常分步进行 (3) 反应速率慢,且多有副反应
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13.1 羧酸衍生物的命名 13.2 羧酸衍生物的物理性质 13.3 羧酸衍生物的波谱性质 13.4 羧酸衍生物的化学性质 13.4.1 酰基上的亲核取代反应 (1)水解 (2) 醇解 (3) 氨解 13.4.2 酰基上的亲核取代反应机理 13.4.3 羧酸衍生物的相对反应活性 13.4.4 还原反应 (1)用氢化铝锂还原 (2) 用金属钠 – 醇还原 (3) Rosenmund 还原 13.4.5 与有机金属试剂的反应 13.4.6 酰胺氮原子上的反应—酰胺的个性 (1) 酰胺的酸碱性 (2) 酰胺脱水 (3) Hofmann 降解反应 13.5 碳酸衍生物
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第九章氧化还原滴定法 第一节绪论 一、氧化还原滴定法:以氧化还原反应为基础的滴定 分析方法 二、实质:电子的转移 三、特点: (1)机理复杂、多步反应 (2)有的程度虽高但速度缓慢 (3)有的伴有副反应而无明确计量关系 四、分类: 碘量法、高锰酸钾法、重铬酸钾法、亚硝酸钠法、溴量法、铈量法 五、应用:广泛,直接或间接测定无机物、有机物
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6.1概述 6.2氧化还原平衡和反应速率 6.3氧化还原滴定曲线 6.4氧化还原滴定中的指示剂 6.5高锰酸钾法 6.6K2CrO4法 6.7碘量法
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对锌还原法过程中影响硅产率的因素进行研究.分析了当反应达到平衡,在0.1、0.3和0.6 MPa以及进料配比xZn/xSiCl4为2、4和8时,气相平衡组分分布与温度的关系.讨论了硅产率随温度、压强及xZn/xSiCl4的变化情况.结果表明,低温、一定压力和高xZn/xSiCl4对锌还原过程有利.确定了影响硅产率的主要副反应.最后得到锌还原法的最佳操作条件为温度控制在1 200 K左右、0.2 MPa及进料配比xZn/xSiCl4=4,在此条件下硅的理论产率可为90.3%
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