前言 孩子们都是在不断的提问中长大,他们的问题问得越好,我们给他们的东西越多。是“问问题体现并增强了孩子们的创造力仍然是他们的“问题”有时使得我们在朋友们面前难堪。做为一个成人,在工作场合,我们经常遇到同样类似的问题,—由于“问问题”的水平不一,导致好坏不同的两种后果

一、实验目的 l．掌握 CMOS 集成门电路的逻辑功能和器件的使用规则。 2．学会 CMOS 集成门电路主要参数的测试方法 二、实验原理 1．CMOS 集成电路是将 N 沟道 MOS 晶体管和 P 沟道 MOS 晶体管同时用于一个集成电路中，成为组合二种沟道 MOS 管性能的更优良的集成电路，CMOS 集成电路的

基于一些合理的假设,文中建立了水煤浆的管道输送数学模型。从该模型的求解可以得到水煤浆管道输送过程中的能量损失、范宁摩阻系数随管径的变化及不同输送量下的管道输送最佳管径。实际的水煤浆管道输送系统运行结果,证明了该模型的可靠性和正确性

运用有限单元分析方法详细考察了承受均匀外压力的样本油套管在不同椭圆度、不同壁厚不均(或称偏心度)、以及不同椭圆度和壁厚不均组合等初始几何缺陷的情况下的应力变化及其分布,并作出相应的初始几何缺陷与应力变化的曲线

第二章 著作权法概述 第一节 著作权和著作权法 第二节 著作权制度的起源与发展 第三节 我国著作权制度的历史 第三章 著作权的对象 第一节 作品的概念 第二节 著作权法保护的作品 第三节 不受著作权法保护的对象 第四章 著作权的内容、取得和期间 第一节 著作人身权 第二节 著作财产权 第三节 著作权的取得 第四节 著作权的期间 第五章 著作权的主体（也称著作权人） 第一节 作者 第二节 著作权归属的一般原则 第三节 合作作品的著作权 第四节 职务作品的著作权 第五节 汇编作品的著作权 第六节 定作作品的著作权 第七节 视听作品的著作权 第八节 外国人作品在中国的著作权 第六章 邻接权 第一节 邻接权的概念 第二节 表演者权 第三节 录音制品作者的权利 第四节 广播电台、电视台的权利 第五节 出版者的权利 第七章 著作权的利用和转移 第一节 著作权的许可使用 第二节 著作权的转让 第三节 著作权的继承 第四节 著作权的其他利用 第五节 违反著作权合同的民事责任 第六节 著作权合同纠纷的调解、仲裁和诉讼 第八章 著作权的限制（著作权人的义务） 第一节 著作权的“合理使用” 第二节 著作权的法定许可使用 第三节 著作权的强制许可使用 第九章 与著作权有关的行政管理和集体管理 第十章 著作权的保护 第一节 侵犯著作权的民事责任和对侵犯著作权行为的司法措施 第二节 侵犯著作权的行政责任 第三节 侵犯著作权的刑事责任

在拉拔速度O.6-0.9mm·s-1、变形温度750-900℃条件下,对具有连续柱状晶组织的BFe10-1-1合金管材进行了无模拉拔成形,研究了变形后的微观组织,探讨了其组织演变规律及机理.在本文工艺参数范围内,晶界平直的连续柱状晶组织BFe10-1-1合金管材在无模拉拔成形后微观组织演变为锯齿形晶界的连续柱状晶组织.随拉拔速度和变形温度的增加,锯齿的齿深不断加大.位错易在接近晶界的区域塞积并跃出晶界,导致在晶界处出现滑移台阶,形成锯齿形晶界;在滑移变形的同时,粗大的连续柱状晶开始转动,加剧了锯齿化的程度.高的热激活能和变形储存能未能及时释放是BFe10-1-1合金保持连续柱状晶组织的根本原因

在PLINT微动磨损试验机上附加电化学测试系统,采用十字交叉接触方式,位移幅值为100μm,法向载荷20、50和80 N条件下,研究NC30Fe合金传热管在氯化钠溶液中的微动腐蚀行为.使用电化学工作站记录微动腐蚀过程中开路电位变化,运用电位扫描法测量微动过程的极化曲线;采用扫描电子显微镜观察磨痕的表面形貌,光学轮廓仪测定磨痕的三维形貌及磨损量.微动磨损使损伤区域金属原子活性增大,腐蚀倾向增大,加速了NC30Fe合金的腐蚀.在氯化钠溶液中,NC30Fe合金由于微动磨损过程产生腐蚀产物膜起到润滑减摩作用,摩擦系数较纯水中降低;但因腐蚀与磨损的交互作用,在氯化钠溶液中的磨损量比纯水中高.氯化钠溶液中的磨损机制主要表现为磨粒磨损和剥层的共同作用

一、什么是波分复用? 不管是PDH还是SDH都是在一根光纤上传送一个波长的光信号,这是对光纤巨大 带宽资源的极大浪费。可不可以在一根光纤中同时传送几个波长的光信号呢?就象模拟 载波通信系统中有几个不同频率的电信号在一根电缆中同时传送一样?实践证明是可以 的。在发送端,多路规定波长的光信号经过合波器后从一根光纤中发送出去,在接收 端,再通过分波器把不同波长的光信号从不同的端口分离出来

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展