基于Biot-Savart定律和空间滤波技术,采用二维傅里叶变换,研究磁场到电流的反演.对高温超导量子干涉器(SQUID)测得的载流导线周围的磁场分布以及圆孔缺陷周围的涡流场激发的磁信号进行反演处理,并对所得的结果,特别是在傅里叶空间对截止频率的选择进行了初步探讨.结果表明,较高的截止频率值能有效提高反演结果的空间分辨率,但增加了噪声信号对反演结果的影响;相对较低的截止频率值能更明显地去除噪声信号,同时导致反演结果的失真,降低了反演结果的空间分辨率.利用缺陷周围的磁场数据反演出的电流分布,能够准确反映出被测样品中缺陷的位置、形状等基本情况

以氧气和氮气的混合气体为研究对象,运用蒙特卡罗直接模拟方法模拟了顺抗磁性混合气体在高梯度磁场中的流动情况,并把模拟计算结果与已有的实验结果之间进行了对比分析．模拟结果表明:磁场强度与梯度乘积由100T2·m-1增加到1000 T2·m-1时,氧体积分数增量由0．12%增加到1．89%;混合气体温度由283 K升高到333 K时,氧体积分数增量由0．4%减小到0．1%;混合气体中氧气的初始体积分数由20%增加到30%时,氧体积分数增量由0．12%增加到0．59%;压力的变化对氧体积分数的变化几乎没有影响．

采用磁场控制导电镍颗粒在丙烯酸酯乳液中的排列,制备了镍粉/聚丙烯酸酯复合涂层.采用扫描电镜对施加磁场前后涂层的微观形貌进行了表征,研究了磁致取向对复合涂层电导率和屏蔽效能的影响,并结合动力学模型探讨了影响磁致取向时间的因素.结果表明,磁致取向可以在涂层中形成\纤维束\状的微观组织,提高其电导率,使复合涂层导电渗阀值从5.6%降至3.0%(体积分数).经磁致取向后涂层的屏蔽效能曲线变化均匀,电磁屏蔽效能得到优化;磁致取向时间可以通过改变磁场强度和体系黏度来进行控制

运用光弹调制器和锁向放大器作为主要的光电子仪器,搭建磁光克尔效应实验系统,将平行和垂直磁场应用于纵向磁光克尔(Kerr)效应,用来分析薄膜正交方向磁矩随磁场翻转的情况.应用此方法,研究了在不同衬底上用磁控溅射方法制备的Co(2.7nm)/Cu(2nm)/Co(2.7nm)三层膜的磁性及磁矩翻转,探索其耦合机理.衬底与间隔层Cu层表面结构的差异,诱导了底层Co与表面层Co结构的差异,导致底层和表面层Co膜的矫顽力不同,从而实现了两铁磁层的磁矩翻转不一致

1959年阿哈罗夫-玻姆提出在量子力学可适用 的微观态中A和有可观测的物理效应,这 一效应被称为A-B效应。 A-B效应表明,在量子物理中磁场的物理效 应不能完全用来描述,矢势可以对电子发 生相互作用。但是由于的任意性,用它描 述磁场显然又过多

导线中的电流:由大量自由电子的定向运动形成的 带电粒子运动在磁场中会受到力的作用~洛伦兹力 安培力的来源: 在洛伦兹力的作用下,导体中定向运动的自由电子 和金属导体中晶格上的正离子不断碰撞,将动量传给 导体,使整个导体在磁场中受到磁力作用

采用数值模拟方法对连铸电磁旋流水口内流体流动和夹杂物碰撞长大行为进行了研究.数值结果表明电磁旋流水口出口处流体流动扩张角与低熔点合金实验值相符.旋转磁场对浸入式水口内壁夹杂物沉积行为存在两个相反的作用:一方面旋转磁场作用加强了水口壁面处钢液的湍流流动,加速了夹杂物在水口内壁的沉积吸附速率;另一方面水口内壁附近夹杂物在旋转磁场产生的旋流作用下易被携带至水口中心,削弱了水口内壁对夹杂物的黏附.在上述两方面因素作用下,钢液区存在一个最佳磁感应强度可使水口内壁夹杂物沉积速率降至最低,从而减轻水口结瘤现象

一、比奥萨伐尔定律 二、安培环路定理 三、利用安培环路定理求磁场的分布 四、与变化电场相联系的磁场 五、平行电流间的相互作用力

以除去喹啉不溶物的煤沥青为原料,在自制的载磁反应釜中制备针状焦.通过改变体系聚合反应最大压力及最高温度,对针状焦制备过程中施加磁场后中间相形成阶段的温度、体系最大压力等工艺条件进行了探讨,研究了不同条件下制备的针状焦的结构与电化学性能.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪表征产物的结构特点;采用循环伏安法及电化学阻抗等分析方法表征了不同条件下制备的针状焦的电化学性能.在磁场作用下,体系最大压力为0.4 MPa、体系最高聚合温度为520℃时制备的针状焦具有最佳的结构及电化学性能

采用一种新型熔体表面脉冲电磁技术对7A04铝合金半连续铸造凝固组织细化处理，分析脉冲电磁场对凝固组织及性能的影响.引入势能的观点，探讨脉冲磁能作用下的晶体形核动力学及初生晶核运动形式.结果表明，经表面脉冲电磁场处理后，凝固组织由晶粒尺寸粗大的玫瑰结构转变为细小且圆整的球状结构，铸锭心部及边部晶粒尺寸分别下降22.7%和14.2%，强度、塑性均有提高.动力学分析认为，脉冲电磁能降低体系形核所需的临界吉布斯自由能是增加形核率的重要原因，同时可导致初生α-Al运动的势能增加，促使初生α-Al颗粒优先到达稳定位置