§2-1 高程测量概述 §2-2 水准测量原理 §2-3 水准尺和水准仪 §2-4 水准测量的方法及成果处理 §2-5 水准仪的检验和校正 §2-6 精密水准仪和电子水准仪 §2-7 水准测量的误差分析

参照实际转炉脱磷炉渣,配制了不同F、P2O5、FeO和MgO含量及碱度的渣样,用化学分析方法测试了不同组分对渣中磷的枸溶率的影响规律.结果表明:当脱磷渣中含有F时,P主要与F形成氟磷灰石,使得磷的枸溶率随渣中F含量的升高而急剧降低,当不含氟时枸溶率可达92.5%,当氟质量分数达到0.5%时枸溶率已降低到50%以下;随碱度增加,由于渣中Ca2+含量增加,破坏了硅氧网络结构,使得枸溶率有所上升;渣中MgO含量升高,由于Mg2+在熔融冷却过程中会抑制β-Ca3(PO4)2晶体的析出,而β-Ca3(PO4)2中磷不易为质量分数为2%的柠檬酸液溶出,而使枸溶率有所升高;随渣中P2O5含量升高,由于P5+与O2-形成络离子,P5+位于O2-密集形成的间隙中,不易溶出,使得枸溶率有所下降;渣中FeOn升高,枸溶率随之降低

一、选择与填空（50 分） 1. 某常压湿空气由 t1 被加热到 t2，则空气的性质参数变化为： H1（）H2、φ1（）φ2、I1（）I2、td1（）td2、tw1（）tw2、tas1（）tas2、cH1（）cH2、vH1（）vH2

一、发动机排气污染物的形成 1、一氧化碳CO CO是烃燃料燃烧的中间产物。 当空气充足时 2H2+O2=2H2O 2CO+O2=2CO2

以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

从理论上导出了CaO-Fe2O3混合层内反应初期铁酸钙生成的动力学模型:1-k1(1-k2BRv)2/3-k2(1+k1BRv)2/3=(2k1Mf/ρfrf2)·DcΔCt。其中k1=(ρf-ρcf)/(ρf-ρc),k2=(ρcf-ρc)/(ρf-ρc),B=1+Mcρfm/Mfρc。经1160℃和1190℃下的基础实验表明,模型与实验数据吻合很好,同时得到该两温度水平下氧化钙在铁酸一钙有效扩散系数分别为4.34×10-9cm/s和2.32×10-8cm/s

利用光电子能谱XPS研究CeO2包覆TiO2后氧化还原性能.TEM照片证明实验中制备出包覆材料;Ce3d谱线说明加入TiO2后CeO2非常容易还原,吸氧时它能够再氧化.由于CeO2的晶体结构发生畸变,CeO2的活化能降低,有利于氧空位移动,所以CeO2容易还原氧化

考察了Ni-Yb/γ-Al2O3(Ni 16%,Yb 5%,质量分数)催化剂,入口气中添加不同组分(CO2、H2和CH4)对柴油低/高温水蒸气重整过程中转化率及重整率的影响,以及添加CO2入口气对质子交换膜燃料电池柴油水蒸气重整制氢流程中后续的CO水气变换和深度去除CO过程的影响.结果表明:入口气中添加CO2或H2进一步提高了柴油在低温(400～500℃)水蒸气重整反应中的转化率(<95%),能够为后续的高温(550～750℃)水蒸气重整过程提供CH4代替柴油作为重整原料,从而显著抑制了积碳.入口气中添加H2对高温水蒸气重整有抑制作用,添加CH4不利于提高柴油转化率.入口气中添加CO2时,气碳摩尔比约为0.54时柴油转化率最佳,但重整产物中CO含量会增加,因而后续CO水汽变换过程的空速需降低以便保证CO去除率,添加CO2对最后深度去除CO过程(两段选择甲烷化法)无明显影响

采用热力学计算软件FactSage的Phase Diagram模块和Equilib模块对含钛钢渣熔点进行理论研究,并通过熔点实验对研究结果进行验证.研究发现：对于碱度R1.5的渣系,Al2O3质量分数为25%-35%时,TiO2的质量分数超过1%可显著提高渣系熔点

一.(本题20分)设K为数域.给定K4的两个子空间 M={(x1,2,3,4)|21-x2+4x3-3x4=0,x1+x3-x4=0 N={1,x2,x3,4)3x1+x2+x3=0,7x1+7x3-3x4=0} 求子空间MN和M+N的维数和一组基 二(本题10分)在K4内给定 a1=(1,-1,1,1),a2=(2,-2,0,1). 令M=L(a1,a2).试求商空间K4/M的维数和一组基 三.(本题20分)给定数域K上的3阶方阵 1-11 A=24-2 3-35 1.求K上的3阶可逆方阵T,使T-1AT为对角矩阵 2.对于任意正整数m,求Am