本章将学习建立信号与系统的数学描 述与数学表示,借以研究信号与系统分 析中的基本概念及基本性质,为以后各 章的学习打下基础

•拉氏变换的定义——从傅立叶变换到拉氏变换 •拉氏变换与傅氏变换的关系 •拉氏变换的性质，收敛域 •卷积定理(S域) •系统函数和单位冲激响应

一、Z变换的基本概念和基本性质 二、变换的域分析 三、离散系统的系统函数 四、离散系统的频率响应

本课程的重要性和要 解决的问题 信息时代的特征 用信息科学和计算机技术的理论 和手段来解决科学、工程和经济 问题 对各种信息进行提取、传输和处 理,必然涉及到信号与系统

一、本课程要研究的问题是什么? 二、本课程的任务和地位。 三、为什么要学习该课程? 四、怎样才能学好该课程?

1.用(t)表示x(t),由卷积积分求得LTI系统的响应。 2.用8(n)表示x(n),由卷积和求得LTI系统的响应。 3.在对信号进行时域分解的情况下,研究LTI系统的性质

一、本课程要研究的问题是什么? 二、本课程的任务和地位。 三、为什么要学习该课程? 四、怎样才能学好该课程?

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺