本节讨论结型场效应管JFET和金属－氧化物－半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET

一．基本概念： 1． 半导体材料、本征半导体、载流子、杂质半导体（N 型、P 型）及其导电性能 2． PN 结及其 PN 结的单向导电型 3． 二极管、三极管的结构、分类、输入输出特性（曲线）、常用参数

§4.1自由电子按能量的分布 §4.4能带导体和绝缘体 §4.5半导体

7.1 概述 7.2 ROM 7.3 随机存储器RAM 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数

3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4 其它类型的MOS集成电路 3.5 TTL门电路

双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。 它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极 管等，以后我们统称为晶体管。 晶体管的原理结构如图2―1(a)所示。由图可见， 组成晶体管的三层杂质半导体是N型—P型—N型结构， 所以称为NPN管

2.1半导体的基本知识 2.2PN结的形成及特性 2.3半导体二极管 2.4二极管基本电路及其分析方法 2.5特殊二极管

1.六管单元 （1）组成T1、T3：MOS反相器

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

1.1 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件