第七章半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器 (ROM) 27.3 随机存储器(RAM) D7.4 存储器容量的扩展 7.5用存储器实现组合逻辑函数 )7.6串行存储器 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 第七章 半导体存储器 ⚫ 7.1 概述 ⚫ 7.2 只读存储器（ROM） ⚫ 7.3 随机存储器（RAM） ⚫ 7.4 存储器容量的扩展 ⚫ 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 ⚫ 7.6 串行存储器
7.1概述 从存、取功能上可以分为只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)和随机存储器(Random Access Memory,简称RAM)两大类。 随机存储器和只读存储器的根本区别在于，正常 工作状态下可以随时向存储器里写入数据或从中读出 数据。 根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随 机存储器分为静态存储器(Static Random Access Memory,简称SRAM)和动态存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM) 从制造工艺上有可以把存储器分为双极型和MOS型。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 返回 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 7.1 概述 从存、取功能上可以分为只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）两大类。 随机存储器和只读存储器的根本区别在于，正常 工作状态下可以随时向存储器里写入数据或从中读出 数据。 根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将随 机存储器分为静态存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）。 从制造工艺上有可以把存储器分为双极型和MOS型。 返回
7.2只读存储器 (ROM) 7.2.1掩模只读存储器 址输 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 数据输出 三态 控制 图7.2.1 ROM的电路结构框图 返回 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 7.2 只读存储器（ROM） 7.2.1 掩模只读存储器 图7.2.1 ROM的电路结构框图 返回
7.2.1掩模只读存储器 ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出 缓冲器三个部分。 存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以 用二极管构成，也可以用二极型三极管或MOS管构成。 每个单元存放1位二值代码(0或1)。每一个或一组存 储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的 控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单 元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存储器的带 负载能力，而是实现对输出状态的三态控制，以便于系 统的总线教联接。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 7.2.1 掩模只读存储器 ROM的电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出 缓冲器三个部分。 存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以 用二极管构成，也可以用二极型三极管或MOS管构成。 每个单元存放1位二值代码（0或1）。每一个或一组存 储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的 控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单 元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存储器的带 负载能力，而是实现对输出状态的三态控制，以便于系 统的总线教联接
地址译码器有n个输入端，有2n个输出信息，每 个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一 个字，共有2个字(W。、W、W2”-称为字线) 每个字有m位，每位对应从Do、D、 D输出 (称为位线)。 存储器的容量是2n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管 来实现。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 地址译码器有n个输入端，有2 n个输出信息，每 个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一 个字，共有2 n个字（W0、W1、.W2 n -1称为字线）。 每个字有m位，每位对应从D0、D1、.Dm-1输出 （称为位线）。 存储器的容量是2 n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管 来实现
地址译码器 A W: 输出缓冲器 e D. D 存储矩阵 D D: D D D. EN 图7.2.2二极管ROM的电路结构图 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接 入或不接入相应的二极管来决定的。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接 入或不接入相应的二极管来决定的
为了便于表达和设计，通常将图7.2.2简化如图 7.2.3所示。 A 地 与 址译 1 列 头 地址译 存储 码器 D3 矩阵 或 D, 输出缓冲器 阵 列 D D D 图7.2.2二极管ROM 有存储 图7.2.3 4×4ROM阵列图 单元 2006年 新疆大学信息科学与 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 存储 矩阵 为了便于表达和设计，通常将图7.2.2简化如图 7.2.3 所示。 图7.2.3 4×4 ROM阵列图 有存储 单元 地址译 码器 图7.2.2 二极管ROM
7.2.2可编程只读存储器 (PROM) 在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都 是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些 存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容 就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编 程。 Vcc 字 线 图8-8PROM的可编程存储单元 熔 位线 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都 是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些 存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容 就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编 程。 7.2.2 可编程只读存储器（PROM） 图8-8 PROM的可编程存储单元
7.2.3可擦可编程R0M (EPROM) 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM(UIta Violet Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称JVEPROM)。 电可擦除的可编程ROM(Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory,简称E2PROM)。 快闪存储器(Flash Memory)也是一种电擦除的 可编程ROM。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 7.2.3 可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM（UltaViolet Erasable Programmable Read-Only Memory， 简称UVEPROM）。 电可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Rea-Only Memory，简称E 2PROM）。 快闪存储器（Flash Memory）也是一种电擦除的 可编程ROM
一、EPROM(UVEPROM) 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被Si02 绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时，FAMOS管处于导通状 态，源极一漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止， 源极一漏极间可视为开路，所存信息是1。 2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》
2006年 新疆大学信息科学与工程学院 《数字电路课题组》 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被SiO2 绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于导通状 态，源极－漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止， 源极－漏极间可视为开路，所存信息是1。 一、EPROM（UVEPROM）