强度理论：人们根据大量的破坏现象，通过判断推 理、概括，提出了种种关于破坏原因的假说，找出 引起破坏的主要因素，经过实践检验，不断完善， 在一定范围与实际相符合，上升为理论。 为了建立复杂应力状态下的强度条件，而提出 的关于材料破坏原因的假设及计算方法

第五章 连续系统的s域分析 第六章 离散系统的z域分析 第七章 系统函数 第八章 系统的状态变量分析

3.1 LTI离散系统的响应 一、差分与差分方程 二、差分方程的经典解 三、零输入响应和零状态响应 3.2 单位序列响应和阶跃响应 一、单位序列响应 二、阶跃响应 3.3 卷积和 一、序列分解与卷积和 二、卷积的图解 三、不进位乘法 四、卷积和的性质

1、 RC、RL电路的零输入响应； 2、 RC、RL电路的零状态响应； 3、 一阶电路的全响应；暂态与稳态 ； 4、 一阶电路的三要素法； 5、 阶跃函数和阶跃响应；子区间分析法

功率放大电路通常是在大信号状态下 工作，是以输出较大功率为目的的放大电 路。为了获得一定的不失真的输出功率。 它要求：输出功率尽可能大；

3.1 动态元件 3.2 电路变量初始值的计算 3.3 一阶电路的零输入响应 3.4 一阶电路的零状态响应 3.5 一阶电路的完全响应

6.1 换路定理 6.2 一阶动态电路分析方法 6.3 零输入响应和零状态响应 6.4 微分电路和积分电路

⒈ 组合逻辑电路 任一时刻稳态输出只取决于该时刻输入信号的组合，而与电路原来状态无关，称为组合逻辑电路。 ⒉ 组合逻辑电路的分析和设计 组合逻辑电路的分析：已知组合逻辑电路，求出输入输出逻辑表达式（逻辑功能）

第一章 半导体中的电子状态 1、Si 和 GaAs 的晶体结构 2、Ge、Si 和 GaAs 的能带结构 3、本征半导体及其导电机构、空穴 4、本征半导体及其导电机构、空穴

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征