This book is meant to be a text for a first course in quantum physics. It is assumed that the student has had courses in Modern Physics and in mathematics through differential equations. The book is otherwise self-contained and does not rely on outside resources such as the internet to supplement the material. SI units are used throughout except for those topics for which atomic units are especially convenient

时值新春佳节，正值回家过节、走访亲戚朋友 之际，特摘取以下真实、生动的案例向大家介绍 一些安全防范技巧知识，提高大家的安全防范意 识，而且必须有长期面对复杂的社会治安形势的 心理准备，养成安全防范的良好习惯，使安全防 范成为一种自然行为

1984年2月27日,我国国务院颁布实行以国际单位制(SI)为基础的法定单位制

（1）无机物半导体：元素半导体（Ge,Si）；化合物半导体：二、六族，三、五族。 （2）有机物半导体

第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

利用离子交换剂与溶液中的离子发生交换作用而 使离子分离的方法，称为离子交换分离法。20世纪初 期，工业上就开始用天然的无机离子交换剂泡沸石来 软化硬水。泡沸石的化学成分为硅铝酸盐(如 Na2A12Si4O12 ·nH2O)，当与水接触时，其中的Na+便 与水中的Ca2+ 、Mg2+发生交换作用：

一、选择题：(共 30 分) 1.某质点的运动方程为 x=3t-5t３+6(SI)，则该质点作 ( ) (A)匀加速直线运动，加速度沿 x 轴正方向． (B)匀加速直线运动，加速度沿 x 轴负方向． (C)变加速直线运动，加速度沿 x 轴正方向． (D)变加速直线运动，加速度沿 x 轴负方向．

【0-1】从基本单位换算入手，将下列物理量的单位换算为 SI 制。 （1）40℃时水的粘度 μ=0.00656g(cm·s) （2）某物质的比热容 CP=0.21BTU/(lb·F) （3）密度 ρ＝1386kgf·s2/m4 （4）传热系数 KG=24.2kmol/(m2·h·atm) （5）表面张力 σ＝71dyn/cm

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

One Tnberculosis Two Leprosy Three Typhoid fever Four Bacillary dysentery Five Leptospirsis Siⅸ Epidemic hemorrhagic fever Sever Sexually transmitted diseases