一、在扩展域描述和构成循环码 二、二进制BCH码 三、多元BCH码 四、RS码——基本概念 五、BCH码的一般译码方法

一、线性时不变系统的卷积 二、卷积码-----有记忆的码 三、卷积码的矩阵和多项式描述 四、卷积码的编码电路 五、卷积码的代数译码 六、卷积码的概率译码

一、概述 什么叫Turbo码? 历史 原理 二、编码器 2.1 编码器结构 2.2 分量（基本）编码器 2.3 交积器 2.4 收缩 2.5 复用 三、译码器 3.1 信道模型 3.2 译码器结构 3.3 分量译码器

一、历史和特点 1.1 历史 1.2 特点 二、定义和代数结构 三、Tanner图 四、构造 五、译码 六、随机LDPC码

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管

一、剩余类环 二、多项式剩余类环 三、基于多项式的有限域 四、循环群 五、有限域GF(q)的乘法结构 六、有限域GF(q)的加法结构 七、有限域GF(q)的代数结构 八、小结

13.1 Introduction 13.2 Parallel Multipliers 13.3 Interleaved Floor-Plan and Bit-Plane-Based Digital Filters 13.4 Bit-Serial Multipliers 13.5 Bit-Serial Filter 13.6 Canonic Signed Digit Arithmetic

10.1 Introduction 10.2 Pipeline interleaving in digital filters 10.3.1 Pipelining for 1st-Order IIR Filters 10.3.2 Look-Ahead Pipelining with Power-of-2 Decomposition 10.3.3 Look-Ahead Pipelining with General Decomposition 10.4 Pipelining in Higher-order IIR Digital Filters 10.5 Parallel Processing in IIR Filters