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一、在扩展域描述和构成循环码 二、二进制BCH码 三、多元BCH码 四、RS码——基本概念 五、BCH码的一般译码方法
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一、线性时不变系统的卷积 二、卷积码-----有记忆的码 三、卷积码的矩阵和多项式描述 四、卷积码的编码电路 五、卷积码的代数译码 六、卷积码的概率译码
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一、概述 什么叫Turbo码? 历史 原理 二、编码器 2.1 编码器结构 2.2 分量(基本)编码器 2.3 交积器 2.4 收缩 2.5 复用 三、译码器 3.1 信道模型 3.2 译码器结构 3.3 分量译码器
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一、历史和特点 1.1 历史 1.2 特点 二、定义和代数结构 三、Tanner图 四、构造 五、译码 六、随机LDPC码
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3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性
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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
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1.1 半导体中的电子状态与载流子 1.1.1 半导体材料的结构与能带形成 1.1.2 半导体中的载流子 1.1.3 半导体中载流子的统计分布 1.2 载流子的传输 1.3 pn结和金属-半导体接触 1.4 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构 1.4.1 理想MIS结构及其工作状态 1.4.2 理想MIS结构的空间电荷分布 1.4.3 理想MIS结构的阈值电压 1.4.4 实际MIS 结构 1.4.5 MIS结构的电容-电压特性 1.5 MIS场效应晶体管
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一、剩余类环 二、多项式剩余类环 三、基于多项式的有限域 四、循环群 五、有限域GF(q)的乘法结构 六、有限域GF(q)的加法结构 七、有限域GF(q)的代数结构 八、小结
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13.1 Introduction 13.2 Parallel Multipliers 13.3 Interleaved Floor-Plan and Bit-Plane-Based Digital Filters 13.4 Bit-Serial Multipliers 13.5 Bit-Serial Filter 13.6 Canonic Signed Digit Arithmetic
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10.1 Introduction 10.2 Pipeline interleaving in digital filters 10.3.1 Pipelining for 1st-Order IIR Filters 10.3.2 Look-Ahead Pipelining with Power-of-2 Decomposition 10.3.3 Look-Ahead Pipelining with General Decomposition 10.4 Pipelining in Higher-order IIR Digital Filters 10.5 Parallel Processing in IIR Filters
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