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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
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1.1 场的概念和表示法 1.2 三种常用的坐标系 1.3 标量场的梯度 1.4 矢量场的通量 散度 1.5 矢量场的环流 旋度 1.6 亥姆霍兹定理
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场效应管的特点 结型场效应管 绝缘栅场效应管
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§2-1 电场 电场强 §2-2 高斯定理及其应用 §6-3 电场力做功 电势 §2-4 电偶极子 §2-5 静电场中的电介质 §2-6 电容 电场的能量
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§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络
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§12-1 静电场中的导体(金属导体) §12-2 静电场中的空腔导体 §13-1 电介质的极化 §13-2 极化强度和极化电荷 §13-3 电介质中的静电场 §13-4 电位移矢量 §12-3 电容器和它的电容 §12-4 传导电流 §12-5 电源的电动势 §13-6 电场的能量
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导体 导体电荷分布 库仑定律验证 导体表面电场与电荷分布 尖端效应 导体周围电场、受力、电势计算 电像法 静电场边值问题的惟一性定理 重新审视电容问题 真空静止电荷系能量 有关电荷的几个问题 静电能量的计算问题
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5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较
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§7-1 电荷 库仑定律 §7-2 电场 电场强度 §7-3 高斯定理及应用 §7.4 静电场的环路定理 电势 §7.5 等势面 电势梯度
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由中心离子或原子(M)与周围配体(L)所组成的化合物 配合物。ML之间的键称配位键 配位键理论:价键理论_VB 晶体场理论CFT 分子轨道理论_MO配位场理论—MOT 配位场理论是在分子轨道理论的基础上,把中心原子(M 的价轨道按和的对称性分类,与配体线性组合的群轨道按和对称性匹配的原则,组成配合物的离域分子轨道。结合晶体场理论,讨论配合物的结构和性能
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