5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

1.1 场的概念和表示法 1.2 三种常用的坐标系 1.3 标量场的梯度 1.4 矢量场的通量 散度 1.5 矢量场的环流 旋度 1.6 亥姆霍兹定理

场效应管的特点 结型场效应管 绝缘栅场效应管

§2－1 电场 电场强 §2－2 高斯定理及其应用 §6－3 电场力做功 电势 §2－4 电偶极子 §2－5 静电场中的电介质 §2－6 电容 电场的能量

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

§12-1 静电场中的导体(金属导体) §12-2 静电场中的空腔导体 §13-1 电介质的极化 §13-2 极化强度和极化电荷 §13-3 电介质中的静电场 §13-4 电位移矢量 §12-3 电容器和它的电容 §12-4 传导电流 §12-5 电源的电动势 §13-6 电场的能量

导体 导体电荷分布 库仑定律验证 导体表面电场与电荷分布 尖端效应 导体周围电场、受力、电势计算 电像法 静电场边值问题的惟一性定理 重新审视电容问题 真空静止电荷系能量 有关电荷的几个问题 静电能量的计算问题

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

§7-1 电荷 库仑定律 §7-2 电场 电场强度 §7-3 高斯定理及应用 §7.4 静电场的环路定理 电势 §7.5 等势面 电势梯度

由中心离子或原子(M)与周围配体(L)所组成的化合物 配合物。ML之间的键称配位键 配位键理论:价键理论_VB 晶体场理论CFT 分子轨道理论_MO配位场理论—MOT 配位场理论是在分子轨道理论的基础上,把中心原子(M 的价轨道按和的对称性分类,与配体线性组合的群轨道按和对称性匹配的原则,组成配合物的离域分子轨道。结合晶体场理论,讨论配合物的结构和性能