本文研究了GH133合金的循环应力应变反应和低周疲劳性能,并作了位错结构和断口观察。通过对比拉压对称（R=-1）试验和恒定最大正应变(εmax=C)试验,证明平均拉应力起降低寿命的作用。位错结构观察证明,循环使共格γ′质点的相界处产生应力场,最终导致位错的萌生并运动,位错运动又进一步增殖位错。位错运动方式是变化的,由成对切割γ′质点到单位错切割γ′质点和位错绕过γ′质点。滑移带位错结构最终可以出现饱和的梯状结构,与典型的驻留带位错结构相似。晶界和双晶界附近位错密度高,具有位错胞结构,同时可以出现沿晶界裂纹和沿双晶界裂纹。在循环交变作用下,材料的破坏过程可以分解为三个主要过程,即在循环作用下产生的材料变形行为的变化,疲劳裂纹的形成和疲劳裂纹不断扩展,直到一定的临界大小而发生最终破坏,这三个过程是不同的但又是相互联系的,宏观疲劳现象可以在此基础上作出适当的说明。对于含有共格γ′沉淀相的低层错能奥氏体合金,许多研究[1—8]指出,其循环反应往往是先循环硬化再循环软化,并具有面排列位错结构。关于循环软化现象,一些作者认为[8],共格沉淀相在位错往复切割下碎化而导致回溶

溶剂效应对亲核取代反应所起的作用,不仅是重要 的,而且是复杂的,主要是通过影响过渡态的稳定性从 而影响反应活化能,以达到影响反应速率。 绝大部分S1反应是由中性分子离解成带电荷的离子 ,过渡态的电荷比反应物有所增加。溶剂极性增加,使过渡态的能量降低,从而降低反应的活化能,使反应加 速

第7章商务应用系统设计 71概述 7.2商务应用系统的功能 7.3数据层电子商务应用的设计 7.4表示层电子商务应用的设计 7.5典型的电子商务应用

(一)底物浓度对酶反应速率的影响 用反应初速度ⅴ对底物浓度[S]作图得P355图9-6。 曲线分以下几段 (1)OA段:反应底物浓度较低时ⅴ与[S]成正比,表现为一级反应,v= kISI 根据酶底物中间络合物学说,酶催化反应时,首先和底物结合生成中间 复合物ES,然后再生成产物P,并释放出E E+S P+E OA段上,底物浓度小,酶未被底物饱和,有剩余酶,反应速率取决于 ES浓度,与[S]呈线性关系,V正比于[S]

§8-1应力状态概述 §8-2平面应力状态分析 §8-3三向应力状态分析 §8-4广义胡克定律 §8-5一般应力状态下的应变比能 §8-6工程中的强度理论 §8-7弯扭组合变形杆件的强度计算

化学反应速率 一、反应速率的意义 二、浓度和反应速率 三、反应级数 四、温度与反应速率 五、催化作用 六、反应机理

断裂理论阐明裂纹尖端区域的应力强度因子K是 裂纹扩展导致材料断裂的动力; 材料固有的临界应力强度因子K1是裂纹扩展的阻 力; 断裂强度是材料的临界应力因子所对应的临界 应力

§7-3 空间应力状态的概念 §7-4 应力与应变之间的关系 §7-5 空间应力状态下的应变能密度

第10章单片机应用系统设计与开发 10.1单片机应用系统的开发过程 10.2应用系统开发工具 10.3单片机应用系统举例 10.4单片机应用系统抗干扰技术

研究了[011]取向的镍基单晶高温合金在750~980℃温度范围和200~680 MPa应力下的蠕变断裂特征.在扫描电镜上对各种实验状态下的蠕变断口和纵向剖面进行了详细观察.研究发现：在低温750℃和中温870℃不同初始蠕变应力条件下,枝晶间区亚晶界处不规则γ＇/γ界面是裂纹主要萌生场所,这些已萌生的裂纹在与外加应力轴垂直的（011）面上沿〈110〉和〈100〉两个方向扩展;980℃不同初始应力条件下,裂纹主要在合金中显微疏松孔洞处萌生,沿与外应力轴垂直的方向扩展.观察750℃和870℃不同应力状态蠕变试样的纵向剖面,对亚晶界区不规则γ＇相面积分数的测量和计算表明,用面积分数表征该合金[011]取向在中低温状态下的蠕变损伤程度是可行的