采用阴极弧离子镀法在Ni-Fe-Cr基高温合金表面制备了AlCrN涂层.通过电子扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和X射线光电子谱仪等分析了AlCrN涂层表面和界面的形貌、能谱、物相以及结合能谱，并进行了800和900℃高温氧化实验，研究了AlCrN涂层抗高温氧化性能及其机理.实验结果表明：AlCrN涂层主要成分为Al、Cr和N元素，添加Al元素后表现出较强的AlN择优取向；Al2p峰谱为Al—N和Al—O结合键，Cr2p峰谱为Cr—O和Cr—N结合键，N1s峰谱以Cr—N和Al—N的形态存在，另外含有少量的N—Cr—O和N—Al—O结合键；经过高温氧化后AlCrN涂层表面氧化物为Cr2O3，对高温合金基体有良好的保护作用

以《无机物热力学数据库》为依据,给出了Pb、Sn、In、Ga、Ce 等化合物的△G°~T二项式和关系图。Sn及常量配比的Pb-Sn合金,经常温大气腐蚀、155℃干热大气腐蚀或水蒸汽腐蚀,表面腐蚀层用X光光电子能谱分析(XPS或ESCA)确定主要是SnO2(含有极少量的Pb3O4),此结果与热力学分析结果一致。Pb经155℃ 干热大气腐蚀,表面腐蚀区主要是Pb3O4。由热力学分析,提出了可能成为抗氧化Pb-Sn 焊料的掺杂元素

利用光电子能谱XPS研究CeO2包覆TiO2后氧化还原性能.TEM照片证明实验中制备出包覆材料;Ce3d谱线说明加入TiO2后CeO2非常容易还原,吸氧时它能够再氧化.由于CeO2的晶体结构发生畸变,CeO2的活化能降低,有利于氧空位移动,所以CeO2容易还原氧化

采用体积比为3∶1的浓硫酸和浓硝酸混合溶液对多壁碳纳米管进行表面氧化改性,利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、比表面分析仪(BET)以及X射线光电子能谱(XPS)等手段分析了酸处理前后多壁碳纳米管的形貌、比表面积和表面官能团,利用循环伏安测试和充放电测试分析了酸处理前后多壁碳纳米管的电化学性能.结果表明,通过酸氧化改性,多壁碳纳米管的管长变短,比表面积增加,表面含氮和含氧官能团增加,从而导致其电化学性能大幅度地提高,在1 mol·L-1的硫酸电解液中比电容从7 F·g-1增加到66 F·g-1

采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低

X光电子能谱表明,在Al-1.17%Cu合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中,有较大的Cu的偏聚.这种偏聚可用空位-Cu原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释

采用通量箱、比表面积分析仪、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪测试了电石法聚氯乙烯(PVC)行业中高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率、比表面积、成分及汞形态.研究表明:高汞触媒、低汞触媒和废高汞触媒的汞挥发速率分别为1.04×10-7、5.90×10-8和2.47×10-4mg·g-1·min-1.高汞触媒使用后氯化汞被还原为单质汞,且汞吸附于触媒表面,导致废高汞触媒汞挥发速率远高于新汞触媒

采用X射线光电子能谱(XPS)研究了带有两种纳米氧化层(NOL)Ta/Ni80Fe20/Ir19Mn81/Co90Fe10//NOL1//Co90Fe10/Cu/Co90Fe10//NOL2/Ta的镜面反射自旋阀薄膜的化学结构.研究结果表明:CoFe/NOL1和NOL2/Ta界面处发生了热力学有利的化学反应.CoFe磁性敏感层仍保持金属特性,部分氧化的CoFe和Ta发生界面反应,使得Ta覆盖层被氧化成Ta2O5,形成NOL2.由于仍存在部分金属CoFe,NOL1为不连续的氧化层,使得与IrMn层仍存在直接的交换耦合作用.在退火过程中,IrMn层中的Mn原子扩散到NOL1中;然而,由于NOL1和扩散的Mn原子发生界面反应,生成Mn的氧化物,从而阻止Mn原子的进一步扩散,使其偏聚在NOL1中

利用循环伏安、X射线衍射以及X射线光电子能谱等方法研究了镍电极在熔融碳酸盐中的氧化行为以及温度、气氛对其氧化行为的影响

采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长