为了提高实际生产中中间包等离子加热热效率，改善中间包内钢液流动状态，本文根据某钢厂中间包原型，通过物理模拟对比研究了有无等离子加热和不同等离子加热位置下中间包内温度场和流场的变化情况。研究结果表明，在无等离子加热条件下，中间包内死区比例较高，达到了36%，死区主要集中在中间包挡墙外侧上部区域；当加热位置位于挡墙外侧时，中间包内死区比例与不加热时相差不大，靠近加热位置处的温度急剧上升，挡墙内外两侧的温度差较大，中间包内整体温度分布不均匀；加热位置位于挡墙内侧时，中间包死区比例明显降低，达到29.2%，平均停留时间约增加57 s，出水口温度明显上升（约7 ℃），中间包内温度分布更均匀

我以不安和关切的心情研究历史记载和观察世界现状以 后,一种最忧郁的悲愤感使我十分沮丧。当我不得不承认造 化使人与人之间有了巨大的差别,或者不得不承认到目前为 止世界上所产生的文明非常不公平的时候,我只有为之一叹。 我曾经阅读各种讨论教育问题的书籍,耐心地观察过父母的 行为和学校的管理情况;

搭建了双电弧集成冷丝复合焊接系统，研究了冷丝不同位置对焊接过程的影响机理，其中包括冷丝作用位置对其加热熔化作用及表面成形的影响。实验结果表明：冷丝从两引导焊丝正前方送入时，熔池前端对冷丝的加热熔化作用不充分，冷丝末端会顶触熔池底部，随着冷丝的持续送进和母材的向后移动，某一时刻冷丝回弹，焊丝末端的熔滴弹出落在母材表面形成大颗粒飞溅。当冷丝从侧面送入时，熔池一侧的温度较低，影响熔池金属的流动，导致最终的焊缝成形不对称分布。当冷丝从两引导焊丝正后方送入熔池时，冷丝始终插入熔池中，焊接过程稳定，是理想的冷丝作用位置。此外，随着冷丝送丝速度的增加，两种脉冲电流模式（同相和反相）下，熔敷率均随之增加，且相差不大。同相脉冲电流下电弧对冷丝的加热熔化作用最强烈，反相脉冲电流下次之，直流模式下最弱

为研究纳米隔热材料孔隙结构内部的气体热传输特性, 采用溶胶-凝胶工艺结合超临界干燥技术, 制备了一系列具有不同孔隙结构特征的样品, 通过热导率、氮气吸-脱附和真密度测试, 全面、准确获取了其孔隙结构信息, 并专门、系统研究了孔隙结构特征与气体热传输特性之间的关系.研究结果表明: 与气相贡献热导率相对应, 材料具有双尺度孔隙结构特征, 并且当大孔隙尺度不及小孔隙的10倍时, 可进一步等效为单尺度孔隙.考虑气固耦合传热的本征气相贡献热导率随孔隙尺度的增大而升高, 与气相热导率变化类似且成一定的比例关系, 孔隙尺度小于200 nm和大于500 nm时的比例系数分别为2.0和1.5, 200~500 nm时则为2.0~1.5.当大、小孔隙尺度的比值不超过10时, 或者这一比值为100~1000且大孔隙含量低于10%时, 气相贡献热导率随环境气压的降低依次呈现快速下降、缓慢下降和无变化三个阶段; 当这一比值超过3000时, 即使大孔隙含量很低(不超过10%), 气相贡献热导率也会依次呈现快速下降、缓慢下降、快速下降和无变化四个阶段

1、安全生理系统：人的感官与神经系统（感官：视觉特征、听觉特征、嗅觉和味觉、肤觉、平衡运动觉，神经系统：神经元、基本结构、大脑机能区）；人的运动和供能系统（运动：骨功能、关节、肌肉组织，供能：能量产生、能量代谢、劳动强度及其划分）。 2、安全心理学基础和原理：心理学基础和原理（心理的实质、心理过程、个性心理）安全心理学基础（对安全的认识、情感与事故、与职业病作斗争的能力和意志） 3、人的疲劳与应激现象：人在作业过程中的疲劳特点及分类，引起疲劳原因分析以及预防疲劳的措施；应激源，应激效应，应激的预防与控制。 4、人的不安全行为：人的不安全行为从心理和生理因素分析（情绪水平失调、个性对不安全行为的影响、行为的退化、注意力的分散）；人不安全行为的控制与预防（建立与维持兴趣、安全教育与培训。安全监督与检查、稳定注意力（专注）等）

1、营养价值高的食物往往指多数人容易缺乏的那些营养素含量较高,或多种营养素都比较 丰富的那些食物。 2、同一食物的不同品种、不同部位、不同产地、不同成熟度之间也有相当的差距。 3、食品的营养价值也受储存、加工和烹调的影响

一、专利实施权 专利实施即将获得专利权的发明创造应用于生产实 践中,使之产生效果的行为。《专利法》第11条规定: “发明和实用新型专利权被授予后,除本法另有规定的 以外,任何单位或者个人未经专利权人许可,都不得实 施专利,即不得为生产经营目的制造、使用、许诺销售、 进口其专利产品,或者使用其专利方法以及使用、许诺 销售、销售、进口依照该专利方法直接获得的产品。外 观设计专利权被授予后,任何单位或个人未经专利权人 许可,都不得实施其专利,即不得为生产经营目的制造 销售、进口其外观设计专利产品

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

实际空间充满了各种不同电磁特性的介质。电磁波在不同介质中传播表现出不同的特性。人 们正是通过这些不同的特性获取介质或目标性质性的理论依据。因此电波传播是无线通信、 遥感、目标定位和环境监测的基础