§7.1 理想的MOS结构 §7.2 MOS结构的CV特性 §7.3 非理想（实际）MOS结构

§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

本章将讨论在热平衡条件下，半导体的基本特性及其物理基础，主要包括：平衡半导体载流子分布的物理规律；掺杂对半导体性质的影响等问题。 §3.1 本征半导体和本征费米能级 §3.2 非本征半导体 §3.3 费米能级 §3.4 重掺杂半导体 §3.5 深能级杂质和多重能级杂质

§1.1 半导体物理与微电子学的关系 §1.2 微电子学与半导体物理发展之间关系 §1.3 集成电路技术的发展规律 §1.4 微电子技术发展趋势和面临的挑战 §1.5 本课程的定位和内容安排

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（综合物理实验）_MgB2超导体的研究

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_9-2 用电容-电压法测量半导体中的杂质分布

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_8-1 纯铜低温热导率的测量

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_7-2 用传输式谐振腔观察铁磁共振

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_6-4 核磁共振成像

北京大学：《近代物理实验 Modern Physics Laboratory》课程教案（独立实验）_6-2 光泵磁共振实验指导