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20t复吹转炉冶炼不锈钢碳铬氧化动力学
文档格式:PDF 文档大小:540.79KB 文档页数:7
运用冶金反应动力学基本理论,结合具体工业试验条件,分析得到20t复吹转炉冶炼不锈钢低碳范围的脱碳速度式。用Runge-Kutta法通过计算机求解,得出的数值解与实验值基本一致
锂在苯碳黑中的电化学插入反应
文档格式:PDF 文档大小:410KB 文档页数:4
利用循环伏安法对锂在苯碳黑中的插入过程进行了研究。结果表明,锂在苯碳黑中的首次插入过程伴随着一些不可逆反应,这些不可逆反应是由于电解质溶液中的溶剂化离子的插入引起的。在碳表面也存在的不可逆反应。随着具有石墨结构成分的增加,在碳中有了明显的锂插入反应。经1000℃以上温度处理过的碳黑锂的迁出电位在0.1左右,从而能代替锂作二次锂电池阳极材料
《无机化学》课程教学资源(教案讲义)第十二章 p区元素 12.2 碳、硼、硅及其化合物 12.7 氮及其化合物 12.8 磷及其化合物
文档格式:DOC 文档大小:158KB 文档页数:6
12.2 碳、硼、硅及其化合物 12.7 氮及其化合物 12.8 磷及其化合物
吉林师范大学化学学院:《有机化学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第十五章 含硫含磷化合物
文档格式:PPT 文档大小:615.5KB 文档页数:25
第一节硫、磷原子的成键特征 1.由于价电子层构型类似,所以硫、磷原子可以形成与氧、氢相类似的共价键化合物。 2.由于3P轨道比2P轨道比较扩散,它与碳原子的2P轨道的相互重叠不如2P轨道之间那样有效,以硫、磷原子难以和碳原子形成稳定的PPπ键
《北京科技大学学报》:CVD金刚石膜{100}取向生长的原子尺度仿真
文档格式:PDF 文档大小:1.56MB 文档页数:6
运用动力学蒙特卡洛(KMC)方法从原子尺度对CVD金刚石膜{100}取向在3种不同化学反应模型下的生长进行了仿真.结果表明:(1)以CH3为主要生长组元的生长机制比较适合于{100}取向金刚石膜的生长;(2)对金刚石{100}取向而言,含有双碳基团的模型沉积速度并不比含有单碳基团的模型沉积速度大;(3)在高的生长速率下仍有可能获得表面粗糙度较小的金刚石膜;(4)对Harris模型的仿真结果与其本人的预测结果一致,并与实验结果符合良好
Fe-C-O系熔体吸氮反应的动力学
文档格式:PDF 文档大小:515.25KB 文档页数:6
研究往Fe-C-O系熔体吹氮时吸氮反应动力学,测定了氮分压、氧和碳含量以及温度对吸氮反应速度的影响。通过实验数据处理,得出Fe-C-O系熔体吸氮反应在氧含量较低时是一级反应,较高时是二级反应,氧含量很高时吸氮速度达最低值。碳能显著地降低Fe-C-O系熔体吸氮反应的传质系数。一级反应和二级反应活化能各为131.67kJ/mol,122.89kJ/mol
细小弥散碳化物与回火马氏体脆性
文档格式:PDF 文档大小:1.07MB 文档页数:6
本文利用透射电子显微镜及物理化学相分析技术研究了中碳硅-锰钢中回火马氏体脆性(TME)的微观机制,着重探讨了回火过程中析出的碳化物对TME的作用。结果发现,对应于40Si2Mn2钢中TME产生的回火温度区间,存在有由碳化物向渗碳体的转变,析出了细小弥散的颗粒状渗碳体。这种对应现象在40Si2Mn2Mo钢中也得到证实。40Si2Mn2Mo钢的TME产生的回火温度和弥散渗碳体的析出温度都要高于40Si2Mn2钢。由此得出:在回火过程中大量细小弥散渗碳体的析出是中碳硅-锰钢中TME产生的一个重要原因
含碳铬矿球团在竖炉内的还原
文档格式:PDF 文档大小:613.06KB 文档页数:7
在0.10m3的试验竖炉内使用含碳球团冶炼出18%Cr的铁合金。利用前人所做的基础理论研究结果,讨论了铬、硅、硫等元素在竖炉内的还原及渣-液两相的分配规律
酚醛树脂碳化产物作为锂离子电池碳电极材料(Ⅱ)——锂离子电池充放电性能测试
文档格式:PDF 文档大小:242.57KB 文档页数:3
测试分析了酚醛树脂碳化产物组装的锂离子充放电性能.实验结果表明,树脂碳化产物作为锂离子电池碳电极材料时,其碳化处理温度有一个最佳温度范围,酚醛树脂碳化产物的最佳温度在700℃左右;树脂碳化产物的比表面积是影响电池充放电性能的重要因素,碳化产物的比表面积越大,电池的充放电量就越高,电池充放电量与充放电电流密度成反比
基体温度对碳氮薄膜成分和结构的影响
文档格式:PDF 文档大小:449.9KB 文档页数:4
采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-C3N4化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高,超过一定的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持C-N键的存在
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