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Oxide Oxide Metallization Contact processing techniques that are similar to those of today's VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current ntSource

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Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors Prepared by: Jack Takesuye and scott Deuty Motorola inc INTRODUCTION As power conversion relies more on switched applications The IGBT is, in fact, a spin-off from power MOSFET

物质的导电性涉及其微观结构. 粗略地说, 我们可以将物质划分为导体和绝缘体(或称之为电介质). 导体的特征是具有大量自由电子, 而电介质则相反, 其中的电子作绕核运动而不易有自由运动 我们也可 以从能量的观点来说明, 构成导体的原子的能级通常有不满的壳层, 例如, . 当形成晶体 的时候, 将存在能带

上一讲我们对于全驻波传输线和行驻波传输线引进 了标准状态和等效长度 的概念。在全驻波传输线中， 把短路工作状态作为标准状态；完全类似，在行驻波 状？态中，则把小负载电阻 ＜ 作为标准状态，其 它状态只是在标准状态？上加一个等效长度 (Note： 可正可负)。当正式写电压、电流场沿线分？布时还 需考虑一附加相位。 这种阻抗面移动的思想对于微波工程中的其它问题 也有很大的启发

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Schottky Power Rectifier employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features oN Semiconductor epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or http:/lonsemi.com