在25Ni-15Cr-2Ti-Al型铁基高温合金中,硅含量的提高不仅影响合金的持久性能及高温拉伸性能,特别使室温冲击性能强烈降低。当合金中硅含量超过0.3%时,将形成Ni13Ti5Si7型的G相,硅含量的继续提高,会使合金的有效强化相γ'的析出量降低,并在长时时效过程中促成σ相的形成,进一步导致合金的室温脆化

通过钼丝炉上1kg铁水和感应炉上10kg铁水的实验,研究了铁水预处理时炉渣碱度和铁水温度对脱钛硅锰的影响,并系统的分析了其脱出规律.研究表明铁水中钛硅的氧化基本不受铁水温度和炉渣碱度的影响,锰的氧化受铁水温度和炉渣碱度的影响较大,低温、低碱度有利于铁水脱锰.当铁水温度T=1280℃,碱度R=0.44,铁水中钛硅锰可分别脱除至[Si]=0.011%,[Ti]<0.005%,[Mn]=0.024%,满足了高纯生铁对锰的指标要求

作者从连续式反应器体系中,反应速度与反应介质在反应器内停留时间这一基本矛盾出发,用数学模型对含铌铁水连续处理脱硅阶段的硅—铌分离氧化过程进行模拟,同时预报铁水和炉渣中多个组元的行为,并对影响硅—铌分离程度的主要因素进行了分析讨论,由模型得到的结果与实际过程相吻合

采用新型浇注料全组分流变仪,针对矾土基Al2O3-MgO质振动浇注料,测定了不同种类硅灰及其加入量、镁砂粉加入量、三聚磷酸钠加入量和不同粒度分布系数对流变性能的影响.研究结果表明:在振动条件下,全组分铝镁质振动浇注料具有Bingham流体的特征,并具有剪切稀化和正触变性.硅灰种类对浇注料的流变性有一定的影响.硅灰含量(质量分数3%~5%)对浇注料的流变性有较大影响,随着硅灰加入量的增大,浇注料的流变性逐渐变好.在实验的镁砂粉粒度下,镁砂粉含量(质量分数4%~12%)对浇注料的流变性影响较小.三聚磷酸钠加入量(质量分数0.13%~0.19%)对浇注料的流变性影响较大,随分散剂加入量的增加浇注料的流变性逐渐变好,在0.19%时又变差,最佳加入量为0.15%~0.17%.随粒度分布系数增大(0.23~0.31),浇注料所需的加水量逐渐降低,流变性逐渐变好,0.29以后变化不大.浇注料的流变性和流动性有较好的相关性.浇注料的流变性越好,流动性也越好

以硅锰脱氧的SWRH82B热轧盘条为实验钢种，研究增氮析氮法对硅锰脱氧钢中夹杂物的去除效果，并设置0.02、0.035、0.05、0.065和0.08 MPa五组增氮压力进行热态实验.实验结果表明：在1873 K的温度下，钢液经过增氮20 min、真空处理30 min后，不同炉次钢中T[O]均下降至1×10-5以下，最低为4×10-6，T[N]均下降至5×10-6以下，最低为2×10-6，夹杂物去除率均为40%以上，T[O]去除率均大于78%，表明该技术对硅锰脱氧钢中的夹杂物及T[O]有良好的去除效果.此外，随着增氮压力的升高，钢中T[O]与夹杂物去除率均有所升高，当充氮压力为0.08 MPa时，T[O]与夹杂物去除率分别达到89.2%和87.4%.理论分析表明，随着增氮压力的升高，气泡形核率增大、钢中生成气泡数量增多、钢中气泡的密度增加，从而提升气泡去除夹杂物的效率

采用以ZrO2(MgO)固体电解质,配以一新辅助电极SiO2+CaF2的方法,对Fe+C(sat)+Si体系进行了测量。结果表明:当硅测头插入铁水5s以后电动势值即可达到稳定值;电动势与硅量的关系符合理论公式;T=1694~1749K,电动势随温度的变很小。本研究所开发的硅测头具有响应迅速、准确,可望在现场得到应用推广

为解决SiO2气凝胶质脆和硬硅钙石热导率偏高的问题,以正硅酸乙酯为硅源采用溶胶-凝胶法制备SiO2气凝胶先驱体,而后将其与硬硅钙石复合经超临界干燥制备了硅酸钙复合纳米孔超级绝热材料.采用瞬时热带法测试样品常温下1.01×105~1×10-2Pa范围内的热导率,研究了制备条件对复合材料热导率的影响.结果表明,复合材料热导率随硬硅钙石体积质量的减小以及复合增重率的增加而降低,但随气凝胶体积质量的增大先降低后升高

经高温固溶处理后匀速冷却的Al-0.35%Si合金样品,晶界上可观察到富硅的析出相,析出量随着固溶处理温度的增加而增加。对于高温固溶处理,再在较低温度二次固溶处理不同时间后匀速冷却的样品,25min的晶界析出量最大;对于25min二次处理后直接水淬样品,晶界上可观察到1μm以上的析出相。实验结果表明,硅在铝界上存在着硅-空位复合体导致的非平衡偏聚

用炉外摇包精炼法代替冷装电硅热法生产中碳锰铁,电耗从1883kw.h/t降至823kw.h/t,锰回收率由61.34%提高到80.02%。炉外精炼时,终渣碱度控制在1.1~1.25,低硅硅锰合金含硅量控制在11%~13%范围内效果最好

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术