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基于激光电子散斑干涉技术(ESPI),对涂层失效过程的电子散斑干涉技术检测平台进行设计搭建,在不破坏涂层前提下,观察到浸泡失效过程中涂层的原位、实时和动态干涉条纹,并对其进行优化处理.将原位、实时观察到的条纹与零时刻条纹图像相减后进行计算机二值化处理,得到反映涂层失效信息的原位、实时及动态图像.针对环氧色漆/碳钢涂装体系,证实了电子散斑干涉技术分析的有效性,并根据其检测图像的变化,将环氧涂层的浸泡过程分为三阶段:初期没有斑点,涂层完好;中期出现模糊的斑点,涂层防护作用下降;后期出现清晰的黑色大斑点,涂层丧失防护能力.实现了涂层/金属界面失黏、膜下金属腐蚀微观发展过程原位、实时和动态的无损检测
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一、三相异步电动机的转动原理 二、三相异步电动机使用方法 三、三相异步电动机的运行和控制方法 四、三相异步电动机的机械特性 五、单相异步电动机的转动原理 六、直流电动机的转动原理 七、步进电动机的转动原理
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4.2.4 CD_ROM驱动器工作原理 1. CD_ROM 光驱的基本结构 2. 激光头与光调制解调原理 3. 伺服控制 4.3 CD_I交互式光盘系统 4.3.1 CD_I光盘的数据格式 4.3.2 CD_I系统结构 1. CD_I系统组成原理 2. CD_I音频处理子系统 3. CD_I视频处理子系统 4. CD_RTOS结构与功能
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根据光谱实验和量子力学计算,已十分清楚 (一)基态原子的电子构型/分布规律/原则 第一,多电子原子中不同n、原子轨道的能级高低不同 (这里不包含量子数m和m,因一般没有磁场) 我国科学家徐光宪教授首先总结出:
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首先 1、由电极电势判断原电池的正、负极计算电池电动势 任意两个电极→两个半电池 盐桥连接→原电池
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在原子结构中,电子分布符合能量最 低原则。基态是原子最稳定状态。 但是自然界中却发现,绝大多数元素 不以原子形式存在,而以化合物形 式存在,并且的原子数总是符合一 定比例的结合Na-Cl,H2O 说明化合物中的元素之间,存在着内 在地关系;说明原子并非是最稳定 的状态
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经济数学基础 第五章不定积分 第一单元原函数的概念 一、学习目标 通过本节课的学习,理解原函数的概念. 二、内容讲解 这节课我们讲原函数的概念
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6.1 生产工艺综述 6.1.1 生产工艺技术的发展 6.1.2 我国聚丙烯工艺技术的发展 6.2 浆液法聚合工艺 6.2.1 工艺概述 6.2.2 Montedison 公司浆液法工艺 6.2.3 Hercules 浆液法工艺 6.2.4 Amoco 化学公司浆液法工艺 6.2.5 三井油化公司浆液法工艺 6.2.6 现代浆液法工艺 6.3 溶液法聚合工艺 6.4 本体法聚合工艺 6.4.1 工艺概述 6.4.2 间歇法聚合工艺 6.4.3 连续式聚合工艺 6.5 本体法-气相法组合聚合工艺 6.5.1 Spheripol 工艺 6.5.2 Hypol 工艺 6.5.3 Borstar 工艺 6.6 气相聚合工艺 6.6.1 气相法工艺概况 6.6.2 Novolen 工艺 6.6.3 Unipol 工艺 6.6.4 Innovene 气相法工艺 6.6.5 Chisso 气相法工艺 6.6.6 住友(Sumitomo)气相法工艺 6.6.7 反应器颗粒技术及 Catalloy 工艺 6.7 工艺技术比较 6.7.1 技术性比较 6.7.2 经济性比较 6.8 原料及公用工程供应和消耗 6.8.1 丙烯的制造 6.8.2 丙烯等主要原料的规格和供应 6.8.3 公用工程的主要规格 6.8.4 原料及公用工程的典型消耗 6.9 聚合物的后处理 6.9.1 挤压造粒 6.9.2 产品均化及包装储存 6.10 工艺控制及先进控制 6.10.1 聚丙烯装置工艺控制 6.10.2 聚丙烯装置的先进过程控制 6.10.2.1 概述 6.10.2.2 APC 系统构成 6.11 安全、卫生及环境保护 6.11.1 安全 6.11.2 三废及环保 6.12 生产工艺发展趋势 6.12.1 催化剂仍是工艺技术发展的推动力 6.12.2 改进现有技术或开发新工艺技术使产品进一步的多样化和高性能化
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一、本章讲述网络程序设计的一些基础知识 二、涉及WWW、服务器端、客户端概念,静态网页工作原理和动态网页工作原理;常见网络程序设计语言及工作原理、选用原则;动态网站基本原理和规律等
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采用原子探针层析技术研究了核反应堆压力容器模拟钢中AlN相/α-Fe基体、富Cu相/α-Fe基体和AlN相/富Cu相三种相界面处Ni、Mn、P和C原子的偏聚特征.压力容器模拟钢经890℃保温0.5 h水淬,然后在500℃进行了20 h的时效处理.分析结果表明:Ni、Mn、C和P原子在富Cu相/AlN相界面上不发生偏聚;而在AlN相/α-Fe基体和富Cu相/α-Fe基体两种相界面上都会发生偏聚,且偏聚特征无明显区别,都是Mn的偏聚倾向大于Ni,C的偏聚倾向大于P
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