采用真空熔炼法, 经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析, 急冷工艺制备粉体呈非晶态, 缓冷工艺制备的粉体呈晶态, 结晶主相为R-3m空间群的As2GeTe4; 差热-热重分析显示, 升温至350℃时缓冷粉体As2GeTe4成分熔融, 400℃时两种粉体均开始快速失重, 为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失, 确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材, 将两种粉体分别升温至340℃, 加压20 MPa, 保温2 h制备出两种靶材, 其中缓冷粉体制备的靶材致密度高, 为5. 46 g·cm-3, 达混合理论密度的99. 5%, 形貌表征显示此靶材表面平整, 孔洞少, 元素分布均匀

对304L和316L奥氏体不锈钢试样在充氢后和充氢同时进行X射线衍射分析,观察到在充氢过程中存在奥氏体晶格膨胀-收缩-膨胀的现象;在充氢后时效一段时间的情况下,存在奥氏体晶格收缩-膨胀-收缩的现象,并初步讨论了可能的原因

本文研究了Fe73.5Nb3Cu1Si13.5B9新型高性能铁基超微晶软磁合金的性能与结构特征。结果表明,该合金的最佳退火温度为535℃,其起始磁导率μ(0.08A/m)=14.8×104,矫顽力Hc=0.6A/m,饱和磁感B(800A/m)=1.22T。最佳铁损分另为P5·10k=5.6W/kg,P5·20k=17.4W/kg,P5·50k=80W/kg,P5·100k=270W/kg。且在相当宽的频率范围内具有高有效磁导率μ＇1X射线衍射分析表明.合金中主相为xFe-Si固溶体,晶粒尺寸约为11nm,点阵参数a0为0.2837nm

在金刚石/铜复合材料表面通过化学镀镍获得了性能良好的镀层.采用真空钎焊,对各镀层进行焊接热处理,比较几种不同镀镍工艺的镀层性能,包括电镀以及两种不同配方的化学镀,测试各镀层在焊接热处理后的结合强度和耐蚀性等,用扫描电镜观察各镀层焊接前后的表面形貌,并用X射线衍射分析镀层的相结构.结果表明:用柠檬酸钠作络合剂的化学镀层,经过焊接热处理以后,镀层的耐高温性、结合强度以及耐蚀性等性能都要明显好于用丁二酸作络合剂的化学镀层和电镀层

在悬浮熔炼装置上采用玻璃包熔的净化处理工艺,可使Nd-Fe-B-Si合金熔体获得凝固前的深过冷,实验结果表明:随着过冷度的增加,枝晶形态由树枝晶向胞晶转变,并且是突发性的;该合金获得最大无量纲过冷度θ≥0.3。用X射线衍射分析表明;在深过冷Nd-Fe-B-Si合金的凝固组织中存在着亚稳相

采用电弧喷涂法制备Zn-Al-Mg-La-Ce涂层,通过盐雾试验对涂层进行腐蚀,利用能谱分析、X射线衍射分析、扫描电镜观察、极化曲线以及电化学阻抗谱等手段对腐蚀前后的Zn-Al-Mg-La-Ce涂层进行了研究.结果表明:实验制备的Zn-Al-Mg-La-Ce涂层具有较好的自封闭效果,组织致密,在腐蚀过程中表面的微观孔隙能够被自身的腐蚀产物有效堵塞,涂层表面形成的致密腐蚀产物层能够阻止腐蚀的进一步发生.因此,Zn-Al-Mg-La-Ce涂层具有优异的耐蚀性能

采用循环伏安法首次研究了LiF-NaF-K2TiF6-KBF4熔盐体系中钛离子和硼离子在铂、钼电极上电化学还原及电合成硼化钛的阴极过程机理。对恒电位电解的沉积物进行了X射线衍射分析。结果表明,当体系中硼钛摩尔比B/Ti大于2时,钛与硼可在同一电位下实现电解共沉积并反应生成硼化钛

利用正交实验设计方法,进行了利用冶炼渣回收铁及生产微晶玻璃建材制品的实验室研究.探讨了不同原料配比时渣铁分离的效果.通过光学显微镜、X射线衍射分析、物理化学性能测试等手段确定了微晶玻璃试样的物相组成及性能特征.提出了可供工业实验的原料配比及工艺制度

采用粉末渗镀法,研究了黄铜渗铝工艺。获得有效渗铝的工艺条件是:渗镀温度600℃,渗镀时间3h,渗剂组成是Al粉40%、NH4Cl 2%和Al2O3粉58%。渗铝后的黄铜耐蚀性提高1.8倍,硬度增加25.6%,渗层厚度为50μm。通过X射线衍射分析等得出,黄铜渗铝层的结构由表面至基体是Cu0.6108Al0.3892→γ2-Cu9Al4→α-CuZn(含Al)→α-CuZn

采用微弧氧化技术在ZAlSi12合金表面制备氧化膜,研究了Li2SO4的加入对微弧氧化膜性能的影响.随着电解液中Li2SO4含量增加,试样表面氧化膜变厚且粗糙.X射线衍射分析表明,微弧氧化膜主要由Al2O3相和莫来石相组成.加入Li2SO4且经微弧氧化处理得到的试样耐腐蚀性能优于未经微弧氧化处理的试样