1．了解有关化学反应速率的概念以及反应速率理论。 2．理解浓度、温度、催化剂对化学反应速率的影响，掌握质量作用定律、阿仑尼乌斯公式及其应用

(4) 氧化反应 (5) 聚合反应 (6) α-氢原子的反应 (7) 炔烃的活泼氢反应

1、电对与原电池之间熟练转换。 2、各类平衡对电极电位的影响：浓度、酸度、氧还反应、配位反应、沉淀反应（均由能斯特方程）

第二章回顾了仅仅考虑初始和终止状态时的反应系统热力学。 本章把第四章的化学动力学知识和热力系统的基本守恒原则(如质量、能量守恒)结合起来。 描述系统从开始反应状态到最后形成状态的具体过程,系统既可以处于平衡状态,也可以处于不平衡状态。即:计算系统反应从开始到结束不同时间的温度和各种成分的浓度

第一节 常用氧化剂 第二节 氧化反应

本门课程的产生及内容 化学工业是对原料进行化学加工以获得有用的产品。显然,其核心是化学反应过程及其设备,为使 化学反应经济有效的进行,反应器内必须保持某些最佳反应条件,如适宜的压强、温度和物料的纯度。 这些过程统称为前处理

动力学研究的内容:探讨反应的速率和机理 冶金反应多为高温多相反应,冶金过程常常伴有流体流动和传热传质现象发 生,因此,冶金动力学研究必然有涉及动量传递、热量传递和质量传递等冶金传 输问题

本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习，将能够： 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质

第一节 免疫学技术的范畴与应用 一、免疫学技术的范畴 二、免疫学技术的应用特点 第二节 有关免疫学基本概念 一、抗原的概念与属性 二、免疫细胞的概念与分类 三、免疫应答的概念与过程 第三节 抗原抗体反应的基本原理 一、抗原抗体反应的原理 二、抗原抗体反应的特点 三、影响抗原抗体反应的因素 第四节 免疫学检测技术的评价 一、评价标准 二、特异性与敏感性的关系 第一节 抗原/免疫原制备的基本概念 一、抗原制备的目的 二、抗原的“纯度” 三、抗原制备的主要技术途径 第二节 完全抗原/免疫原的制备方法 一、颗粒性抗原的制备 二、可溶性抗原的制备 第三节 半抗原免疫原制备的方法 一、载体的选择 二、半抗原与载体的联接

3.1 概述 3.2 单自由度弹性体系的地震反应分析 3.3 单自由度弹性体系的水平地震作用及其反应谱 3.4 多自由度弹性体系的地震反应的振型分解法 3.5 多自由度体系的水平地震作用 3.6 结构自振周期和振型计算 3.7 地基与结构的相互作用 3.10 结构的抗震验算