以CaF2＋SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2（MgO）固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400℃焙烧30min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450℃下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10s左右,稳定时间在20s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合

第一节 电化学分析概述 1．电化学分析：根据被测溶液所呈现的电化学性质及其变化而建立的分析方法 2．分类： 根据所测电池的电物理量性质不同分为 （1）电导分析法 （2）电解分析法 （3）电位分析法：直接电位法，电位滴定法 （4）库仑分析法 （5）极谱分析法 （6）伏安分析法 第二节 电位法基本原理 一、几个概念 二、化学电池 三、可逆电极和可逆电池 四、指示电极和参比电极 五、电极电位的测量 第三节 直接电位法 直接电位法（离子选择性电极法）： 利用电池电动势与被测组分浓度的函数关系直接测定试样中被测组分活度的电位法； 一、氢离子活度的测定（pH值的测定） 二、其他离子活度的测量 第四节 电位滴定法 第五节 永停滴定法

1范围 本方法适用于地面水、饮用水、生活污水及一般工业废水中C含量的测定。检出限为 0.9mg/L,线性范围是9.0~1000mg/L Br、s2对本法有明显干扰,超过0.36倍时干扰测定。K+、Na、Cu2+、Zn2+、Ca2+、Mg2+、 Pb2+、Fe3+、AP+、NH4+、Ac、HCO3均不干扰测定。其中s2的干扰可用加入少量的硝酸铅消 除。Br、的干扰可从测得的总卤素离子的含量中扣除Br、含量的方法消除

1范围 本方法适用于地面水、饮用水、污水、电子电镀、生化等一般工业废水中NO3N的测 定。 本方法的检出限为0.21mg/LNO3-N。线性测量范围为1.00~1000mg/lno3-n 试验了sO2、pO4、Cr、Br、I、Ac、HCO3、CO32、C2O42、nO2、s2、+、nH4、 A13+、Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Pb2、Fe2+、Fe+对测定的干扰,其中s2、r明显干扰,Br 大于57倍,NO2大于32倍,C大于250倍时有干扰,其他均无干扰

电解分析法是将被测溶液置于电解装置中进行 电解,使被测寓子在电极上以全属或其它形式析 出,由电解所增加的要量求算出其含量的方法。 这种方法实质上是重量分法,因而又称为电重 量分析法。 库个分析法是在电解分析法的基础上发畏起 来的一种分析方法。它不是通过 电解析出物 的重量,而是通过测量被测物质在100%电流效 率下电解所消耗的电量来进行定量分析的方法

采用记时电流法和记时电位法对5价铌Nb(V)在FLINAK熔盐中的氧化-还原过程进行了研究。结果表明,Nb(V)(K2NbF7)在FLINAK熔盐中的电化学还原经历一个电化学-化学-电化学反应(ECE)途径。Nb(V)在FLINAK熔盐中的还原反应是单电子和4电子两步电化学反应过程

一、电极反应过程的基本知识 二、经典极谱法的原理 三、单扫描示波极谱法原理 四、脉冲极谱法原理 五、极谱催化波和配合物吸附波 六、循环伏安法 七、 溶出伏安法

采用旋转圆盘电极,用双脉冲电位法从简单的镀液中电沉积Cu-Ni层状材料。研究了镀液中铜含量、添加剂、转速对镀层的组成和结构的影响,并用扫描电镜和X-射线衍射研究了镀层的形貌和组成。结果表明:镀层由纯铜和含有少量铜的铜镍合金层交替组成;为了降低铜在镍层中的含量。可以采取降低镀液中铜含量和降低转速来实现

 电极反应过程的基本知识  经典极谱法的原理  单扫描示波极谱法原理  脉冲极谱法原理  极谱催化波和配合物吸附波  循环伏安法  溶出伏安法

定义：在几乎无电流通过的条件下通过测量电池的电动势以确定物质含量的方法