1、静电场中的导体 (1)导体的静电平衡 导体电结构:带正电的晶格点阵和大量可以自由移动的电子组成

1.近自由电子模型 近自由电子模型认为:电子在晶体中 要受周围势场的作用,但这个势场的 平均势场是一个很微弱的势场,平均 势场是周期势场U(F)=U(+T),由于U() 很弱,可以用量子力学中的微扰论来 处理,这时 Shodinger方程中的哈密顿 量既有动能又有势能

1.模型和微扰计算 考虑金属中电子受到粒子周期性势场的作用,假定周期性势场的起伏较小。作为零级近似,可以用 势场的平均值代替离子产生的势场:V=V(r)。周期性势场的起伏量V(r)-=V作为微扰来处 理

1.模型和微扰计算 一维自由电子近似模型:金属中电子受到粒子周期性势场的作用,如图XCH004001所示。假定周 期性势场的起伏较小。作为零级近似,可以用势场的平均值代替离子产生的势场:=V(x) 一一周期性势场的起量V(x)-=△V作为微扰来处理

一、光和二能级原子相互作用的哈密顿量 二、二能级原子+单模光场的精确解J-C model 三、原子的自发辐射理论 四、缀饰态理论 五、二能级原子共振荧光简介 六、思考题（作业）

采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低

导体 导体电荷分布 库仑定律验证 导体表面电场与电荷分布 尖端效应 导体周围电场、受力、电势计算 电像法 静电场边值问题的惟一性定理 重新审视电容问题 真空静止电荷系能量 有关电荷的几个问题 静电能量的计算问题

对名义成分为Nd12.3-xDyxFe79.7Nb0.8Zr0.8Cu0.4B6(x=0,0.5,1.5,2.5)的预合金进行长时间高温退火,将其破碎,取向并粘结.分别沿取向方向和垂直于取向方向测量其磁化曲线.将两曲线延长至相交,交点对应的磁场视为材料的磁晶各向异性场.结果表明:随着Dy含量的增加,合金各向异性场(HA)呈线性增加.当Dy的原子分数为2.5%时,合金各向异性场达到7536 kA·m-1;平均每增加1%Dy,各向异性场提高值为200~300 kA·m-1

6-0教学基本要求 6-1静电场中的导体 6-2静电场中的电介质 6-3电位移有介质时的高斯定理 6-4电容电容器 6-5静电场的能量和能量密度

在实际应用中，常常需要考察某种物理量（如温度，密度，电场 强度，力，速度等）在空间的分布和变化规律，从数学和物理上看这 就是 场的概念