第一部分 电磁场的量子化 4 第二部分 光场的量子态 7 第三部分 泊松分布、二项分布与正态分布 13

第一章 晶体二极管 第二章 晶体三极管 第三章 场效应管

静电屏蔽 在静电平衡状态下

习题讨论课 一、真空中的静电场 二、导体与电介质

研究问题：从基本的静电现象出发，讨论静电场的描写方法和基本规律，进而建立静电场的基本方程式

从基本的静电现象出发，讨论静电场的描写方法和基本规律，进而建立静电场的基本方程式

场效应管用FET表示（Field Effect Transistor）。具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点

1. 传输线与信号完整性 2. 远场和近场 3. 串扰耦合的基本概念 4. 串扰耦合的预测方法

补充内容:拉普拉斯运算 标量场的拉普拉斯运算 对标量场的梯度求散度的运算称为拉普拉斯运算。记作:

本节讨论结型场效应管JFET和金属－氧化物－半导体构成的绝缘栅场效应管MOSFET