§3－1 网孔分析法 §3－2 结点分析法 §3－3 含受控源的电路分析 §3－4 回路分析法和割集分析法 §3－5 计算机分析电路实例 *§3－6 树支电压与连支电流法

§3－1 网孔分析法 §3－2 结点分析法 §3－3 含受控源的电路分析 §3－4 回路分析法和割集分析法 §3－5 计算机分析电路实例 *§3－6 树支电压与连支电流法

一.光学分析法(optical analysis) 基于物质发射的电磁辐射或物质与电磁辐射相互 作用后产生的辐射信号或发生的信号变化来测定物质 的性质、含量和结构的一类仪器分析方法,统称为光 学分析法。 任何一种光学分析法均包含三个主要过程:1)能 源提供能量2)能量与被测物质相互作用3)产生被 检测讯号

§6-1 桁架的特点和组成分类 §6-2 结点法 §6-3 截面法 §6-4 结点法与截面法的联合应用 §6-5 组合结构

一、GC的分类和特点 (一)分类 （1)按固定相的聚集状态分: 气固色谱法(GSC),气液色谱法(GLC) （2)按分离机理分:吸附色谱和分配色谱 （3)按色谱柱分: 填充柱色谱法:固定相填充在金属或玻璃管 中(i.d=4-6mm) 毛细管柱色谱法(i.d=0.1-0.5mm)

第一节 文案调查法 第二节 实地调查法 第三节 网络调查法 第四节 抽样调查法 第五节 非随机抽样方法

一、积分方程法 二、外部与内部问题 三、应用点源开始 四、二维标准解法 五、Galerkin法 六、配置法 七、三维形式 八、板积分

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

引例把3个不同的数字1、2、3排成一列,共有多少种 排法? 显然,左边位置上可以从1、2、3三个数字中任选一个 ,所以有三种放法;中间位置上只能从剩下的两个数字 中选一个,所以有2种放法;右边位置上只能放最后剩 下的一个数字,所以只有1种放法

一、市场调查数据分析的基本方法 二、假设检验法 三、方差分析法 四、聚类分析法 五、判别分析法