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北京第二外国语学院:《旅游规划与开发》课程电子教案(PPT教学课件)第一章 我国的旅游资源
文档格式:PPT 文档大小:8.11MB 文档页数:56
一、我国旅游资源概况 二、我国的风景名胜区 三、我国的国家地质公园 四、中国八大菜系 五、我国的25个重点旅游城市 六、我国列入《世界遗产目录》 的旅游资源 七、西部地区极品旅游资源分布表 八、中国与世界五大旅游强国的资源地位比较-地文景观
《毛泽东思想、邓小平理论和“三个代表”重要思想概论》课程教学资源(章节习题)第八章 建设中国特色社会主义经济-练习
文档格式:DOC 文档大小:139.5KB 文档页数:18
第八章建设中国特色社会主义经济练习 编制整理刘荣材 一、单项选择题(共40道题) 1.首次明确肯定社会主义经济是“在公有制基础上有计划的商品经济”的文件是:() A、《中共中央关于经济体制改革的决定》 B、《中共中央关于建立社会主义市场经济体制若干问题的决定》 C、《中共中央关于社会主义精神文明建设指导方针的决议》 D、《中共中央关于加强社会主义精神文明建设若干重要问题的决议》
湖南大学:《高等数学》课程PPT教学课件(讲稿)第四章 一元函数的导数和微分 §4-5 微分中值定理
文档格式:PPT 文档大小:639KB 文档页数:63
湖南大学:《高等数学》课程PPT教学课件(讲稿)第四章 一元函数的导数和微分 §4-5 微分中值定理
湖南大学:《高等数学》课程PPT教学课件(讲稿)第四章 一元函数的导数和微分 §4-3 高阶导数
文档格式:PPT 文档大小:938KB 文档页数:37
湖南大学:《高等数学》课程PPT教学课件(讲稿)第四章 一元函数的导数和微分 §4-3 高阶导数
西安电子科技大学:《大学物理》第十四章 波动光学(1/3)
文档格式:PPT 文档大小:1.57MB 文档页数:19
§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯-菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象
南京邮电大学光电工程学院:《电路分析基础》第5章 一阶电路分析 5.5 一阶电路的全响应 5.6 一阶电路的三要素法 5.7 一阶电路的特殊情况分析 5.8 阶跃信号和阶跃响应 5.9 脉冲序列作用下的一阶电路分析
文档格式:PPT 文档大小:1.08MB 文档页数:91
5-5 一阶电路的全响应 5-6 一阶电路的三要素法 5-7 一阶电路的特殊情况分析 5-8 阶跃信号和阶跃响应 5-9 脉冲序列作用下的一阶电路分析
南京邮电大学光电工程学院:《电路分析基础》第5章 一阶电路分析 5.2 换路定则及初始值计算 5.3 一阶电路的零输入响应
文档格式:PPT 文档大小:411.5KB 文档页数:23
5-2 换路定则及初始值计算 5-3 一阶电路的零输入响应
西安电子科技大学:《大学物理》第十四章 波动光学(3/3)
文档格式:PPT 文档大小:1.07MB 文档页数:19
§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯-菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象
西安电子科技大学:《大学物理》第十四章 波动光学(2/3)
文档格式:PPT 文档大小:2.2MB 文档页数:20
§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯-菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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