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3.1 指令系统概述 3.2 指令格式 3.3 指令系统的寻址方式 3.4 8051指令系统分类介绍 3.4.1 数据传送类指令 3.4.2 算术运算类指令 3.4.3 逻辑操作类指令 3.4.4 控制跳转类指令 3.4.5 位操作类指令 3.5 8051指令系统汇总 3.6 某些指令的说明 3.7 8051汇编语言程序设计基础 3.7.1 编程语言概述 3.7.2 汇编语言语句和格式 3.7.3 伪指令 3.7.4 汇编语言源程序的汇编 3.8 8051汇编语言程序设计举例 3.8.1 子程序的设计 3.8.2 查表程序设计 3.8.3 分支转移程序设计 3.8.4 循环程序设计
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2.1 AT89S52单片机的硬件组成 2.2 AT89S52的引脚功能 2.2.1 电源及时钟引脚 2.2.2 控制引脚 2.2.3 并行I/O口引脚 2.3 AT89S52的CPU 2.3.1 运算器 2.3.2 控制器 2.4 AT89S52的存储器结构 2.4.1 程序存储器空间 2.4.2 数据存储器空间 2.4.3 特殊功能寄存器 2.4.4 位地址空间 2.4.5 存储器结构总结 2.5 AT89S52的并行I/O端口 2.5.1 P0口 2.5.2 P1口 2.5.3 P2口 2.5.4 P3口 2.6 时钟电路与时序 2.6.1 时钟电路设计 2.6.2 时钟周期、机器周期、指令周期与指令时序 2.7 复位操作和复位电路 2.7.1 复位操作 2.7.2 复位电路设计 2.8 AT89S52单片机的最小应用系统 2.9 看门狗定时器(WDT)功能简介 2.10 低功耗节电模式 2.10.1 空闲模式 2.10.2 掉电运行模式
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采用先进电子显微术在原子尺度研究了(001)单晶SrTiO3衬底上生长的纳米复合薄膜0.65BiFcO3-0.35CoFe2O4的组织形态以及界面结构.BiFeO3(BFO)和CoFe2O4(CFO)两相在外延生长过程中自发相分离,形成自组织的复合纳米结构.磁性尖晶石CFO呈方块状均匀分布于铁电钙钛矿BFO基体中,并沿[001)1]方向外延生长,形成垂直的柱状纳米结构.两相具有简单的立方-立方取向关系,即[001]BFO//[001]CFO和(100)BFO//(100)CFO,且界面为{110}晶面.薄膜表面起伏不平,形成CFO{111}小刻面而BFO则为平整的(001)表面.能谱分析结果表明各相成分均匀分布并无明显的元素互扩散发生
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1冶金平衡体系热力学分析 化合物的稳定性 1.通用方法:例比较1000K下Al2O3和CaO的相对稳定性。 Al2O3(s)+3Ca(s)=2l(1)+3Ca(s)(9.1-1) 2.用生成反应的标准 Gibbs自由能△G进行比较: 存在一个统一比较标准的问题
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第六章不定积分 CThe indefinite integration 6-1原函数和不定积分 6-1-1原函数概念及性质 6-1-2不定积分概念及性质 5-1-3基本积分表及凑微分法 6-2不定积分方法 6-21变量置换法 6-2-2分部积分法 63有理函数的积分 6-3-1最简分式的积分 6-3-2有理函数的积分 6-4其他可积成有限形式的函数类 6-4-1三角有理式的积分 第十四讲原函数及不定积分 课后作业: 阅读:第六章61:pp206-210;6.2:p2ll-214 预习:第六章62:pp214-216;63:pp218-22:6.4:pp224-230 练习pp.210-21:2习题61 复习题全部;习题1;2;3(1)-(8)
文档格式:PDF 文档大小:238.34KB 文档页数:25
1.27℃时,5 moI Nh3(g)由5dm3恒温可逆膨胀至50dm3,试计算 体积功。假设NH3(g)服从范德华方程
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第六章定积分 (The definite integration) 第十四讲定积分概念及性质 课后作业: 阅读:第六章6.1,6.2:pp158--166 预习:6.3,6.4:6--182 练习pp.66-16:习题6.2:1,(1),(3)23,(1);4,(1)(3)(5) 5,(1),(5) 作业p.166168:习题6.2:1,(5);3,(2)4,(2),(4),(6); 5,(2),(3),(6);6;7. 6-1定积分概念与性质 6-1-1问题引入 一定积分(Riemann)的背景:两个曲型问题。 (1)求曲线所围的面积: 函数f(x)在有界区间[a,b]非负连续,由Ox轴、直线x=a、 x=b(a
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概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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1范围 本方法适用于地面水、饮用水、污水、电子电镀、生化等一般工业废水中NO3N的测 定。 本方法的检出限为0.21mg/LNO3-N。线性测量范围为1.00~1000mg/lno3-n 试验了sO2、pO4、Cr、Br、I、Ac、HCO3、CO32、C2O42、nO2、s2、+、nH4、 A13+、Ca2+、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Pb2、Fe2+、Fe+对测定的干扰,其中s2、r明显干扰,Br 大于57倍,NO2大于32倍,C大于250倍时有干扰,其他均无干扰
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1适用范围 本方法适用于饮用水、地下水、地表水中质量浓度大于0.5ug/L的硝基苯酚的测定。包 括2一硝基苯酚、3一硝基苯酚、3一硝基苯酚、4一甲基2一硝基苯酚、3一甲基4一硝基 苯酚、5一甲基2一硝基苯酚、3一甲基—2一硝基苯酚、2,4一二硝基苯酚、2,5一二硝基苯酚、 2,6二硝基苯酚、2,4一二硝基6一甲基苯酚、2,6一二甲基—4硝基苯酚、2,4一二氯一6 一硝基苯酚、2,6一二氯4硝基苯酚
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