5-7 正弦稳态电路的功率 5－8 三相电路

4-3 一阶电路的完全响应 4-4 一阶电路的三要素法 4－5 一阶电路的阶跃响应 4-5-2 阶跃响应

§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯－菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象

5-5 一阶电路的全响应 5-6 一阶电路的三要素法 5-7 一阶电路的特殊情况分析 5－8 阶跃信号和阶跃响应 5-9 脉冲序列作用下的一阶电路分析

5－2 换路定则及初始值计算 5-3 一阶电路的零输入响应

§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯－菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象

§14-1 光是电磁波 §14-2 光源 光波的叠加 §14-3 杨氏干涉实验 §14-4 光程与光程差 §14-5 薄膜干涉 §14-6 迈克耳逊干涉仪 §14-7 惠更斯－菲涅耳原理 §14-8 单缝夫琅和费衍射 §14-9 光栅衍射及光栅光谱 §14-10 偏振光和自然光 §14-11 起偏和检偏 马吕斯定律 §14-12 反射和折射产生的偏振光 §14-13 双折射现象

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

5.1概述 在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工艺等

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战