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渗碳工件的热处理方法和残余应力
文档格式:PDF 文档大小:849.89KB 文档页数:10
本文主要研究渗碳后的不同热处理工艺对表层残余压应力大小及其分布的影响,说明渗碳后等温淬火这项新工艺的特点。研究结果表明,对凿岩机钎尾渗碳后等温淬火有效地提高了凿岩寿命,是由于渗碳淬火造成了表层和心部的成份、组织的差异而使表层产生一层有利的残余应力起作用的结果。文章进一步指出,高碳钢的氮化——淬火工艺往往比渗碳钢具有较高的疲劳强度及使用寿命,可能由于它有更高的表面残余应力。另外,表面复合强化工艺可有效地改善表面残余应力分布,可能是一个值得重视的方向
《分析化学》课程PPT教学课件(教案讲稿)滴定分析法——滴定分析法应用
文档格式:PPT 文档大小:1.65MB 文档页数:31
一、酸碱滴定法的应用 二、配位滴定法的应用 三、氧化还原滴定法的 应用 四、沉淀滴定法的应用
《物理化学》课程教学资源:第八章 化学动力学
文档格式:DOC 文档大小:254.5KB 文档页数:18
1. 掌握化学反应速率的表示方法、反应级数和反应分子数的概念; 2. 掌握具有简单级数反应的动力学特征,掌握从实验数据确定此类反应的级数、反应速率常数和其它有关计算;
雁北师范学院化学系:《物理化学》课程教学课件(PPT电子教案)第八章 化学动力学
文档格式:PPT 文档大小:4.08MB 文档页数:188
8.1化学反应速率及速率方程 8.2具有简单级数的反应 8.3反应级数的测量法 8.4几种典型的复杂反应 8.5温度对反应速率的影响 8.6链反应 8.7拟定反应机理的一般方法
应急救援物资车辆运输路线多目标优化
文档格式:PDF 文档大小:718.51KB 文档页数:10
运用运筹学中图论及多目标优化的理论和方法建立应急救援物资车辆最佳运输路线的选择模型,并基于启发式算法求解该模型.从静态网络应急物资车辆运输路线的双目标优化问题入手,设计适合本文模型的算法,并将之推广至含有三个及三个以上优化目标的路线选择问题.引入时间扩展图的概念,将动态网络中的最佳运输路线问题转化为静态网络中的路径选择问题.算法实质是通过构造辅助决策函数实现Dijstra算法的调用,并在辅助函数构成的搜索空间上寻找最优解,是一种快速的、近似的算法.利用随机路网和真实路网测试本文算法,测试结果与本文的理论分析一致,证明本文算法在应急救援物资车辆运输路线的多目标优化问题中可行且有较好的应用效果
基于SHPB的不同含水状态砂岩动态响应
文档格式:PDF 文档大小:862.21KB 文档页数:8
为研究不同含水状态岩石力学性质的变化规律,并保证仅受含水量这一单一因素的影响,以砂岩作为试验材料,制备饱和系数分别为2.82%、52.11%、100%的干燥、半饱和、饱和三种不同含水状态的岩石试样,进行静载以及8种不同冲击能量作用下的动力学性质的研究.通过试验可知:在静载作用下,相比干燥岩石,半饱和、饱和岩石试样的应力-应变曲线随含水量增加出现了峰值明显降低的现象,抗压强度分别降低了8.12%、19.26%.动载作用下,随应变率的增加,3种岩石强度均呈现不同程度的线性变化,应力-应变曲线出现右移及峰值增加的现象,且干燥岩石与含水岩石在卸载阶段有明显不同的两种趋势,特别是在卸载第二阶段.而在相同冲击能量作用下,岩石的含水量越大,其破碎程度越大
《环境影响评价》工程师考试教学资料:第三章 环境现状调查与评价
文档格式:DOC 文档大小:636.5KB 文档页数:60
环境现状调查是环境影响评价的组成部分,一般情况下应根据建设 项目所在地区的环境特点,结合环境要素影响评价的工作等级,确定 各环境要素的现状调查范围,并筛选出应调查的有关参数。 环境现状调查中,对环境中与评价项目有密切关系的部分(如大气、 地面水、地下水等)应全面、详细,对这些部分的环境质量现状应有 定量的数据并做出分析或评价;对一般自然环境与社会环境的调查, 应根据评价地区的实际情况进行调查
重庆大学:《大学化学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第4章 电化学原理及应用(1/2)
文档格式:PPT 文档大小:270KB 文档页数:35
本章从氧化还原反应出发,简单介绍原 电池的组成、半反应式以及电极电势的概 念,着重讨论浓度对电极电势的影响以及 电极电势的应用:比较氧化剂还原剂的相 对强弱,判断氧化还原反应进行的方向和 程度,计算原电池的电动势等。介绍电解 池中电极产物及电解的应用,电化学腐蚀 及其防护的原理
《药物合成反应》课程教学资源(PPT课件讲稿)第三章 酰化反应
文档格式:PPT 文档大小:419.5KB 文档页数:121
第一节 氧、氮原子上的酰化反应 第二节 碳原子上的酰化反应 第三节 α,β环氧烷基化反应 第四节 环加成反应
西安交通大学:《半导体制造技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第十二章 淀积
文档格式:PPT 文档大小:1.8MB 文档页数:68
本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备,重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。 通过本章的学习,将能够: 1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。 2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。 3. 列举并描述化学气相淀积(CVD)反应的8个基本步骤,包括不同类型的化学反应。 4. 描述CVD反应如何受限制,解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。 5. 描述不同类型的CVD淀积系统,解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。 6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性,给出应用的例子。 7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。 8. 解释旋涂绝缘介质
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