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一、数码相机的定义 数码相机又称为数字相机,简称DCS(Digital Still Camera)。其实质是一种非胶片相机,它 采用CCD(电荷藕合器件)或CMOS(互补金 属氧化物半导体)作为光电转换器件,将被摄 物体以数字形式记录在存储器中
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1、加产物的立体选择性 2、过氧化物放应—反马加成始 3、KMnO4氧化的应用 4、3氧化的应用 5、a-H的取代反应
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光电器件主要分成外光电效应(光电发射效应, 分表面效应和体效应,金属和金属氧化物)和内光电效应(光电导效应和光生伏特效应,半导体) 就光电器件而言,最重要的参数是:灵敏度、驰豫时间和光谱分布。其次是温度特性、噪声特性等
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地壳(crust):由固体岩石构成,平均厚度16km, 分硅铝层(花岗岩层)和硅镁层(玄武岩层) 地幔(mantle):上地幔是熔融状态物质,可能是 岩浆的发源地;下地幔主要是由铁镁氧化物和 硫化物组成。 地核(core):由比重较大的铁镍合金组成,平 均密度大于10g/cm3。外核是液态的,内核是固 态。 地壳运动主要起因于地幔物质的对流
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氮氧化物的脱除技术
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利用热重分析仪、扫描电镜和电子探针研究了含As或者Cu+As的C-Mn钢的高温氧化特性.1050℃氧化初期约500 s内,As钢和Cu-As钢为线性氧化阶段,随后转为抛物线氧化,两种钢的抛物线氧化速率均高于C-Mn钢.因氧化层分离,1150℃氧化增重小于1050℃氧化增重.钢中Cu和As的存在促进了固相Fe2SiO4层的生长.由于As在氧化层/基体界面的富集,1050℃氧化时,As钢中存在明显的条带状内部氧化粒子层;C-Mn钢中加入Cu和As后,其氧化层/基体界面变得崎岖不平,内部氧化粒子的数量随着氧化时间及氧化温度的增加而增加.1050℃氧化时氧化层/基体界面处Cu和As的富集程度高于1150℃氧化
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研究了950℃高温下高钒耐磨合金的高温氧化行为,并研究了在随炉冷却和空冷两种不同冷却方式下的氧化增重与开裂行为.结果表明:氧化初期材料表面发生“暂态氧化” ,所有元素均参与氧化反应,随后在炉冷时氧化增重比空冷时的氧化增重要大的多,当氧化8 h后单位面积氧化增重分别为82.7 mg·cm-2与39.1 mg·cm-2,炉冷与空冷氧化增质量相差一倍多.虽然在基体/氧化层界面形成了能起到一定保护作用的50~200 nm厚Cr2O3致密氧化层,但同时也存在疏松氧化层;而炉冷时样品以生长应力为主,氧化层发生“翘曲”现象,但较少引起氧化层脱落.然而空冷时冷却速度较大,氧化层内易产生较大热应力,致使氧化层较易开裂或者脱落
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采用静态氧化增重实验及扫描电镜、能谱分析和X射线衍射分析等手段,研究了ODS-310合金在高温环境下的氧化行为,分析了氧化层的形貌、成分和物相,并对其高温氧化动力学曲线进行拟合.实验发现各个温度下的氧化动力学曲线均基本符合抛物线规律.在700℃和900℃氧化100 h以后,ODS-310合金均表现出优异的抗氧化性能.但是,当氧化温度为1100℃时,氧化层厚度明显增厚,而且氧化层有疏松和不连续的现象,不利于氧化层对基体的保护.氧化程度随着氧化温度的提高和氧化时间的延长而加剧.通过能谱和X射线衍射综合分析可知氧化层的物相为Cr2O3
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以Cr35Ni45Nb合金为研究对象,进行不同气氛条件下高温时效及高温持久试验,并结合扫描电镜及定量电子探针对样品表面及横截面的观察分析,系统研究不同氧化条件下Cr35Ni45Nb合金组织演变与持久寿命的关系.结果表明:随着处理时间的延长,管材边缘及内部组织均逐渐发生变化.氧化序列体现为先是在样品边界不同地点形成不连续的氧化膜,随后氧化膜连成一体形成连续氧化膜,同时贫化区也逐渐形成;由于温度波动,氧化膜破裂脱落,而在氧分压较高的时效环境中,氧化膜得不到及时修复,使得贫化区晶界中出现内氧化.此外,在空气中氧化与在真空充氩气石英管中持久试验结果表明,较薄的连续氧化膜有助于提高合金的蠕变性能,而随着高温时效时间的延长,边界贫化区逐渐形成,氧化膜破裂及内氧化的发生,使得合金的蠕变性能逐渐弱化
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运用循环伏安曲线、稳态极化曲线和Tafel曲线等电化学手段以及X射线光电能谱(XPS)法研究了辉铜矿在有菌和无菌体系下氧化过程的电化学行为.研究结果验证了辉铜矿在有菌体系和无菌体系下的两步氧化溶解机理,第一步氧化反应为辉铜矿不断氧化生成缺铜的中间产物CuxS(1≤x<2),直至生成CuS,在较低电位下即可进行;第二步反应为中间产物CuS的氧化,需要在较高电位下才可进行,反应速率较慢,是整个氧化反应的限制性步骤.循环伏安实验显示有菌体系电流密度明显大于无菌体系,表明细菌加快了辉铜矿的氧化速率.稳态极化实验显示辉铜矿点蚀电位较低,无菌体系第一段反应活化区电位范围小于有菌体系,表明辉铜矿氧化过程生成的中间产物硫膜具有钝化效应,细菌可以通过自身氧化作用破坏硫膜,减弱辉铜矿表面的钝化效果,加快辉铜矿的氧化溶解速率.X射线光电子能谱分析显示电极表面钝化层物质组成复杂,包含了CuS、多硫化物(Sn2-)、(S0)和含(SO42-)的氧化中间产物等多种物质,其中主要的钝化物为CuS,表明辉铜矿的氧化遵循多硫化物途径
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