纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

利用低温液氮球磨和放电等离子烧结工艺制备了块体纳米晶Al-Zn-Mg-Cu合金.采用X射线衍射(XRD)技术分析了材料的晶粒尺寸和微观应变,利用透射电镜(TEM)研究了合金微观组织的演变.结果表明:采用放电等离子烧结法制备的7000系纳米铝合金具有两种不同的纳米晶结构,以晶粒尺寸50~100nm的等轴晶为主,少量200~400nm的大晶粒为辅;烧结过程中发生再结晶及第二相析出,析出的第二相以η(MgZn2)为主,θ(Al2Cu)以及S(Al2CuMg)为辅

采用磁力搅拌与放电等离子烧结技术制备了碳纳米管(CNT)增强铝基复合材料.对试样进行了扫描电镜和透射电镜表征,测试了试样的力学性能、摩擦性能、电学性能和热学性能.当碳纳米管在试样中的质量分数为1%时,可在铝基体中均匀分布且CNT/Al界面结合良好,此时试样的抗拉强度和硬度较纯A1分别提高了29.4%和15.8%.在获得最佳力学性能强化和最佳减磨效果的同时.试样电导率较纯Al仅降低8.0%.碳纳米管可提高基体的热导率.但强化效果不明显

苏州大学：能源学院《纳米科学与技术》课程教学大纲

1 材料化学的内涵 2 金属材料 3 新型无机非金属材料 4 有机高分子材料 5 复合材料 6 纳米材料 7 材料技术的发展趋势

苏州大学：物理科学与技术学院物理学专业《薄膜技术与纳米材料》课程教学大纲（英文）

苏州大学：物理科学与技术学院物理学专业《薄膜技术与纳米材料》课程教学大纲

苏州大学：物理科学与技术学院物理学（师范）专业《薄膜技术与纳米材料》课程教学大纲

电子科技大学：《集成电子学 Integrated Electronics》课程教学资源（课件讲稿）第五章 纳米CMOS器件的沟道工程和超浅结技术