采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低

用密封反应室气液平衡法，测定了Bi蒸气在Fe液中的溶解平衡及第三组元Cr，Cu，C，Al和Si对Bi溶解量的影响，得到Fe液中Bi蒸气溶解反应标准溶解吉布氏自由能与温度的关系式，以及1873K温度下Fe液中第三组元与Bi的活度相互作用系数

研究了Bi2O3-BaO-SiO2-RxOy玻璃体系的结构及封接性能.应用密度泛函理论计算获得了Bi2O3在SiO2玻璃网络中的能量最优结构,从理论上确定了铋作为网络中间体最可能以[BiO3]形式存在,并讨论了Ba2+、Al3+等在玻璃中的作用及其存在的可能结构.结果表明,该玻璃的热膨胀系数在50~530℃温度为11×10-6 K-1,与氧化钇稳定氧化锆(热膨胀系数10.2×10-6 K-1)电解质和不锈钢SUS430(热膨胀系数11.3×10-6 K-1)合金连接体相匹配.对玻璃粉体进行物相分析表明,该硅酸盐玻璃为非晶体,与理论分析相一致.将氧化钇稳定氧化锆电解质和SUS430合金连接体用Bi-Ba-Si-O玻璃在高温下进行封接实验,结果说明三相界面结合紧密,气密性良好.实验选定的Bi-Ba-Si-O玻璃材料基本满足固体氧化物燃料电池对封接材料的要求

12.1BI0S简介 12.2BI0S主要设置 12.3BI0S的错误信息和解决方法 12.4BI0S的升级

Based on the measured activities, the phase diagrams and the annexation principle, the calculating models of mass action concentrations for Ag-Bi and Ag-Bi-In melts have been formulated. The calculated results agree with practice and obey the mass action law, showing that the models formulated can reflect the structural characteristics of both melts. Meanwhile, it confirms that annexation principle is applicable to the Ag-Bi-In metallic melts. The melts involving eutectic which give rise to phase separation, and in which activities exhibit positive deviation from Raoult's law is the basic cause of melts transforming from homogeneous to heterogeneous ones

采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410 V·mm-1,非线性系数为38.0,漏电流为0.58μA

采用套管法(PET)制备Bi系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Bi系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Jc值反而降低。带材优化的冷压工艺参数是838℃/60h+冷压+838℃/60h冷压+838℃/60h.第1次压力为2GPa,第2次2.5GPa;冷压压下速率为1.5×10-4mm/s.同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善了带材的超导性能

Intel原装主板BI0的刷新与修改曾经难仼了很多DIY爱好者,由于 .Intel的种种限制,使得这些主板BI0S看起来很神秘, 本文将给大家揭开 Intel原装主板BI0的秘密

借助于引入θ参数所得到的组元的活度系数与温度间的新关系式,导出了由二元简单共晶的相图计算组元活度的修正式。应用本文的新公式计算了1200K下Cu-Bi二元系中Cu-Bi的活度,结果表明经修正后的公式与实测数据吻合

在Bi2223/Ag超导多芯带材的制备过程中，采用了热处理—冷压—热处理的工艺，取压力、压下速率、摩擦系数和来料作为待研究的冷压工艺参数，以带材的临界电流Ic值为评价指标，用正交法设计实验方案，结果表明：摩擦系数对带材临界电流Ic值的影响高度显著，压力和来料对带材Ic值的影响显著，压下速率对带材Ic值的影响程度量小．