§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 、晶闸的阳极伏安特性 晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系 称晶闸管的阳极伏安特性 正向 导通 (1)正向特性:(一象限) 正向导通曲线:导通后的晶闸管特性和二极管的 正向特性相仿 正向阻断曲线:在门极电流G=0情况下,逐渐 IG2 IGI IG=0 增大晶闸管的正向阳极电压。先是晶闸 RSM RRM 管处于断态,只有很小的正向漏电流, 随羞正向阳极电压的增加,当达到 转折电压VBO时,漏电流突然剧增 性从高阻区(阻断状态)经负阻区到达 雪崩 低阻区(导通状态) 击穿 (2)反向特性:(三象限) 与一般二极管的反向特性相似,在正常情况下, 当晶闸管承受反向阳极电压时,晶闸管总处于阻 断状态。当反向电压增大到一定数值时,反向漏 电流增长较快。若再继续增大反向电压,会导致 IG2>IG1>IG 晶闸管的反向击穿,造成晶闸管损坏。 图1-5
§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 一、晶闸的阳极伏安特性 晶闸管阳极与阴极间的电压和阳极电流的关系， 称晶闸管的阳极伏安特性 (1)正向特性：（一象限） 正向导通曲线：导通后的晶闸管特性和二极管的 正向特性相仿 正向阻断曲线：在门极电流IG＝0情况下，逐渐 增大晶闸管的正向阳极电压。先是晶闸 管处于断态，只有很小的正向漏电流， 随着正向阳极电压的增加，当达到正向 转折电压VBO时，漏电流突然剧增，特 性从高阻区（阻断状态）经负阻区到达 低阻区（导通状态） (2)反向特性：（三象限） 与一般二极管的反向特性相似，在正常情况下， 当晶闸管承受反向阳极电压时，晶闸管总处于阻 断状态。当反向电压增大到一定数值时，反向漏 电流增长较快。若再继续增大反向电压，会导致 晶闸管的反向击穿，造成晶闸管损坏。 正向 导通 雪崩 击穿 O +UA -UA -I A I A I H I G2 I G1 I G =0 Ub o UDSM UDRM URSM URRM IG2>IG1>IG 图 1-5
§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 二、晶闸管的阳极主要参数 1、额定电压UTn (1)出厂额定电压 额定结温时,取正向断态重复峰值电压UDSM和反压断态重复峰值电压U吚RSM各乘以0.9后取整较小 的值 2)使用时选择额定电压 实际工作电路中可能承受的最大蜂值电压UTM考虑2~3倍的裕量。即:UTn=(2~3)UTM 2、额定电流IT(AV) (1)定义: ImItIt(AV)2wti0 在环境温度400C和规定的冷却条件下,当不超过额定结温且稳定时,晶闸管所允许通过的工频正弦半 波电流(如图1-6)的平均值 T(4D)2 I sin wtd(wt) (m sin wr)d(wt) (2)计算: T(An lrAn=(1.5~2)
§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 二、晶闸管的阳极主要参数 1、额定电压UTn (1)出厂额定电压 额定结温时，取正向断态重复峰值电压UDSM和反压断态重复峰值电压URSM各乘以0.9后取整较小 的值。 (2)使用时选择额定电压 实际工作电路中可能承受的最大蜂值电压UTM考虑2～3倍的裕量。即：UTn=（2～3）UTM ２、额定电流IT(AV) (1)定义：ImITIT(AV)2 wti0 在环境温度400C和规定的冷却条件下，当不超过额定结温且稳定时，晶闸管所允许通过的工频正弦半 波电流（如图1-6）的平均值。 (2)计算： Im IT IT (AV) 2 wt i 0 1.57 2 2 Im ( sin ) ( ) 2 1 sin ( ) 2 1 ( ) 0 2 0 ( ) = = = = = = = T AV T f T m m T AV m I I K I I wt d wt I I I wtd wt 1.57 (1.5 ~ 2) ( ) t T AV I I =
§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 3、通态平均电压UT(AV) 指在规定的工作温度条件下,使晶闸管导通的正弦波半个周期内UAK的平均值,一般在04~12V 4、其它参数 1)维持电流H:指在常温门极开路时,晶闸管从较大的通态电流降到刚好能保持通态所需要的最 小通态电流。一般阳值从几十到几百毫安,视晶闸管电流容量大小而定 (2)擎住电流‖:指晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号,能使元件保持导通所需要的最小阳极 电流。一般擎住电流‖是维持电流的几倍。可见,欲使晶闸管的阳极电流上升到擎住电流以上, 才能导通,触发脉冲必须具有一定的宽度。 (3)浪涌电流TsM:指由于电路异常情况,造成使晶闸管超过额定结温的不重复性最大正向过载电 流,用峰值表示。 (4)断态电压临界上升率dudt:在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换 的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。 (5)通态电流临界上升率didt:在规定条件下,晶闸管能承受的最大通态电流上升率。若晶闸管导 通电流上升太快,则会在晶闸管刚开通时,有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部 过热而损坏晶闸管 晶闸管的门极伏安特性及主要参数 、门极伏安特性 高阻曲线 典型曲线 指门极电压UG与门极电流G的关系。如图1-7所示 电压极限 1限低阻曲线 图1-7
３、通态平均电压UT(AV) 指在规定的工作温度条件下，使晶闸管导通的正弦波半个周期内UAK的平均值，一般在0.4～1.2V。 ４、其它参数 （1）维持电流IH：指在常温门极开路时，晶闸管从较大的通态电流降到刚好能保持通态所需要的最 小通态电流。一般IH值从几十到几百毫安，视晶闸管电流容量大小而定。 （2）擎住电流IL：指晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号，能使元件保持导通所需要的最小阳极 电流。一般擎住电流IL是维持电流IH的几倍。可见，欲使晶闸管的阳极电流上升到擎住电流IL以上， 才能导通，触发脉冲必须具有一定的宽度。 （3）浪涌电流ITSM：指由于电路异常情况，造成使晶闸管超过额定结温的不重复性最大正向过载电 流，用峰值表示。 （4）断态电压临界上升率du/dt：在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换 的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。 （5）通态电流临界上升率di/dt：在规定条件下，晶闸管能承受的最大通态电流上升率。若晶闸管导 通电流上升太快，则会在晶闸管刚开通时，有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部 过热而损坏晶闸管。 三、晶闸管的门极伏安特性及主要参数 １、门极伏安特性 指门极电压UG与门极电流IG的关系。如图1-7所示： §1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 IG 0 UG 低阻曲线 高阻曲线 典型曲线 电压极限 电 流 极 限 图 1-7
§1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 2、门极主要参数 (1)门极不触发电压UGD和门极不触发电流IGD:不能使晶闸管从断态转入通态的最大门 极电压称门极不触发电压UGD,相应的最大电流称门极不触发电流IGD。 (2)门极触发电流GT和门极触发电压UGT:在常温下,阳极电压为6V时,使晶闸管能完 全导通所需的门极电流,一般为毫安级。产生门极触发电流所必须的最小门极电压, 般为5V左右。 (3)门极正向峰值电压UGM、门极正向峰值电流IGM和门极峰值功率PGM:指在晶闸管 触发过程中,不至造成门极损坏的最大门极电压、最大门极电流和最大瞬时功率 KP口一口口 通态平均电压U(A)组别(IA小于100A可不 标),用A~I字母表示,共九级 额定电压UTn 额定通态平均电流Ir(A 表示普通型晶闸管 表示闸流特性
２、门极主要参数 （1）门极不触发电压UGD和门极不触发电流IGD：不能使晶闸管从断态转入通态的最大门 极电压称门极不触发电压UGD，相应的最大电流称门极不触发电流IGD。 （2）门极触发电流IGT和门极触发电压UGT：在常温下，阳极电压为6V时，使晶闸管能完 全导通所需的门极电流，一般为毫安级。产生门极触发电流所必须的最小门极电压， 一般为5V左右。 （3）门极正向峰值电压UGM、门极正向峰值电流IGM和门极峰值功率PGM：指在晶闸管 触发过程中，不至造成门极损坏的最大门极电压、最大门极电流和最大瞬时功率。 §1-2晶闸管的伏安特性和主要参数 K P □— □ □ 通态平均电压UT （AV）组别（IT(AV)小于100A可不 标），用A～I字母表示，共九级 额定电压UT n 额定通态平均电流IT (AV) 表示普通型晶闸管 表示闸流特性